【課題】工作物を３次元空間で自由に移送できる工作物真空処理用の移送装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】ディスク状の工作物を、その製造の間に一次的に真空雰囲気内で移送するためのチャンバ１は、工作物２２と、軸を中心に回転可能な多数の工作物収容部２０とを通過させる少なくとも２つの開口部４、６を備える。チャンバ１内には、開口部４に整合され、回転可能な工作物収容部２０から独立して軸承される移送機構３０ｂが配置される。移送機構３０ｂは、径方向に制御されて引出し又は引き戻し可能であり、開口部領域において工作物に作用する。チャンバ２は、少なくとも１つの工作物収容部５２を備える。工作物収容部５２は、移送機構４６に配置される。移送機構４６は全体として軸Ａ_４４を中心に回転駆動され、かつ直線状に引出し又は引き戻される。 （もっと読む）

【課題】安定した放電を維持し、付着力の高い良質のダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。
【解決手段】排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、この成膜ガス導入機構２は、イオン源２０を基準として支持体１の走行方向の、下流側に設けられているものとした成膜装置１０を提供する。 （もっと読む）

磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された陽極酸化アルミナ膜（１３）と、陽極酸化アルミナ膜（１３）の上部表面及び細孔（１４）の内壁に形成された炭素層（１５）と、細孔（１４）の炭素層（１５）を介して内部に形成された磁性粒子（１６）と、炭素層（１５）及び磁性粒子（１６）の表面に形成された潤滑層などから構成される。炭素層（１５）により陽極酸化アルミナ膜（１３）の表面及び細孔（１４）の内壁を覆うことにより、陽極酸化アルミナ膜（１３）を保護して、耐蝕性及び耐久性に優れた磁気記録媒体を実現する。
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銅(Ｉ)Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネートの蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上に銅の金属薄膜を析出させる。コバルト(ＩＩ)ビス(Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネート)の蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上にコバルトの金属薄膜を析出させる。これら金属の窒化物及び酸化物の薄膜は、前記水素をそれぞれアンモニア又は水蒸気に代えることによって形成することができる。これらの薄膜は、均一な厚さを有しかつ細孔での優れたステップカバレッジを有する。好適な応用には、マイクロエレクトロニクスにおける電子的連結及び磁気情報記録装置における磁気抵抗が含まれる。
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【課題】
保護膜の薄膜化と共に、磁性膜表面に膜厚分布の小さい保護膜を形成し、特に、ロード/アンロード領域における膜厚分布を小さくして、摺動耐力の確保と対腐食性の高い磁気ディスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の磁気ディスクの製造方法は、保護膜を成膜する工程において、基板が、基板を保持する爪部と爪部を支持する支持具とを有する保持具に搭載され、基板と支持具の最短距離が10ｍｍ以上であることを特徴とする。または、支持具の基板に対向する面に角取り加工が行われ、かつ、基板と支持具の最短距離が5ｍｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒素含有率の高い硬質の窒素含有炭素膜を良好な成膜効率をもって形成する。
【解決手段】支持体１上に、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う成膜装置１０であって、排気系を備えた真空槽の中に、窒素によってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、成膜ガス導入機構２から供給された成膜ガスを、窒素により形成したプラズマにより分解し、窒素含有炭素膜の形成を行う成膜装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体表面に塗布される潤滑層において、潤滑剤が保護層に結合するのを阻害する不純物を除くことにより、結合潤滑層を厚くする方法であって、蒸着速度を制御することができる量産にも適した磁気記録媒体の製造方法、並びに製造装置を提供することである。
【解決手段】 基板上に各種の下地層、磁気記録層、保護層および潤滑層が積層された磁気記録媒体を製造する方法において、前記保護層および前記潤滑層を、それぞれ保護層を形成する真空槽および潤滑層を形成する真空槽で連続して形成し、前記保護層を形成する真空槽と前記潤滑層を形成する真空槽とが相互に遮断されており、前記保護層および前記潤滑層を孤立した状態で形成することを特徴とする方法。 （もっと読む）