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Fターム[4K057WD03]の内容

エッチングと化学研磨(つや出し) (8,564) | ウェットエッチング方式 (67) | 超音波併用エッチング (7)

Fターム[4K057WD03]に分類される特許

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【課題】凝固中の溶質元素の偏析による濃度差が比較的小さな鋼種とくに炭素濃度が0.01mass%以下の低炭素鋼の、凝固組織検出装置及び検出方法を提供する。
【解決手段】鋼鋳片の試料断面を研磨した後で、試料断面を腐食させる鋼の凝固組織検出装置であって、マイクロバブルを含む水7を収容する外槽2と、水7に30kHz〜3MHzの超音波を印加し水共振させる超音波発振装置5、6と、外槽2内に浸漬させるとともに試料断面を腐食させる腐食液8を収容する内槽3とからなる。また、この凝固組織検出装置1を用いて試料断面を腐食させ、鋼の凝固組織を現出させる。 (もっと読む)


【課題】複数の成分が混合したエッチング液を加熱による副反応や分離、分解反応を抑制して温度調節することができ、プリント配線基板の配線を均一に形成可能なプリント配線基板の製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】複数の成分を混合したエッチング液1を一定の設定温度に温度調節しながら貯留する貯液温調槽2から、プリント配線基板Bのエッチングを行うエッチング処理槽3にエッチング液1を供給して、エッチング処理槽3でプリント配線基板Bにエッチング液1を接触させてプリント配線基板Bの配線を形成するエッチング工程を有するプリント配線基板の製造方法において、エッチング液1に接する貯液温調槽2を含む構成材の接触面の温度をエッチング液1の設定温度以下とし、エッチング液1を直接加熱するようにした。 (もっと読む)


本発明は、エッチングすべき少なくとも1つの材料(4)を含む構造体(1)をエッチングするための方法であって、エッチングすべき前記材料(4)と反応できる少なくとも1つの化学種を選択するステップと、前記材料とは反応しないが、前記化学種を放出できる少なくとも1つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物を含む溶液(11)を製造するステップと、エッチングすべき前記材料の表面が前記溶液内およびガス(G)の付加的バブル内に存在するような位置に前記構造体(1)を置くステップと、可溶性化合物または沈殿物を生成しながら前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応するように、前記付加的バブルの存在下で反応性キャビテーションバブルを発生できる少なくとも1つの周波数で高周波超音波を溶液内で発生させるステップとを備える、構造体をエッチングするための方法に関する。
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【課題】加工によって生じる幅広い範囲の大きさのバリ等を十分に除去することができるハニカム構造体成形用金型の製造方法及びそれによって得られるハニカム構造体成形用金型を提供すること。
【解決手段】材料を供給するための供給穴と、供給穴に連通して設けられ、材料をハニカム形状に成形するための格子状のスリット溝13とを有するハニカム構造体成形用金型の製造方法は、金型素材11の穴形成面に供給穴を形成する穴加工工程と、金型素材11の穴形成面とは反対側の面である溝形成面130にスリット溝13を形成する溝加工工程と、金型素材11をエッチング液3に浸漬させた後、エッチング液3を循環撹拌しながら超音波4を印加し、少なくとも、穴加工工程及び溝加工工程を行うことによって生じた供給穴とスリット溝13との交差部分のバリを除去するためのエッチングを行うエッチング工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性に優れた耐摩耗金属体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化タングステン粒子21を結合相22によって結合してなる超硬合金2の表面を酸によってエッチングして結合相22の一部を除去したエッチング表面を形成するエッチング工程と、その後、チャンバー内に超硬合金2と共に配置した銅ターゲットに電子ビームを照射することによって銅をガス化し、ガス化した銅をエッチング表面において液化させて炭化タングステン粒子21の粒界に含浸させる銅含浸工程とを行う。これにより、超硬合金2の表面に、炭化タングステン粒子21が銅23によって結合された改質表層113を形成する。 (もっと読む)


【課題】 減圧手段、脱気手段を備えたエッチング方法及び装置では、しくみが大掛かりとなり、装置が大型化し、さらにはコスト高となる。
【解決手段】 多孔質体を超音波を印加しながらエッチングする方法において、印加する超音波を減衰材料を用いて、容易かつ継続的な方法で制御することにより、多孔質体を均一にエッチングすることができる装置を提供する。 (もっと読む)


結晶膜のパターン形成方法を提供する。第1の原子を含む縮退格子を有する結晶膜が第1領域及び第2領域に設けられる。ドーパントが第1領域内の第1の原子を置換し、第1領域に非縮退結晶膜を形成する。第1領域及び第2領域はウェットエッチャントに晒され、ウェットエッチャントは第1領域の非縮退格子をエッチングせずに第2領域の縮退格子をエッチングする。

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