【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板(20)に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源(52)と当該トランス(56)の二次側に直列接続されたバイアス用直流電源(54)とを用い、高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を基板(20)に印加する。基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖdcとピーク−ピーク間電位差Ｖppを独立に制御可能とし、Ｖdcを０Ｖ以上にすることが好ましい。プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4．1×10⁸cm^-3以上1．0×10¹¹cm^-3以下であることが好ましい。この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材（30）の比誘電率の組合せが設計される。 （もっと読む）

本発明は、微粒子化の低減を示すプラズマエッチング耐性層で基板をコーティングする方法であって、基板にコーティング層を適用するステップを含む方法を含み、コーティング層は、約２０ミクロン以下の厚さを有し、ある時間にわたってフッ素ベースのプラズマに曝露された後のコーティング層は、コーティング層の断面に広がるいかなるクラックまたは亀裂も実質的に含まない。［００６２］記載される方法によって調製されるコーティングされた基板。また、本発明には、フッ素ベースの半導体ウエハー処理プロトコルで構造要素として使用するためのコーティングされた基板も含まれ、コーティングは、約２０ミクロン以下の厚さを有するコーティング層であり、ある時間にわたってフッ素ベースのプラズマに曝露された後のコーティング層は、コーティング層の断面に広がるいかなるクラックまたは亀裂も実質的に含まず、微粒子化の低減を示す。
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【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、プラズマの発生を安定的に維持して、活性種の生成を速やかに行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、制御手段１７０とを備え、制御手段１７０により、ガス供給手段８を、プラズマ生成空間３０にキャリアガスを供給した状態で、処理ガスの供給を停止することにより、プラズマを生成し、このプラズマを維持する非処理モードと、プラズマ生成空間３０にキャリアガスと処理ガスとの混合ガスを供給することにより、処理ガスを活性化して活性種を生成し、この活性種をプラズマ噴射口５から噴出してワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 フェンスの発生を回避するとともに、高エッチングレートでＴｉをエッチング可能であり、さらには、エッチングの過程でチャンバー内堆積物の発生を抑制し、パーティクル汚染を未然に防止できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 マスク層の下に形成された被エッチング層としてのＴｉ層が形成された被処理体に対し、チャンバー内圧力４Ｐａ以下でフッ素化合物を含むエッチングガスのプラズマを作用させ、Ｔｉ層をエッチングする第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の終了後、クリーニングガスのプラズマにより処理チャンバー内をドライクリーニングする第２のプラズマ処理工程と、を含み、クリーニングガスが、フッ素化合物、フッ素化合物と希ガスの混合ガス、及び酸素から成る群から選択された１つのガスのみから成るガスであり、第１のプラズマ処理工程によって生成したＴｉ化合物を含む堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】異なる材料から成る被加工物の表面を平準化するミリング装置及びミリング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓには、基板Ｓの加工面に対して略直交する方向に沿って、ラジカル源３からラジカルが供給され、基板Ｓの加工面に対して略並行な方向に沿って、中性粒子ビーム源４から中性粒子ビームＮＢが照射される。これにより、複数の材料から構成されている基板Ｓを加工する際に、基板Ｓのうち物理エッチングに対する耐性が低い材料が用いられている箇所を、ラジカルによって基板Ｓの加工面から略直交する方向に削りすぎることなく、物理エッチングに対する耐性が高い材料を削ることができる。さらに、化学的に安定した材料が用いられている箇所を中性粒子ビームＮＢによる物理エッチングによって補助的に加工することができる。よって、ラジカルによる加工量の偏りを中性ネオンビームＮＢによって補完し、基板Ｓの加工面を平らにすることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた光学シート又はその原版として好適な凹凸パターンシート、及びその製造方法、光学シートの製造方法、並びに光学装置を提供する。
【解決手段】一方の面が、下記条件を満たす凹凸構造Ｘと凹凸構造Ｙが重畳した凹凸構造Ｚとされていることを特徴とする凹凸パターンシート。
凹凸構造Ｘ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｘが２〜２００μｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｘに対する最頻高さＨ_ｘの比Ｒ_ｘが０．３５０〜０．７１４である１次元又は２次元の凹凸構造。
凹凸構造Ｙ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｙが３〜３８０ｎｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｙに対する最頻高さＨ_ｙの比Ｒ_ｙが０．５〜１０である２次元凹凸構造。 （もっと読む）

【課題】メタルゲートのドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜の突き抜けを防止しながら、ｐ−ｎ差の無いエッチング形状を得る。
【解決手段】シリコン基板の表面に形成された下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６と、この上に形成されたＴａＳｉＮ膜１４とＴｉＮ膜１５からなるメタルゲートと、この上に形成されたＷ膜１３と、ＳｉＮ膜１２と、反射防止膜１１と、レジスト膜１０とを有するウェハのドライエッチング方法において、メタルゲート１４、１５のドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６に対する選択比が高い、ＣＦ系ガス（ＣＨＦ_３、ＣＦ_４など）と塩素と窒素ガスとの混合ガスを用いて０．５Ｐａ以下の圧力でエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】高密度のプラズマをワークに供給し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下側開口１０１と下側開口１０１に連通するプラズマＰを生成するプラズマ生成空間１０２とを備え、プラズマ生成空間１０２においてプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰを下側開口１０１からワークＷの被処理面に向けて放出するヘッド１０と、ヘッド１０のプラズマ生成空間１０２内にプラズマＰを生成するためのガスＧを供給するガス供給手段５と、プラズマ生成空間１０２内に供給されたガスＧに対してプラズマＰを生成させるための電圧を印加する電圧印加手段３とを有し、ヘッド１０は、下側開口１０１に向かって収斂する収斂形状をなす凹部を有する第１の電極１１と、この凹部の内周面１１１に対応する形状の外周面１２１を備え、内周面１１１と外周面１２１との間にプラズマ生成空間１０２を画成する第２の電極１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】精度良く且つ確実に所定の位置でエッチングを停止することができるエッチングマスクを提供する。
【解決手段】基板とドライエッチング用複合体を成すエッチングマスクは、基板の上に第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と、第１の特定スペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層とに挟まれる第１及び第２のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一層と、第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の上に接して第２の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一層と、を含む複数の層で構成され、第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、基板に接し、基板とは異なるスペクトル光を発生する物質からなる。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に形成されたパターン化フィルムスタックを含む位相シフトフォトマスク及びフォトマスクを製造する方法が開示されている。
【解決手段】一実施形態において、フィルムスタックは、リソグラフィーシステムの照明光源の光に対して所定値の透明度を有する第１の層と、その光に実質的に透明でその光における所定の位相シフトを促す第２の層とを含む。 （もっと読む）

【課題】ワークに対して効率よくエッチング加工を行うことができ、かつ小型で安価なプラズマ処理装置、および、効率よくエッチング加工を行うことができるプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、大気圧（常圧）プラズマを用いたプラズマ処理装置であって、処理チャンバー２と、処理チャンバー２内に設けられ、基板（ワーク）１０を支持する支持手段３と、火炎Ｆ中に処理ガスを導入することにより処理ガス（エッチングガス）をプラズマ化し、このプラズマを基板１０に向けて供給するプラズマ供給手段４と、処理チャンバー２内を排気する排気手段５とを有する。このプラズマ処理装置１では、基板１０に向けて供給されたプラズマ中の活性化原子（ラジカル）と基板１０とが反応し、この反応物を基板１０から脱離させることにより、基板１０に対してエッチング加工を施すことができる。 （もっと読む）

【課題】１つの印加電極を用いて、ワークの処理面上の異なる形状の領域に対して位置選択的に行うプラズマ処理を、効率よく低コストで行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、基板（ワーク）１０に対してプラズマ処理を施すものであって、基板１０を支持する接地電極（第１の電極）２と、印加電極（第２の電極）３と、電源回路４と、ガス供給部（ガス供給手段）５とを有する。ガス供給部５は、基板１０と印加電極３との間に所定のガスを噴出する１０本のノズル５１０〜５１９を有する。そして、ガス供給部５は、これらの各ノズル５１０〜５１９のうち、処理領域に対応する位置にあるノズルからプラズマガスを供給するとともに、処理領域と非処理領域との境界部の非処理領域側に対応する位置にあるノズルからシールドガスを供給するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】高融点金属膜の下地膜の荒れの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、コンピュータ記憶媒体及び処理レシピが記憶された記憶媒体を提供する。
【解決手段】被処理基板１０の高融点金属膜１０２を、マスク層１０３を介してプラズマエッチングする方法であって、グレインのエッチング速度よりグレイン境界部のエッチング速度が速いプラズマエッチングを行う第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程より絶縁膜に対する高融点金属膜の選択比が高いプラズマエッチングを行う第２のエッチング工程とを具備し、グレイン境界部の絶縁膜１０１が露出する前に、第１のエッチング工程から第２のエッチング工程に切り換える。 （もっと読む）

【課題】エッチング面の平坦性が2nm以下でありかつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあるダイヤモンド構造体と、マスクとのエッチング選択比が10〜80の範囲とすることができるダイヤモンドエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング面の平坦性が2nm以下であり、かつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあり、10μm以上の高さを有するダイヤモンド構造体及びダイヤモンド上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、酸素ガスを含む雰囲気でプラズマエッチングを行い、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス又は塩素系ガスを加えて、平坦化プラズマエッチングを行うダイヤモンドエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】基板上のプラズマの状態を容易に所望の状態に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は処理空間Ｓに突出する先端が半球状の処理ガス導入ノズル３８を備え、該処理ガス導入ノズル３８は外側構造部５２と該外側構造部５２に内包される内側構造部５３とから成り、外側構造部５２は該外側構造部５２の先端における半球の中心から放射状に配置されている複数の処理ガス導入孔５６を有する。 （もっと読む）

【課題】タングステンと炭素とを含む物質にドライエッチングにより微小凹凸を形成する場合に垂直断面形状又は順テーパ断面形状を実現する。また、タングステンと炭素とを含む物質の表面に垂直断面形状又は順テーパ断面形状の微小凹凸を備えたモールドを提供する。
【解決手段】タングステンと炭素とを含む物体に対して、弗素原子を含むガスとＣＮ結合及び水素原子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマを用いてエッチングを行う。 （もっと読む）