【課題】確実にＡＬＤチャンバ内の汚染物質を最小限に抑えることができるようにし、かつ前駆体蒸気による重要な顕微鏡部品の損傷を防止する。
【解決手段】２室に分割されたチャンバを有する局所的ナノ構造成長装置であって、第１室（１０４）が走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を含み、第２室（１０８）が原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバを含み、第１室が第２室から気密分離されており、ＳＰＭの少なくとも１つのＳＰＭプローブ先端がＡＬＤチャンバ内の試料の近位に配置されている、該ナノ構造成長装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面にガスを供給して集束ビームで前記ガスを活性化させながら加工するとともに、加工の進行状況をモニタリングできる加工システムを提供する。
【解決手段】加工システム１は開口部１９から排気される真空容器２内に電子ビーム８を発生させる電子源３、集光／偏向要素２１、集束レンズ１１、二次電子検出器１７、およびスタック２３とガス導管３９と物質リザーバ４１とからなるガス供給装置２０を備え、第３導管部３０からガスを物体３３の表面３３ａに供給し電子ビームでガスを活性化させながらを物体に照射し、堆積またはアブレーションにより加工する。また、電子ビームを走査させ、物体から発生した二次電子を二次電子検出器で検出し電子顕微鏡画像を取得して、加工の進行状況をモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】組成が均一な均一層上に、その厚さ方向に関して組成が徐々に変化している不均一層を精度良く積層する。
【解決手段】成膜条件に基づいて反射鏡の組成傾斜層の組成プロファイルを仮定し（Ｓ４０７）、成膜する際の各層の積層時間及び反射光の強度変化を計算する。そして、反射光強度を計測しながら反射鏡を事前成膜し、反射光の強度変化の計測結果と計算結果の差が小さくなるように組成プロファイルを修正し（Ｓ４２５）、成膜する際の各層の積層時間及び反射光の強度変化を再計算する（Ｓ４２７）。本番では、均一層の積層中には反射光の強度変化の計測結果と再計算結果とに基づいて終了タイミングを制御し、組成傾斜層を積層するときには積層開始からの経過時間が再計算された積層時間と一致するタイミングで積層を終了する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ膜を効率良く成膜して収率を向上させることができるランプ加熱型サーマルＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るランプ加熱型サーマルＣＶＤ装置は、基板３上にサーマルＣＶＤ法により成膜するＣＶＤ装置において、チャンバー１と、前記チャンバー１の外側に配置され、前記チャンバー１を透過したランプ光が前記基板３に照射されるランプヒーター４，６と、前記チャンバー１に接続され、前記チャンバー１内に原料ガスを導入する原料ガス導入機構と、前記チャンバー１に設けられ、前記チャンバー１内を排気する排気口２１と、前記排気口２１に接続された排気機構と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】扁平で均一な形状のプラズマを形成することができ、基板表面の観察が容易なマイクロ波プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】
導電性材料で形成された真空室（２）と、真空室（２）内側の上壁面に固定され、貫通孔（３）を有し、導電性材料で形成されたアンテナ（４）と、アンテナ（４）に対向して配置され、基板（Ｓ）を搭載可能なステージ（５）とを備え、貫通孔（３）の一端が真空室（２）の外部に接続され、貫通孔（３）の他端が、アンテナ（４）のステージ（５）に対向する面に位置し、プラズマ用の原料ガスが、貫通孔（３）を通ってアンテナ（４）およびステージ（５）の間隙に供給され、マイクロ波が真空室（５）の外部から供給され、アンテナ（４）およびステージ（５）の間隙にプラズマを発生させ、貫通孔（３）を介して、ステージ（５）に搭載された基板（Ｓ）の表面を観察可能である。 （もっと読む）

【課題】膜質のばらつきを減少して優れた膜を形成することが可能な気相反応成長装置および気相反応成長方法を提供する。
【解決手段】処理装置１は、基板保持部材としてのサセプタ５と原料供給部材としてのガス供給部材１２と加熱部材としてのＵＶランプ１１と波長規制部材としてのフィルタ１３とを備える。サセプタ５は半導体基板７を保持する。ガス供給部材１２は、サセプタ５に保持された半導体基板７に膜を成長させるための原料ガスを供給する。ＵＶランプ１１は、サセプタ５に保持される半導体基板７にエネルギー線（紫外線）を照射することで表面を加熱する。波長規制部材（フィルタ１３）は、半導体基板７に照射されるエネルギー線の波長を規制する。 （もっと読む）

【課題】微小なパーティクルを検出することができるパーティクルモニタシステムを提供する。
【解決手段】チャンバ１１及びＤＰ１７を連通するバイパスライン１６には、レーザ光を照射するレーザ光発振器２１と、該レーザ光発振器２１から照射されてバイパスライン１６内の空間を通過するレーザ光Ｌの光路上に位置するレーザパワー測定器２２とが配され、さらに、バイパスライン１６の内壁面には、バイパスライン１６内の空間に少なくとも２以上のレーザ光Ｌの光路が位置するようにレーザ光Ｌを反射する複数のレーザ反射ミラー２３が配される。 （もっと読む）

【課題】 処理チャンバに前駆物質を分配するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】 装置は、複数のガス分配ゾーンを持つガス分配アセンブリを含む。各ゾーンは、前駆ガスを受容するための入口を持つプレナムと、赤外光源のような少なくとも一つの非熱エネルギー源とを含んでもよい。少なくとも一つの非熱エネルギー源は、赤外光源からの波長の強度を制御するために変動してもよい。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの利用効率を高めると共に２００℃以下の製膜プロセスで電気特性に優れた酸化膜を形成する。
【解決手段】酸化膜形成装置１は基板７に紫外光領域の光を照射すると共に基板７に有機シリコンからなる原料ガスＧ１とオゾンガスＧ２とを供して基板７の表面に酸化膜を形成させる。処理炉２には基板７が格納される。配管３は室温のもとで原料ガスＧ１とオゾンガスＧ２とを混合させて処理炉２内の基板７に供する。光源５は紫外光領域の光として２１０ｎｍより長波長の光を基板７に照射する。配管３に供される原料ガスＧ１に対するオゾンガスＧ２の混合量は少なくとも原料ガスＧ１を完全に酸化するのに必要な化学当量以上となるように設定される。 （もっと読む）

【課題】 基板上に設けられた誘電体物質を硬化するための紫外線（ＵＶ）硬化チャンバ及びＵＶ放射線を使用して誘電体物質を硬化する方法を改善する。
【解決手段】 一実施形態による基板処理ツールは、基板処理領域を画成する本体、基板処理領域内に基板を支持するように適応された基板支持体、この基板支持体から離間され、基板支持体上に配置された基板へ紫外線を伝送するように構成された紫外線ランプ、及び上記紫外線ランプ又は基板支持体の少なくとも一方を互いに対して少なくとも１８０度回転させるように作動的に結合されるモータを備える。基板処理ツールは、回転されるときに組み合わさって実質的に一様な照射パターンを生成する相補的な高強度領域及び低強度領域を有する紫外線のフラッドパターンを基板上に生成するように適応された１つ又はそれ以上のリフレクタを更に含むことができる。他の実施形態も開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ発生の為に外部より供給されたマイクロ波エネルギーの偏りや集中を防ぎ、コーティング層の厚さのばらつきや発熱による容器の変形を抑えることができるプラズマを使用した容器処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】円筒形のプラズマ処理を行う処理チャンバー（１）を取り囲むように配置された外部導波路空洞体（２）とマイクロ波を供給する為の同軸導波管（３）とを備えたプラズマを使用した容器処理装置において、前記同軸導波管（３）から供給されたマイクロ波エネルギーは第一外部導波路（１１）により同心円状に均等に分配され、第二外部導波路（１２）を通り容器側面の任意の箇所よりガス導入管(５)を中心導体とする同軸導波路に結合することを特徴とするプラズマを使用した容器処理装置である。 （もっと読む）

【課題】 基板が吸着されにくく、生産性が優れたガスウィンドウ及び化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】 中心部にレーザ光照射部３を形成し、その近傍に原料ガス８を基板１０上に供給するための原料ガス出口４ａを備えた原料ガス供給部を設ける。また、基板１０側の面にレーザ光照射部３及び原料ガス出口４ａを囲むように形成され、吸引ガス出口に連通された円形状の環状溝５及び６を備えたガス吸引部を設ける。そして、ガス吸引部における環状溝６の外縁を形成するリブ７の表面に、内側から外側に貫通する４本の横断溝７ａ乃至７ｄを等間隔に形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中の被処理物の状態をリアルタイムで観察可能とするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置１１は、内部空間１５の底壁側に被処理物１が配置される真空容器１２、真空容器１１の外側の上方に配置され、かつ平面視で隙間が形成されるように配置された導体を備えるプラズマ発生用のコイル３６、内部空間１５の上方を閉鎖し、かつ平面視でコイル３６の導体間の隙間と対応する位置に透明部３０を備える頂壁１６、及びコイル３６の上方に配置され、コイル３６の導体間の隙間と頂壁１６の透明部３０とを介して被処理物の少なくとも一部を視野に収めることができるカメラ４５を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム及び方法
【解決手段】プラズマ処理システムは、磁界を生成することができる磁界発生器と、該システムの処理チャンバ内の粒子を照射することが可能な光シートを生成することができるシート光学素子とを含む。イメージング装置は、該光シートにより照射された粒子に対応するイメージデータを獲得することができる。該磁界発生器、該シート光学素子及び該イメージング装置は、プラズマにアクセスするために、互いに関連するように配置することができる。イメージプロセッサは、該光シート内の粒子の濃度を得るために、該イメージデータを処理することができる。プラズマ処理システムにおける粒子濃度を測定する方法は、該磁界発生器、シート光学素子及びイメージング装置を、プラズマにアクセスするために互いに関連するように配置することと、該光シート内の粒子の濃度を得ることと含む。 （もっと読む）

本発明は、特に結晶基板の上に、特に結晶層を堆積するための装置であって、前記装置は、反応器ハウジングの中に配置され、少なくとも１の基板（８）を載せるための基板ホルダー（２）を有する反応チャンバー（１）を有する。ガス入口部材（３）は、基板ホルダー（２）の反対側に配置され、前記基板ホルダー（２）に面するガス出口表面（４）を有し、
実質的に均一に分配された多数の、反応チャンバー（１）に導入される反応ガスのための出口開口（５）を備える。表面温度の測定を改良するためには、本発明の装置は、出口開口（５）の後方で、出口開口（５）と一直線上にそれぞれ多数のセンサー（１０）が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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