【課題】プラズマＣＶＤによって、高い成膜レートで長時間の成膜を安定して行なうことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板の搬送経路を反対方向に折り返し、この折り返し前後の基板を挟むように電極を配置し、かつ、折り返した基板の間に反応ガスを導入して、基板にプラズマＣＶＤによる成膜を行なうと共に、このプラズマＣＶＤによる成膜を行なう成膜室と、基板の搬送経路を折り返す折り返し手段が配置される折り返し室とを、別の空間（部屋）とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板にカーボン保護膜を成膜する際に、基板を保持するキャリアに堆積するカーボン膜を効果的に低減し、堆積膜の剥離に伴うパーティクルの発生を抑制し、かつ、キャリア表面のカーボン堆積膜を発生源とするアウトガスの放出を抑制する。
【解決手段】成膜用基板をキャリアに装着して、接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、前記チャンバ内で、前記成膜用基板上に、少なくとも磁性膜とカーボン保護膜とを成膜することによって、磁気記録媒体を製造する方法において、前記キャリアから成膜後の磁気記録媒体を取り外す工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を設ける。また、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を、回転磁界によるアシストを用いたマグネトロン放電によるスパッタ法で行う。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板にカーボン保護膜を成膜する際に、基板を保持するキャリアに堆積するカーボン膜を効果的に低減し、堆積膜の剥離に伴うパーティクルの発生を抑制し、かつ、キャリア表面のカーボン堆積膜を発生源とするアウトガスの放出を抑制する。
【解決手段】成膜用基板をキャリアに装着して、接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、前記チャンバ内で、前記成膜用基板上に、少なくとも磁性膜とカーボン保護膜とを成膜することによって、磁気記録媒体を製造する方法において、前記キャリアから成膜後の磁気記録媒体を取り外す工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に堆積付着したカーボン保護膜をアッシング除去する工程を設ける。また、キャリア表面に堆積付着したカーボン保護膜をアッシング除去する工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる積層膜形成システム、そのような積層膜形成システムで使用されるスパッタ装置、および、上記の積層膜形成システムで実行される積層膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にスパッタ法によって磁性膜を形成するスパッタ装置と、この磁性膜の表面にカーボン保護膜を形成するＣＶＤ装置とを有し、基板上に磁性膜とカーボン保護膜とからなる積層膜を形成する積層膜形成システムにおいて、スパッタ装置が、磁性膜の形成に際して基板保持具２２０と磁性物質ターゲット２３０との間に位置し、基板保持具２２０において基板Ｐを囲む枠２２１のうち、この基板保持具２２０が立てられるときに基板Ｐの上に位置する部分を除いた部分に限って、磁性物質ターゲット２３０からの磁性物質を遮るシールド２４０を備えた。 （もっと読む）

【課題】ヘッドに対する耐磨耗性の低下や特性低下が少なく、保護層のカバレッジ性の低下による磁気記録層からの金属溶出、耐腐食性低下の少ない磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターンが形成された磁気記録媒体にＡＬＤ法を用いてＡＬＤ保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法およびディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターン形状を有し、さらに該凹凸パターン形状の上に保護層を有する磁気記録媒体において、前記保護層がＡＬＤ法を用いてＡＬＤ保護層からなることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置内におけるパーティクルの発生を低減して炭素保護膜表面の平坦性を向上させ、高い記録密度を有し、且つ記録再生特性に優れた磁気記録媒体を製造することが可能な炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体並びにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ１０内に、磁性膜が形成された円盤状の基板Ｄを設置し、該基板Ｄの両面に離間対向した電極１１を設け、表面１１ａが粗面化処理された電極１１を用い、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置した状態で該基板Ｄ上に炭素保護膜を形成する成膜工程と、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とが備えられ、成膜工程と除去工程とを、この順で繰り返す形成方法としている。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマ３８から、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】粒子径の揃った粒子を基板上に堆積させる装置および方法の提供。
【解決手段】原料ガス中の原料を反応させることにより粒子を生成させ、前記粒子を基板上に堆積させる粒子堆積装置。この装置は、内部に反応室と後室とを有し、前記反応室に連絡した原料ガス供給口と前記後室に連絡した排気口と前記後室内に配置され且つ前記基板を保持可能なホルダとを具備してなる反応容器と、前記反応室内にプラズマを生じさせるプラズマ発生装置と、前記プラズマを生じさせながら、前記排気口より反応後のガスを排出させるガス流制御手段とを具備してなる。この装置により、導入された原料ガスを反応させて粒子を形成および成長させ、プラズマによるクーロン力と、ガス流による抗力とのバランスによって、所望の粒径を有する粒子のみを選択し、基板上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】蒸着テープの製造方法として、磁性層の保護膜としてのＤＬＣ膜の膜質が均一で、且つ大量生産のできるロ−ルツーロール型のプラズマ真空処理装置を提供する。
【解決手段】基材の成膜ステージとなるロール型カソード電極をカソードとし、対向するプラズマインジェクション型反応管をアノ−ドとし、両電極間に高周波を印加する容量結合型プラズマＣＶＤ方式において、プラズマインジェクション反応管の開口面積よりもアノード面積が大きくなるように電極を構成することにより、プラズマの非対称放電効果でカソード上の基材に高速成膜できる。また、蒸着テープに限らず、基材の電気抵抗に依存せずにプラズマを発生させることができるため、プラズマＣＶＤの他、イオンエッチング、イオンアッシング、イオンボンバード等のプラズマ処理が可能である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を生成するためにかかる時間を大幅に短縮する成膜装置の提供。
【解決手段】成膜装置のＡＬＤ室５０のチャンバー内空間５０ａには、ＡＬＤ室ケーシング５１に対して回転可能な基板載置台５２が設けられている。基板載置台５２上の基板載置面５２Ｃ上には２枚の基板２を載置可能である。基板載置面５２Ｃには、一対の反応ガス空間画成部と、一対の排気空間画成部と、一対の不活性ガス供給空間画成部とを有する基板載置台対向部５５が、１ｍｍ以下のギャップを介して対向している。基板載置台５２を一定の回転速度でゆっくり回転させることにより、基板載置台５２上に載置されている２枚の基板２の表面全体を、交互に第１反応ガス空間５５ｂ、第２反応ガス空間５５ｃの開口端に徐々に対向させる。このことにより、基板２の表面全体において反応ガスの交互表面反応に曝して基板２上に薄膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により強磁性体Ｐｔ／Ｆｅ薄膜を形成可能な薄膜形成装置、及び強磁性体Ｐｔ／Ｆｅ薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】白金化合物と鉄化合物とを気化した原料ガスを、還元性のキャリアガスと共に反応室２へ供給するＣＶＤ用気化器４を備える。ＣＶＤ用気化器４は、流入口から流出口に向けてキャリアガスが流れるキャリアガス流路42と、キャリアガス流路42に原料溶液を供給する原料溶液流路71と、キャリアガス流路42の流出口に設けられ、原料溶液流路71から供給された原料溶液を気化する気化部45とを備える。キャリアガス流路42は、キャリアガスが供給されるキャリアガス供給管43と、キャリアガス供給管43からキャリアガスが供給され、原料溶液を微粒子状又は霧状にしてキャリアガス中に分散させて気化部45に供給するオリフィス管44とを備える。気化部45は、キャリアガス中に分散させた原料溶液を加熱して気化する加熱手段62を備えている。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドの腐食の発生を抑えることが可能な磁気ディスクを提供する。
【解決手段】面取部及び側壁部からなる端面と、主表面とを有する基板上に磁性層と保護層とを順次形成する磁気ディスクの製造方法であって、前記保護層の成膜時に、前記基板に対して所定のバイアスを印加することによって前記端面に保護層を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板を確実に保持でき、且つ、低い照射角で加工用ガスを照射する場合であっても基板の両面を全面に亘って均一に平坦化できる基板保持装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板保持装置は、円板状の基板１２の外周部１４を係止するための凹部１６が先端１８に形成され、該先端１８が基板１２の中心の方向に突出して基板１２を外周部１４における複数の位置において支持するように設置される複数の係止器２０を有してなり、係止器２０は、基板１２の厚さ方向の幅が先端１８の方向に該先端１８まで単調に小さくなるように厚さ方向の両側の側面２２が基板１２の表面に対して少なくとも先端１８の近傍において基板１２の中心を臨む方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】
従来のＥＣＲプラズマ成膜装置における、成膜原材料として用いる炭化水素に起因する成膜室内における水素の発生およびそのＤＬＣ膜への混入を排除し、ＥＣＲプラズマ成膜法によるＤＬＣ膜の膜質を改善する。
【解決手段】
気化器２１内のフラーレンを気化ヒータ２２により加熱・気化し、導入路２３および導入路バルブ２４を経由してキャビティ２に導入し、気化カーボンと電磁コイル６で発生する磁界およびマイクロ波Ｍによりカーボンイオンおよび電離電子のみの純度の高いＥＣＲプラズマ７を発生させる。ＥＣＲプラズマ７中のカーボンイオンを基板９Ｎに向けて加速し、基板９Ｎの表面に堆積させＤＬＣ膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を生成するためにかかる時間を大幅に短縮する成膜方法、及び当該成膜方法を実施するための成膜装置の提供。
【解決手段】成膜方法では、ＡＬＤ法によって、ハードディスク等のヘッドにおいて層状に設けられた読出し用ヘッドと書込み用ヘッドとの間を絶縁するための層間絶縁膜を成膜する。成膜方法では、基板を所定の温度である略２００℃に加熱する加熱工程と、基板の表面を当該所定の温度に維持しながら真空中でＴＭＡ等の反応物の交互表面反応に曝して基板上に薄膜を成長させて成膜する反応工程とを行う。反応工程において一の基板上に薄膜を成膜している時に、一の基板の次に反応工程で成膜が行われる他の基板について加熱工程を行う。成膜装置１は、ＡＬＤ室４０と、ＡＬＤ室４０とは別個に設けられた加熱＋エッチング室３０とＡＬＤ室４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気テープ上に形成した金属磁性膜が薄くなり抵抗損失が大きくなったとしても、成膜速度を高め、製品不良を招くこと無く、プラズマＣＶＤにより金属磁性膜に保護膜を成膜する。
【解決手段】テープ状基板１上に形成された磁性膜１ａ上にプラズマ反応によって保護膜１ｂを成膜する成膜装置１０は、磁性膜１ａに保護膜１ｂを形成するためのプラズマ反応空間を形成する反応室１１と、反応室１１内に保護膜１ｂを形成するための反応ガスを供給する反応ガス導入部１２と、反応室１１内に設けられており磁性膜１ａとの間にプラズマを発生させる陽極電極３１と、反応室１１の外部に設けられ、磁性膜１ａに対して非接触で電子流を供給する電子供給源３４，３５と、電子供給源３４，３５から磁性膜１ａに対して供給する電子流の電流量を制御する制御部３６とを備える。制御部３６は、電子供給源３４，３５から磁性膜１ａに対して供給する電子流の電流量を、陽極電極３１に対して供給される電流量以上に制御する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ炭素系膜の耐久性、耐食性を活かしつつ、且つ、耐ガス吸着性の良好な保護膜形成方法を提供する。
【解決手段】 炭化水素ガスを原料としたプラズマＣＶＤ法を用いて耐摺動部材上に保護膜を形成するにあたり、保護膜の成膜初期は耐摺動部材に−５００Ｖを超えるバイアス電位を印加し、成膜終期には−５００Ｖ以下のバイアス電位を印加して成膜することを特徴とする。
また、保護膜を成膜する時間に対して、成膜終期のバイアス電位の印加時間の比率が２５％以下であることが好ましい。
また、磁気記録層および保護膜を備えた磁気記録媒体において、保護膜を上述の方法によって形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気抵抗素子を用いたリードヘッドを有する磁気ヘッドにおいて、フリー層を有する磁気抵抗効果膜のコア幅狭小化に伴って必要となるコア幅の高精度な加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フリー層を含む磁気抵抗効果膜の上にレジストを形成する工程と、前記レジストの表面と前記磁気抵抗効果膜の上に原子層堆積法（ＡＬＤ法）により保護層を形成する工程と、イオンミリングにより前記磁気抵抗効果膜を所望のコア幅に形成する工程とを有することによりコア幅の高精度な加工を行なう。
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【課題】有機金属前駆体と、シリコン、金属窒化物及び他の金属層などの基材上にコンフォーマルな金属含有膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】当該有機金属前駆体は、次の式


（Ｍはコバルト、鉄、ニッケル、マンガン、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、白金、イリジウム、レニウム、オスミウム、Ｒ^1-5は水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリール）により表されるＮ，Ｎ’−アルキル−１，１−アルキルシリルアミノ金属錯体である。 （もっと読む）

【課題】 大規模で高価な設備を必要とせずに、基板上に硬度が高く表面が平滑で均質な硬質窒化炭素膜を効率良く形成する方法を提供する。
【解決手段】 シアン化合物を含む原料ガスをプラズマ化することにより活性化し基板上に窒化炭素膜を形成する際に、基板にパルス周期が０．１〜１０００００秒の高周波パルスをｏｎ／ｏｆｆ比５０／５０〜８０／２０で印加することを特徴とする硬質窒化炭素膜の形成方法である。印加する高周波パルスのバイアス電圧は−５０〜−２００Vとすることが好ましい。 （もっと読む）