【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】搬送ミスが少なくイオンビームによるエッチング処理時に被加工物の冷却を充分に行うことができるミリング装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ２０の外部にはロードロック扉４１が設けられており、ロードロック扉４１の開口部を、真空チャンバ２０を画成する壁部２０Ａに密着当接させて密閉することで、当該壁部２０Ａの部分とロードロック扉４１とでロードロック室４０を画成する。当該壁部２０Ａの部分には開口２０ａが形成されている。開口２０ａは真空チャンバ２０とロードロック室４０とを連通するように壁部２０Ａを貫通して形成されている。開口２０ａに基板保持端部６０Ａを挿入し、鍔部６５が開口２０ａを画成する壁部２０Ａの部分に密着当接することにより、真空チャンバ２０内とロードロック室４０内との連通が遮断される。 （もっと読む）

【課題】切削加工された被加工物の加工面に発生した虹目等の凹凸を、切削加工で創成した形状の悪化や損傷を生じることなく、一様に除去できる固体除去技術を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム１０の照射経路上に、被加工物１１が載置される回転ステージ１２、この回転ステージ１２が載置されたＸ軸ステージ１３およびＹ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１４が載置されるブラケット１５、ブラケット１５が載置される揺動ステージ１６、揺動ステージ１６を支持するベース１７を備える加工ステージ３０を設け、被加工物１１の加工面の加工後の表面荒さを加工前の表面粗さよりも悪化させない範囲に、被加工物１１の加工面に対するガスクラスターイオンビーム１０の照射角度が保たれるように被加工物１１の姿勢を制御しつつ、被加工物１１の加工面に存在する条痕による虹目を除去する。 （もっと読む）

【課題】セルフバイアス電圧を安定して検出してプラズマ放電の状態を適正に監視することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＲＦ電極３の上面を絶縁プレート４で覆って構成された第１電極上に基板８を載置し、第１電極と対向する蓋部材２との間に形成される放電空間７でプラズマ放電を発生させて基板８の表面処理を行うプラズマ処理装置において、絶縁プレート４の基板載置範囲外の部位に絶縁プレート４を貫通する開口部４ａを設け、さらにＲＦ電極３に導電性のピン部材１０を植設して開口部４ａ内に位置させ、ピン部材１０の頂部を放電空間７に露呈させる。これにより、プラズマ放電によって発生したイオンをピン部材１０に安定して入射させることができ、セルフバイアス電圧を安定して検出してプラズマ放電の状態を適正に監視することができる。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリング及び載置台の間の熱伝達効率を十分に改善することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されるサセプタ１２と、サセプタ１２の上部に配置され且つウエハＷを載置する静電チャック２２と、載置されたウエハＷの周縁部を囲うように静電チャック２２に載置されるフォーカスリング２４とを備え、フォーカスリング２４における静電チャック２２との接触面２４ａに、印刷処理によって樹脂からなる熱伝達膜３９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は集束イオンビーム用ガス導入装置に関し、試料への加工性能を向上させることができる集束イオンビーム用ガス導入装置を提供することを目的としている。
【解決手段】集束イオンビームを用いてイオンビーム支援エッチング又はビーム支援堆積を行なうことが可能な装置において、イオンビーム鏡筒の下に複数の流体送出システムとしてのパイプ８を複数有し、該パイプ８の出口であるノズル８ａ同士が１次イオンビーム１７の軸と対称で内部を通過する流体が試料１８面に向かう形状で構成され、該パイプ８への導入ガスの噴射条件を個別に制御できる構成であり、該パイプ同士間を連結する機構を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板２１の厚みの分布から、升目状に区分された基板２１の各領域の被エッチング総量を算出し、この被エッチング総量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。制御部１３は、このＰＣ１５によって判別されたエッチング時間に基づき、ＸＹステージ１２及びイオンガン１１を制御する。イオンガン１１とＸＹステージ１２との間にはマスク等の遮蔽物が設けられていないためエッチング可能領域を遮ることがなく、良好に任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成でプラズマ処理を行なうことができる、プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】第１のステップにおいて、電圧を印加するＨＯＴ電極２２の表面を覆う誘電体２４に対向して、導電性を有する被処理物１０を配置する。第２のステップにおいて、誘電体２４と被処理物１０との間２５に処理ガスを供給する。第３のステップにおいて、ＨＯＴ電極２２に電圧を印加してＨＯＴ電極２２と被処理物１０との間２５で放電を発生させ、放電によりプラズマ化した処理ガスを被処理物１０の表面１１に接触させて、被処理物１０の表面１１をプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に対して均一なエッチング処理の可能なドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。基板保持部材１は、エッチング作用をなす化学種３の密度分布に沿うように複数の基板４を保持可能な形状を有し、各基板４のエッチング処理を均一化する。例えば基板保持部材４はその形状が、円、楕円、双曲線又は放物線の回転対称体の一部をなすドーム状である。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット等の被加工物を切断するための、破断しにくいプラズマ電極
【解決手段】プラズマ加工装置１００の反応室１０１内で、ＳＦ₆存在下でリボン状電極１０と被加工物であるシリコンインゴット２０との間に高周波を印加してフッ素ラジカルを発生させる。シリコンインゴット２０は厚さ２０μｍ以下のリボン状電極１０の側辺１０ａ付近に発生したフッ素ラジカルにより徐々にエッチングされる。昇降台４０によりシリコンインゴット２０を徐々に上方向に移動させることでシリコンインゴット２０は５０μｍ以下のカーフロスで切断され、ウエハを得る。リボン状電極１０を、ロール３１及び３２で把持し、当該ロール３１及び３２を同方向に回転させて、リボン状電極１０を図面左から右へ走行させて、リボン状電極１０の損耗を抑制する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム用の改良されたベローズシールドを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システム用のベローズシールド６２は、内面８２、外面８４、第１の端部８６、及び第２の端部８８を具備する円筒壁８０を具備する。第１の端部８６は取り付けフランジ９０を具備する。取り付けフランジ９０は、円筒壁８０の内面８２に結合されると共に基板ホルダ３０と係合するように構成された内部面９６と、内側半径方向面９７と、外部面９８とを具備する。円筒壁８０の第２の端部８８は端面９４を具備する。ベローズシールド６２の複数の露出面１１０に保護バリア１５０が結合される。複数の露出面１１０は、第２の端部８８の端面９４、円筒壁８０の外面８４、及び第１の端部８６の取り付けフランジ９０の外部面９８を含む。
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