【課題】再配線形成前のウエハテストを適切に実施する。
【解決手段】半導体チップ１は、周辺電極パッド３０内又はＶ／Ｇ配線２０において周辺電極パッド３０に相対的に近い位置にある第１の再配線接続部６１と、Ｖ／Ｇ配線２０において周辺電極パッド３０から相対的に遠い位置にあり、再配線６０の形成前における電位が第１の再配線接続部６１よりも小さい第２の再配線接続部６２とが、再配線６０により接続されたものである。半導体チップ１は、第２の再配線接続部６２、Ｖ／Ｇ配線２０上の第２の再配線接続部６２の近傍で再配線６０の形成前における電位が第１の再配線接続部６１よりも小さい部分、又は、Ｖ／Ｇ配線２０から第２の再配線接続部６２の近傍に引き出され、再配線６０の形成前における電位が第１の再配線接続部６１よりも小さい導電部に、ウエハテスト用の検査部８０を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの小型化を維持して半導体装置の組み立てのワイヤボンディング性を向上させる。
【解決手段】プローブピンを接触させるプローブ接触面６ｄとワイヤ５を接続するワイヤ接続面６ｅとが形成され、さらにプローブ接触面６ｄは主面６ａに対して傾斜した面であり、かつワイヤ接続面６ｅはプローブ接触面６ｄと異なった角度の面である電極パッド６ｃを備えたメモリチップ６と、メモリチップ６が搭載されたタブ２ｃと、複数のインナリード２ａ及びアウタリード２ｂと、メモリチップ６の電極パッド６ｃのワイヤ接続面６ｅとインナリード２ａとを接続する複数のワイヤ５とを有している。 （もっと読む）

【課題】 インバータ等の論理ゲートからなる大規模なゲートチェーンを有し、そのゲートチェーンにおいて不良の原因となっている論理ゲートを特定することが容易な素子評価用半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 多段接続された複数の論理ゲートからなるゲートチェーンと、モニタ信号線ＭＯＮと、ゲートチェーンにおける各論理ゲートの出力ノードとモニタ信号線ＭＯＮとの間に各々介挿され、当該モニタユニットＭＵａを指示する制御信号が与えられることにより、モニタ信号線ＭＯＮに当該出力ノードの電圧に依存した信号を発生させる複数のモニタユニットＭＵａと、ゲートチェーンにおける複数の論理ゲートの出力ノードを順次モニタ対象とし、モニタ対象とする論理ゲートの出力ノードに接続されたモニタユニットを指示する制御信号を発生するモニタユニット選択手段を有する。 （もっと読む）

【課題】プローブの先端が電極パッドから外れてしまうことによる測定不良を十分に抑制する。
【解決手段】半導体装置（例えば、半導体ウェハ２００）は、複数層の配線層と、相互に隣り合う配線層の間に介在する層間絶縁膜と、を含む多層配線層９０を有する。更に、多層配線層９０上に形成された無機絶縁膜（例えば、酸化膜４と酸化窒化膜５との積層膜）と、無機絶縁膜上に形成された有機絶縁膜６とを有する。更に、多層配線層９０の複数層の配線層のうち、最上層でない配線層（例えば、最下層の配線層）に形成された電極パッド４０と、有機絶縁膜６、無機絶縁膜、及び、多層配線層９０において、電極パッド４０上に位置する部位に形成された開口４１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やさずに、安価な装置を用いてプロ―ビング位置の目視観察を可能にする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、多層配線層（図示せず）と、多層配線層の最上層に形成され、ボンディング領域Ｐ１と試験用プローブ接触領域Ｐ２とを含むボンディングパッド２００を有する。ボンディングパッド２００には、ボンディング領域Ｐ１と試験用プローブ接触領域Ｐ２との境界を表す凹部２０２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】接続部材が接続されるボンディングパッドを一面に有する半導体基板を備えた半導体装置において、接続部材の接続によるボンディングパッド下のダメージを検出する場合に、適切にパッド数の増加を抑制する。
【解決手段】半導体基板１の内部にてボンディングパッド１１〜１３の直下部位には、当該半導体装置の特性を検査するための検査用配線３１〜３３が設けられており、検査用配線３１〜３３の一端側は、半導体基板１の一面に設けられた検査用パッド２０に導通し、検査用配線３１〜３３の他端側はボンディングパッド１１〜１３に導通している。 （もっと読む）

【課題】パッドピッチに対応させてプローブ針の間隔を狭くすることができるようにする。
【解決手段】この半導体装置は、絶縁膜１１０上に形成されたパッド１２０と、パッド１２０に形成された凹部１２１と、凹部１２１内に形成された金属層１２２とを備える。パッド１２０は接続領域１２６及びプローブ領域１２４を備えている。接続領域１２６にはボンディングワイヤやバンプなどの接続部材が接続される。プローブ領域１２４は、半導体検査装置のプローブ針が接する領域である。そして金属層１２２はプローブ領域１２４に設けられている。パッド１２０は矩形であり、プローブ領域１２４は、パッド１２０のうち半導体装置の内側を向いている辺を含むように形成されている。金属層１２２は、パッド１２０よりもイオン化傾向の小さい金属により形成されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンド接続の信頼性を低下させることなくダイをプローブ検査でき、小さいボンドパッドおよびボンドパッド間の微細なピッチ間隔でダイについての確実なプローブ検査が行える技術の提供。
【解決手段】ボンドパッド３６が、実質的に重なりのないプローブ３７領域およびワイヤボンド３８領域を有する。ボンドパッド３６は最終金属層パッド１６に接続されている。ボンドパッド３６はアルミニウム製であり、最終金属層パッド１６は銅製である。プローブ３７領域をワイヤボンド３８領域から分離することで、最終金属層パッド１６がプローブ検査によって損傷を受けることが防止され、より信頼性の高いワイヤボンドが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プロービングによってＰＡＤの表面が削られても、ＰＡＤとボンディングワイヤとの密着性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板を覆う絶縁膜と、絶縁膜の上に形成されたボンディングワイヤが接続する電極パッド１０とを具備する。電極パッド１０は、表面から絶縁膜２０まで貫通する複数のスリット１３を備える。複数のスリット１３は、表面の中心の外側に位置する接触開始領域１１と、表面の中心を含んで位置する検査領域１２とに含まれる。接触開始領域１１に含まれる複数のスリット１３の開口部の面積は、検査領域１２に含まれる複数のスリット１３の開口部の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】アイソレータにおいて、分離バリア及び受信回路を搭載するチップと送信回路を搭載するチップとが分かれている場合、分離バリア及び受信回路の機能検査をチップ単体で行うことができる、半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】入力端子Ｐ１１，Ｐ１２と、入力側と出力側を電気的に絶縁したまま、入力端子Ｐ１１，Ｐ１２を介して入力側に入力された入力パルスに基づいて、入力パルスのエッジに同期した同期信号を出力側に出力する分離バリアＢｓと、同期信号を検出し、同期信号の検出タイミングに同期したエッジを有する出力波形を出力する受信回路Ｒｘと、受信回路Ｒｘが同期信号を検出するときの検出感度を調整するための調整端子Ｐ１６とを、一つのチップＣ２上に備える、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】インダクタを配置するための必要面積を小さく保ちつつ、電磁誘導で信号の送受信を良好に行う。
【解決手段】一面にインダクタ１１４が形成された半導体装置１００に、半導体装置１００のインダクタ１１４に対応する位置に設けられた外部インダクタ２０４を含む外部装置（２００）から信号の送受信を行う。この手順は、少なくとも半導体装置１００のインダクタ１１４と外部装置２００の外部インダクタ２０４との間に強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜１３０を配置し、強磁性体膜１３０を介してインダクタ１１４と外部インダクタ２０４とを対向配置させる工程と、インダクタ１１４と外部インダクタ２０４とを対向配置させた状態で、インダクタ１１４と外部インダクタ２０４との間で電磁誘導で信号の送受信を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い集積回路を提供する。
【解決手段】集積回路２０は、基板２６を覆うパッシベーション層１８及び前記基板２６を覆うボンディングパッド２００を備え、該ボンディングパッド２００は、第１ボンディングワイヤを当該集積回路２０に接続するための第１ワイヤボンディング領域２０２と第２ボンディングワイヤを当該集積回路に接続するための第２ワイヤボンディング領域２０４とを含み、前記第１ワイヤボンディング領域２０２の少なくとも非周辺部分が前記パッシベーションの上に位置し、前記ボンディングパッド２００の下方にあるパッシベーション層が複数の開口を有し、前記基板２６は配線領域を有し、該配線領域の少なくとも一部は前記パッシベーションの上に位置する前記ボンディングパッド２００の一部の下に存在し、かつ前記配線領域の部分が前記複数の開口を介して前記ボンディングパッド２００に結合する。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラ製品のＣＭＲ特性について全数測定が困難な状況にあった。
【解決手段】受光素子１０を有する半導体装置であって、受光素子１０は、電気ノイズを除去するシールド膜を有するフォトダイオード部１１と、少なくとも二つのテストパッド１３−１〜１３−３と、シールド膜と同じ膜種で形成され、二つのテストパッド１３−１、１３−２に接続されたシールド膜擬似パターン１４と、を備える。また、フォトダイオード部１１とシールド擬似パターン１４とは１つの半導体チップ上に集積されている。シールド膜擬似パターンを接続したテストパッドを用いて、シールド膜擬似パターンの抵抗値を測定する。測定結果とシールド膜のシート抵抗とＣＭＲとの相関関係とに基づいて、フォトカプラのＣＭＲを評価する。 （もっと読む）

【課題】容易に、プローブ検査工程後のワイヤーボンディングやバンプ接続の密着強度を向上させて接続不良を減少させ、信頼性を向上する手段の提供。
【解決手段】ワイヤーボンディング用ボールあるいはバンプを形成する前に、測定用プローブ針と滑り方向が正反対であり、かつ、前述測定用プローブ針のプローブ跡終点部を通過する状態でプローブ針が滑るようにプロービング屑平坦化用プローブ針５ｂをコンタクトさせることで、プローブ検査工程にて発生するプロービング屑３ａ，３ｂの平坦化が可能となり、その結果ワイヤーボンディング用ボールあるいはバンプの密着強度を向上することで、容易に、接続不良を減少し、かつ信頼性を向上することが可能である。 （もっと読む）

【課題】検査した後の基板について電極パッドの下地層の露出の有無等の露出状況を自動的かつ高精度に検出することができる針跡検査装置と、当該装置を備えたプローブ装置、及び針跡検査方法とその検査方法の実行プログラムが記憶された記憶媒体を提供すること。
【解決手段】Ｒ成分データＤ２、Ｇ成分データＤ３及びＢ成分データＤ４の中から、電極パッド２の材質と下地層６の材質との反射率の差に応じて選択されたＢ成分データＤ４を取得するＲＧＢ成分取得部５０と、Ｂ成分データＤ４に対して、電極パッド２とは区別して下地層６の画像を取得するために設定されたグレイレベルとこのグレイレベルを有する画素数との関係データを求めるＢ成分ヒストグラム取得部５２とを備え、求められたヒストグラムに基づいて、針跡１０における下地層６の露出の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】面積効率の向上が可能な電極パッドを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 矩形の半導体基板１１に配設された内部回路領域１３及び内部回路領域１３の周辺部にある入出力回路領域１５と、入出力回路領域１５の表面側にあって、入出力回路領域１５と接続され、複数個の同じ形状の四辺形である基本パッド２０が、基本パッド２０の辺の一部をそれぞれ識別できるように並進操作Ｔ１により重ねられて、最も外側の基本パッド２０の辺が形成する外形を有するプローブ検査用パッド２１と、プローブ検査用パッド２１と接続されたボンディングパッド２６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のワイヤ流れによる不具合の発生を防止することが可能な技術を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１０は、半導体チップ１１に設けられた回路ブロック１２と、回路ブロック１２上に設けられた接続パッド１５（１ｂｒ）と、接続パッド１５（１ｂｒ）と電気的に接続され、ボンディングされるボンディングパッド１７（１）とを備え、回路ブロック１２は、接続パッド１５（１ｂｒ）を介してボンディングパッド１７（１）と接続される。 （もっと読む）

【課題】プローブテストで形成された針跡の影響でワイヤボンディング剥離が起こることを防止できるとともに、パッド面積を小さく、特にパッドの並びに対する垂直方向の面積を小さくした半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の方向に沿って並べられた第１のパッドＰ１と第２のパッドＰ２とを具備してなり、第１のパッドＰ１の第１の方向に沿う辺の長さが、第２のパッドＰ２の第１方向に沿う辺の長さより長いことを特徴とする半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】多層の金属配線層を有する半導体装置において、より一層のパッド配置面積の低減を図る。
【解決手段】アルミ３と、アルミ３との間に層間絶縁膜を介して設けられたアルミ２と、アルミ２，３間を接続するコンタクトと、アルミ３に対応して設けられた保護膜の開口部１と、を備え、開口部１の内側領域が、外部電極用パッドであり、かつ、ボンディング領域とプローブテスト領域の二つに分けて使用される半導体装置である。前記ボンディング領域では、アルミ３が露出され、該アルミ３によりアルミ２が隠れている。前記プローブテスト領域では、アルミ２が露出されている。 （もっと読む）

【課題】プローブピンの先端を確実に接触させることが可能なプロープパットおよびそれを用いた電子装置を提供する。
【解決手段】一方向に離間して半導体チップ上の一辺に配置された複数のプローブパッド１４であって、中央部のプローブパッド１４ａは、互いに平行に配置され、中央部のプローブパッド１４ａの両側のプローブパッド１４ｂ、１４ｃは、中央部のプローブパッド１４ａに対して斜めに配置されている。 （もっと読む）