【課題】 装置の大型化やそれに伴うコストの増加を招くこと無く、カーボン保護膜作成時間の短縮化および生産性に優れたインライン真空処理技術を提供すること。
【解決手段】 第１の成膜室と第２の成膜室とを有するインライン真空処理装置は、第１ロットに含まれる複数枚の基板を１つのまとまりとして、同一の成膜室で成膜処理を行うために、第１の成膜室および第２の成膜室のうち、いずれか一の成膜室に成膜処理を実行させる成膜部と、一の成膜室が成膜処理を実行している間に、成膜処理を行っていない他の成膜室において、成膜処理を行うための処理を実行させる処理実行部と、一の成膜室で処理された基板の枚数を計測し、第１ロットに含まれる基板が全て成膜処理されたか否かを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づき、他の成膜室に成膜処理を実行させ、一の成膜室に成膜処理を行うための処理を実行させるように、第１の成膜室及び第２の成膜室で行う処理の切替えを行う制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】バイアスアークが発生しない電圧で保護膜の膜質変化を簡単に制御でき、磁気記録層を保護するために十分な硬度と潤滑層との間の十分な密着力を有する炭素系保護層を備えた磁気ディスクを得ること。
【解決手段】本発明の磁気ディスクの製造方法は、ディスク基体上に少なくとも磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、前記磁気記録層上に炭素系保護層を形成する保護層形成工程と、前記炭素系保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程と、を具備し、前記保護層形成工程は、高周波プラズマを用いたＣＶＤ法により前記磁気記録層上に前記炭素系材料を成膜する成膜工程と、前記成膜した炭素系材料膜に対して窒素ガスで窒化処理する工程と、を含み、前記成膜工程において、前記高周波プラズマの周波数を相対的に高い周波数から相対的に低い周波数に変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シール部材の摩耗を抑制し、ゲートバルブの開閉動作を高速で行うことを可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】複数のチャンバの間に設けられて、キャリアが通過する通路１０１を開閉するゲートバルブ１００は、通路１０１を分断する方向に移動操作される弁体１０５と、弁体１０５を挟んだ両側に配置されて通路１０１を形成する開口部１０２ａ，１０２ｂが設けられた一対の隔壁１０３Ａ，１０３Ｂと、一対の隔壁１０３Ａ，１０３Ｂの開口部１０２ａ，１０２ｂを囲む位置に配置されたシール部材１０４とを有し、弁体１０５は、通路１０１を閉塞する方向に向かって漸次幅狭となるテーパー形状を有し、通路１０１を閉塞する位置において、その両側面１０５ａ，１０５ｂが一対の隔壁１０３Ａ，１０３Ｂと相対向しながらシール部材１０４と圧接可能とされている。 （もっと読む）

【課題】小型で構造が簡易な基板ホルダー保持装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダー保持装置は、チャンバ内に収容され、複数の基板ホルダー８を列に沿って保持可能に夫々構成された第１及び第２の保持機構と、第１の保持機構を第２の保持機構に対して相対的に列方向に移動させる列方向駆動手段と、第１及び第２の保持機構間で基板ホルダーを移し替える移し替え機構３０と、移し替え機構３０と前記列方向駆動手段との連動により、第１又は第２の保持機構における基板ホルダー８の列方向位置を変更する連動機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で処理空間内のガス圧力（濃度）分布を制御できる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気を維持可能であり、減圧雰囲気中で被処理体３に対しての処理が行われる処理空間１０を内部に有する真空槽１と、真空槽１の壁部１ａを貫通して処理空間１０に通じるガス導入路４と、を備えた真空処理装置であって、ガス導入路４から処理空間１０内へのガス吹き出し方向が、ガス導入路４が設けられた部分近傍の真空槽１内壁面に対して平行もしくは傾いている。 （もっと読む）

【課題】ゲートバルブを介して接続されたチャンバの間をキャリアが通過する際のキャリアに加わる衝撃を緩和することを可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】ゲートバルブ７０ａを介して接続された複数のチャンバ７０ｂ，７０ｃと、複数のチャンバ７０ｂ，７０ｃ内で成膜対象となる基板８０を保持するキャリア２５と、キャリア２５を複数のチャンバ７０ｂ，７０ｃの間で順次搬送させる搬送機構とを備え、各チャンバ７０ｂ，７０ｃ内には、水平軸回りに回転自在に支持された複数のベアリング７５がキャリア２５の搬送方向に並んで設けられ、これら複数のベアリング７５の上をキャリア２５が移動可能とされており、なお且つ、ゲートバルブ７０ａを介して接続されたチャンバ７０ｂ，７０ｃのそれぞれ入側と出側に位置するベアリング７５ａ，７５ｂは、緩衝機構を有する支軸に回転自在に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡単な構成で小型かつ安価に作製することができ、基板の有効な表面にわたって膜厚が均一な薄膜を高速で堆積することができるプラズマＣＶＤ装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする
【解決手段】真空室内に、平板状放電電極と基板とを互いに対向して設置し、真空室内に導入した反応性ガスをプラズマ発生手段によりプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、前記基板と前記平板状放電電極との間の空間に、基板表面近傍に高密度プラズマ領域を形成するための磁界を発生させる閉ループ型磁界発生機構を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィラメントを使用せずに薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置されたリング状のＩＣＰ電極１７，１８と、前記ＩＣＰ電極に電気的に接続された第１の高周波電源７，８と、前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、前記チャンバー内を排気する排気機構と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向するように配置されたディスク基板２と、前記ディスク基板に接続された第２の高周波電源６と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向し且つ前記ディスク基板とは逆側に配置されたアース電極と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極と前記ディスク基板との間の空間を囲むように設けられたプラズマウォール２４，２５と、を具備し、前記プラズマウォールがフロート電位とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カソードと被成膜基板との間の距離を長くすることにより、被成膜基板に緻密で高硬度な薄膜を成膜できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー２内に配置されたカソード電極３と、カソード電極３の周囲を囲むように設けられたアノード電極４と、カソード電極３及びアノード電極４に対向するように配置される被成膜基板１を保持する保持部と、フロート電位とされるプラズマウォール８と、カソード電極３に接続された交流電源５と、アノード電極４に接続された直流電源７と、被成膜基板１に電気的に接続された直流電源１２と、を具備し、円筒形状のプラズマウォール８の内径が１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下であり、カソード電極３と被成膜基板１との間の距離が２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜装置に含まれる基体を保持するキャリアを工夫することで、磁気記録媒体の成膜工程において基体の温度をそれぞれの成膜工程に適した温度に近づけることが可能となるため、磁気記録媒体の品質の向上を図ることができる。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体としての垂直磁気記録媒体１００の製造方法は、真空成膜装置としてのＤＣマグネトロンスパッタリング装置２００を用いて、ディスク基体１１０上に少なくとも磁気記録層１２２を成膜する成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜工程では、キャリア２０８に取り付けられたグリッパ２１６をディスク基体に接触させてディスク基体を保持し、グリッパは複数の金属からなる積層構造であって、グリッパの表層２１６ａを構成する金属はグリッパの下層２１６ｂを構成する金属より熱伝導率が高いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 カーボン保護膜作製チャンバーでの処理時間を短縮するとともにそのチャンバー内でのパーティクルの発生を防止し、生産性の向上を図る。
【解決手段】 一列に且つ無終端となるよう連結された複数のチャンバーを備えた磁気記録ディスク用成膜装置に、少なくとも３つのカーボン保護膜作製チャンバー６１，６２，６３を設ける。キャリア９０の数を全チャンバーの数より１だけ少なくし、３つのカーボン保護膜作製チャンバーのうちのいずれか一つが常に空き状態となるように、キャリアの移動を制御する。内部にキャリアが位置する２つのカーボン保護膜作製チャンバーでは、それぞれカーボン保護膜を作製する。同時に空き状態のカーボン保護膜作製チャンバーでは、アッシングによる内部クリーニングを行なう。 （もっと読む）

【課題】保護膜中に含まれる金属コンタミネーションを低減する垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体１０は、非磁性基板１の上に密着層２、軟磁性層３、中間層４、Ｒｕ中間層５、グラニュラー磁気記録層６、Ｃｏ合金キャップ層７、ＤＬＣ保護膜８を有する。Ｃｏ合金キャップ層７まで積層した基板１を保護膜形成室２１に搬入する（ステップ１０２）。保護膜形成室２１は、ＲＦ電源から高周波電力が印加されるＲＦ電極２２を備えている。この電極２２に灰分５ｐｐｍ以下、且つかさ密度１.８ｇ/ｃｍ^３以上の一体物のグラファイト材を使用する。保護膜形成室２１に炭化水素ガスを導入し（ステップ１０４）、プラズマを誘引して保護膜８を形成する（ステップ１０８）。保護膜形成後、基板１を取り出し、保護膜形成室２１に酸素ガスを導入し、酸素プラズマによるアッシングを行い、電極２２に堆積した硬質ＤＬＣ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関し、媒体ノイズを低減することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなるグラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、前記ターゲットは、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】 ハードディスク等の磁気記録ディスクの製造に用いられると好適なインライン型基板処理装置を提供する。
【解決手段】 真空中で基板を処理する処理チャンバーを含む複数の真空チャンバーが接続された第一第二の無終端状の搬送路１，２に沿って、基板を保持するための基板保持具５１，５２をそれぞれ周回させる第一第二の周回機構がそれぞれ設けられている。第一の基板保持具５１から基板を取り外し、第三の搬送路３に沿って基板を大気に取り出すことなく真空中で搬送し、第二の基板保持具５２に移載する搬送系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 十分な剥離防止効果を得ることにより洗浄回数を減少させ、歩留まりを向上させることのできる真空成膜装置を用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体を提供することである。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体の製造方法は、真空成膜装置を用いて、基体１上に少なくとも磁気記録層２２および媒体保護層２６を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される部品１０８、１１２の表面には、成膜材料の熱膨張率と部品を構成する材料の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する金属または合金で構成された１または複数のコーティング層１５０を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ガス噴出口を工夫することで、面方向の膜厚の均一性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体の製造方法は、真空成膜装置１００を用いて、円板状基体１の上に少なくとも磁気記録層２２および媒体保護層２６を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、チャンバ１０２内に円板状基体１を搬入する工程と、チャンバ１０２内の空気を排出して略真空に引く工程と、チャンバ１０２内にガスを導入する工程と、を含み、ガスを導入する工程においては、複数のガス噴出口１１４を円板状基体１の外周に沿って配置し、当該円板状基体１の半径方向に対して所定角度傾斜した方向にガスを噴出することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内分布を均一に近づけることを可能にする、プラズマＣＶＤ法によりカーボン保護層を形成するための保護層形成装置を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によりカーボン保護層を形成するための保護膜形成装置１００は、プラズマビームを発生する円環状のアノード１０１と、アノード１０１と被成膜基板との間に配置された円盤状のシールド１０２とを備える。アノード１０１と被成膜基板の配置領域は平行であり、これらの中心を結ぶ直線はこの配置領域と直交する。シールド１０２は、その中心が前述の直線上にある。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって、高い成膜レートで長時間の成膜を安定して行なうことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板の搬送経路を反対方向に折り返し、この折り返し前後の基板を挟むように電極を配置し、かつ、折り返した基板の間に反応ガスを導入して、基板にプラズマＣＶＤによる成膜を行なうと共に、このプラズマＣＶＤによる成膜を行なう成膜室と、基板の搬送経路を折り返す折り返し手段が配置される折り返し室とを、別の空間（部屋）とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）