【課題】窪部位を有する金型の成形面あるいは大きい部品の全面を均一に表面改質することが難しい。
【解決手段】チャンバ１の中を真空に近い状態にする。アノード電極５Ｂの中にアルゴンガスを供給する。電子の速度を窪部位のエッジの形状を喪失させない速度まで低下させるために必要十分な圧力のアルゴンガスをアノード電極５Ｂと被照射体６との間に介在させる。電子の加速空間Ｓとプラズマ空間Ｐと電子の減速空間Ｇが存在し得る範囲内でカソード電極５Ａと被照射体６との間の距離を可能な限り短くする。アノード電極５Ｂに電圧を供給してプラズマ空間Ｐにプラズマを発生させる。カソード電極５Ａと被照射体６との間に電圧を供給して電子ビームを発生させて被照射体６の選択された被照射面に電子ビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、円滑化された表面５０を有するＣｕ層４０を得た後、水素ガスにメタンガスを添加した処理ガスを処理室１５の内部空間へ導入し、該処理ガスからプラズマを生じさせて、酸化層４２のエッチングの際に生じた酸素ラジカル５２、並びにメタンから生じた炭素ラジカル５３を処理室１５の内部空間に存在させ、酸素ラジカル５２や炭素ラジカル５３から有機酸を生成し、該有機酸をＣｕ層４０の銅原子と反応させて銅原子を含む有機酸の錯体を生成し、さらに、該生成された錯体を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板(20)に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源(52)と当該トランス(56)の二次側に直列接続されたバイアス用直流電源(54)とを用い、高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を基板(20)に印加する。基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖdcとピーク−ピーク間電位差Ｖppを独立に制御可能とし、Ｖdcを０Ｖ以上にすることが好ましい。プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4．1×10⁸cm^-3以上1．0×10¹¹cm^-3以下であることが好ましい。この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材（30）の比誘電率の組合せが設計される。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面を高い平滑度で加工できる表面加工方法及び表面加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物３２が収容された真空槽１２中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源３１を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン３３を生成させ、被加工物３２に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン３３を照射することによりイオン加工する第３工程とを有することを特徴とする表面加工方法。 （もっと読む）

【課題】厚膜の大型基板を処理可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置は、処理対象物７とプラズマ生成装置１０の間に配置された補助電極２２を有している。補助電極２２は複数の個別電極２１ａ、２１ｂを有し、各個別電極２１ａ、２１ｂには同じ周波数で異なる位相の交流電圧が印加される。プラズマ生成装置１０で生成されたイオンは、補助電極２２に引き付けられ、補助電極に印加処理対象物７が誘電体材料で構成される場合であっても、高エネルギーのイオンが入射するので、エッチング速度は速い。 （もっと読む）

【課題】 密着性の高い被膜を生成するべく、被処理面の変質や変形を防止しつつ当該被処理面を洗浄する。
【解決手段】 この表面処理装置１０は、真空槽１２を有している。この真空槽１２にガス管５８を介してアルゴンガスが導入され、カソード４０にカソード電力Ｅｃが供給されると、カソード４０から熱電子が放出される。この熱電子は、アノード電圧Ｖａが印加されたアノード４２に向かって加速され、アルゴンガス粒子に衝突する。これによって、プラズマが発生し、このプラズマ中のアルゴンイオンが被処理物３６の表面に照射され、当該表面が洗浄される。ここで、イオン照射により被処理物３６に流れる電流が５．６ｍＡ／ｃｍ^２以下となるように、アルゴンガスイオンの圧力、カソード電力Ｅｃ、アノード電圧Ｖａおよびカソードバイアス電圧Ｖｃｂを設定すれば、変質および変形を防止できる。 （もっと読む）