【課題】本発明は、積み重ねられた半導体装置間の電気的接続信頼性を向上可能な半導体装置及び積層型半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】表面５８ａ及び裏面５８ｂを有する半導体チップ３８を貫通する第１の貫通電極４８と、半導体チップ３８の表面側に位置する第１の貫通電極４８の一端に接続される第１の表面電極５３と、半導体チップ３８の裏面側に位置する第１の貫通電極４８の一端に接続される第１の裏面電極５５と、半導体チップ３８を貫通する第２の貫通電極４９と、半導体チップ３８の裏面側に位置する第２の貫通電極４９の一端に接続される第２の裏面電極５６と、を備え、半導体チップ３８の表面側に位置する第２の貫通電極４９の一端には電極を設けない。 （もっと読む）

【課題】半田接続することなく波形測定が可能な半導体装置の試験方法を提供する。
【解決手段】半導体装置Ｗと接続されたコンタクトリング４０の接点４１と、パフォーマンスボード３１の端子とが対向接続した状態で半導体装置の試験を行う半導体試験装置を用いた半導体装置の試験方法であって、
前記コンタクトリングよりも外側にはみ出した外側領域９２と、前記コンタクトリングの前記接点と対向する第１の端子９３及び前記パフォーマンスボードの前記端子と対向する第２の端子９４を各々両面に有し、前記第１の端子及び前記第２の端子に接続された測定用端子９６を前記外側領域内に有する測定用基板９０を用意する工程と、
該測定用基板を、前記コンタクトリングと前記パフォーマンスボードとの間に挟んで配置し、前記測定用端子を用いて前記半導体装置の測定試験を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロバンプに対応した測定用のパッドを有する半導体回路装置のアクセス時間ｔＡＣの測定がより高精度に行えるようにする。
【解決手段】測定クロック生成回路２００はメモリ部１４０の動作クロックＣＬＫ２のタイミングを変化させることで測定クロックＣＬＫ３を生成する。フリップフロップ１５４と排他的論理和ゲート１５５から成る部位は、比較結果信号ＸＯＲ１として、出力データＤｏｕｔの位相が測定クロックＣＬＫに対して進んでいるときと遅れているときとで異なる値の信号を出力するように動作する。そこで、測定クロックＣＬＫ３のタイミングを変化させながら出力データＤｏｕｔと測定クロックＣＬＫの位相が一致するタイミングを特定し、アクセス時間ｔＡＣを求める。 （もっと読む）

【課題】シェアテストを行う半導体装置形成用基板から得られる半導体装置の数量が減少するのを防止する。
【解決手段】半導体装置テスト用領域１１ａの周辺部には、半導体装置形成領域１１内に形成される外部接続用電極２１と同一プロセスで同一の外形サイズおよび断面積の外部接続用電極２１が形成される。半導体装置テスト用領域１１ａは、有効半導体ウエハ領域１ａの周縁部に数箇所設けられ、それぞれ、その一部が有効半導体ウエハ領域１ａの外部に食み出すように形成される。このため、製品となる半導体装置形成領域の数量が減少するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】パッドピッチに対応させてプローブ針の間隔を狭くすることができるようにする。
【解決手段】この半導体装置は、絶縁膜１１０上に形成されたパッド１２０と、パッド１２０に形成された凹部１２１と、凹部１２１内に形成された金属層１２２とを備える。パッド１２０は接続領域１２６及びプローブ領域１２４を備えている。接続領域１２６にはボンディングワイヤやバンプなどの接続部材が接続される。プローブ領域１２４は、半導体検査装置のプローブ針が接する領域である。そして金属層１２２はプローブ領域１２４に設けられている。パッド１２０は矩形であり、プローブ領域１２４は、パッド１２０のうち半導体装置の内側を向いている辺を含むように形成されている。金属層１２２は、パッド１２０よりもイオン化傾向の小さい金属により形成されている。 （もっと読む）

【課題】データ入出力パッドとテストパッド間の経路や当該経路途中の回路の不良を検出することを可能とする方法を提供する。
【解決手段】半導体装置のテストのためのテストパッド（第２パッド２２）と内部回路２３との接続経路に、データ入出力のためのマイクロバンプパッド（第１パッド２１）が配置されている。このため、前記第２パッド２２を用いたテスト時に、前記内部回路２３までの全経路の段線不良、回路不良が検出できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハまたはチップからなる基体が積層されている場合に、積層された基体と基体との間の接触部の接続抵抗値を容易に精度良く予測する予測方法を提供する。
【解決手段】面接触部における第１接続部と第２接続部との接触面積（被接触面積Ｓ_１）を算出する工程と、第１接続部と同じ抵抗率を有する第１基準接続部を有する基準値設定用第１基体と、第２接続部と同じ抵抗率を有する第２基準接続部を有する基準値設定用第２基体とを積層し、第１基準接続部と第２基準接続部とを面接触させて形成した基準面接触部における第１基準接続部と第２基準接続部との接触面積（基準接触面積Ｓ_０）を算出する工程と、基準面接触部の接続抵抗値（基準接続抵抗値Ｒ_０）を得る工程と、Ｒ＝Ｒ_０｛１／（S_１／S_０）｝（式１）を用いて面接触部の接続抵抗値Ｒを算出する工程とを備える接続抵抗値の予測方法とする。 （もっと読む）

【課題】 正常なデバイスを不良品として誤認識することのないデバイスの検査方法を提供することである。
【解決手段】 複数のバンプ電極が表面から突出して配設されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて複数形成された半導体ウエーハに対して、プローブカードを用いてデバイスの品質を検査するデバイスの検査方法であって、半導体ウエーハをチャックテーブルに保持し、デバイスに配設されたバンプ電極の先端部を切削バイトで切削して各バンプ電極の頭を揃える切削工程と、該切削工程の後、プローブカードの接触子をデバイスの前記バンプ電極に接触させてデバイスの品質を検査する検査工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＩＳＦＥＴのゲート抵抗を低減し、装置の特性の向上を図る。
【解決手段】チップ領域ＣＡのＹ方向にストライプ状に形成された複数の溝の内部の多結晶シリコン膜よりなるゲート部と電気的に接続されるゲート電極ＧＥを、前記ストライプ状の溝の間に形成されるソース領域と電気的に接続されるソース電極ＳＥと同層の膜で形成し、さらに、ゲート電極ＧＥを、チップ領域ＣＡの周辺に沿って形成されたゲート電極部Ｇ１と、チップ領域ＣＡをＸ方向に２分割するよう配置されたゲートフィンガー部Ｇ２とで構成し、ソース電極ＳＥを、ゲートフィンガー部Ｇ２の上部に位置する部分と、下部に位置する部分とで構成し、ゲート電極ＧＥおよびソース電極ＳＥをバンプ電極を介してリードフレームと接続する。 （もっと読む）

【目的】プロービング試験での導電パッド下に配置された金属配線上の絶縁膜のクラック発生を抑制することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、導電パッドと、前記導電パッド上に配置され、前記導電パッドの一部が露出するように開口領域が形成された第１の絶縁膜と、前記導電パッドの下方に配置された第２の絶縁膜と、銅（Ｃｕ）を用いた配線を有し、前記第２の絶縁膜を介して前記導電パッドの下方に配置され、前記開口領域と重なる領域での最上層における前記配線の最大配線幅ｗ（ｎｍ）と前記配線の被覆率Ｒ（％）とがある条件を満たすように配置された少なくとも１層の配線層と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】測定精度向上と共に製品の歩留り向上を図った半導体チップの電気特性測定方法を提供する。
【構成】端子部形成工程に先立って、半導体チップ毎に、第１のプローブカードのプローブ針を、当該半導体チップの導体ポストの頂部に接触せしめて当該半導体チップの電気特性を測定し、端子部形成工程の後に、半導体チップ毎に、第２のプローブカードのプローブ針を、当該半導体チップの端子部に接触せしめて当該半導体チップの電気特性を測定する。第１のプローブカードと第２のプローブカードとではブローブ針の配列パターンが異なる。 （もっと読む）

【課題】 半田ボールなどの球状バンプの表面に深い傷を形成することなく、球状バンプと良好に接触させることができるコンタクトプローブを提供することを目的とする。
【解決手段】 中間層１２を２つの外層１１，１３で挟んだ三層構造を有し、２つの外層１１，１３の端面を中間層１２の端面よりも突出させることによって、三層構造の端面に２つの外層１１，１３からなる互いに対向する突出部３１ａが形成されている。従って、コンタクトプローブ３Ａの長手方向の端面に微小なコンタクト部３１を精度よく形成することができる。また、上記突出部３１ａには、上記一端に向って幅広となる長手方向の切り込み３１ｂによって、二股形状となっている。このため、切り込み３１ｂを挟んで、一対のテーパー面が形成され、このテーパー面が、球状バンプをコンタクト部に対して正しく位置決めするため、良好な接触状態が得られる。 （もっと読む）

【課題】めっき工程前にウエハーバーンインが実施された半導体装置において、また、めっき工程前にウエハーバーンインを実施する半導体装置の製造方法において、被膜樹脂によるめっき槽またはめっき液の汚染を発生させることなくウエハーバーンイン前にリーク不良が発生したサンプルを確実に絶縁させることが可能となる。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１１の内部回路１７と、半導体チップ１１に設けられたウエハーバーンイン用電極パッド（電極パッド）２２とを有している。ウエハーバーンイン用電極パッド２２は、メタルヒューズ（ヒューズ部）３１を介して内部回路１７に電気的に接続されている。よって、メタルヒューズ３１が溶断すれば、ウエハーバーンイン用電極パッド２２と内部回路１７とを電気的に絶縁させることができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板を中継基板に流用する。
【解決手段】本発明の半導体装置３は、上面３ａと下面３ｂとを有するパッケージ基板３００と、パッケージ基板３００の上面３ａに搭載された半導体素子３０と、を有する。パッケージ基板３００は、上面３ａに配置されたパッド３０３、９０３と、下面３ｂに配置されたパッド９０４と、下面３ｂに配置されたテスト専用パッド９０５と、を備える。半導体素子３０は、パッド３０３、テスト専用パッド９０３のそれぞれに電気的に接続される。パッド９０４には外部接続端子４０１が設けられており、テスト専用パッド９０５には外部接続端子４０１が設けられていない。パッド９０４のピッチはパッド３０３のピッチよりも広くなっている。 （もっと読む）

銅系のメタライゼーション系を有する高度な半導体デバイス（２００）において、デバイス領域（２５０Ｄ）における実質的にアルミニウムフリーのバンプ構造（２１２Ｄ）と、テスト領域（２５０Ｔ）における実質的にアルミニウムフリーのワイヤボンド構造（２１２Ｔ）とが、製造プロセスに基づいて形成され、これらのデバイス領域内に同一の最終誘電層スタック（２０３）が形成されうる。基板を、製品基板とするか、実際の半導体デバイス（２０２Ｄ）の信頼性を推定するテスト基板とするかを判断することによって、プロセス工程数を削減することができる。例えば、銅系のコンタクト領域（２０７Ｄ，２０７Ｔ）の上にニッケルのコンタクト素子が形成され、このニッケル（２１３）は、その上にワイヤボンディングを行うか、またはバンプ材料を形成するためのベースとなりうる。
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【課題】 突起電極と電極パッドとの接着性が良好な半導体装置と、この半導体装置を短い処理工程で形成可能な製造方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板１に形成した絶縁膜３の開口から露出する電極パッド２と、電極パッド表面に形成されたプローブ痕５と電極パッド上とに設ける共通電極層８、９と、共通電極層８、９上に設ける突起電極１３を有する半導体装置において、プローブ痕５の庇５ａの下に感光性樹脂６を設ける半導体装置と、電極パッド２表面にプローブ針４を接触させてプローブテストを行なうプローブテスト工程と、このプローブテスト工程にて電極パッド２表面に生じるプローブ痕５の庇５ａの下に自己整合的に感光性樹脂６を形成する感光性樹脂形成工程と、共通電極層８、９を形成する工程と、共通電極層８、９の上に突起電極１３を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】測定用パッドの表面がＵＢＭ層エッチングによって損傷を受けても、半導体基板に設けられたＴＥＧの電気的特性の測定が可能な半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の上に形成される層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上に形成され、電極であるダミー電極６と、層間絶縁膜の上に形成され、半導体基板に形成された回路の電気的特性を測定するために設けられた電極である測定用電極８と、ダミー電極６と測定用電極８とを電気的に接続する第１配線２６とを備える。第１コンタクト１６が、測定用電極８の下であって、層間絶縁膜を貫通するように設けられ、第１コンタクト１６は、測定用電極８と電気的に接続される。第１コンタクト１６は半導体基板と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】ハンダバンプを介して実装基板との導通を取るタイプのパッケージにおいて、予め、半導体デバイス上の塗膜のクラック等の不具合を簡単に評価できる技術を提供することである。
【解決手段】 膜の耐性を評価する素子であって、基板１と、前記基板１上に設けられた二つ以上のコーナー部を有するメタル部４と、前記メタル部４を被覆する膜３とを具備してなり、前記コーナー部の少なくとも二つが角度は異なっている耐性評価素子。 （もっと読む）

【課題】バンプが接触するコンタクトプローブや異方導電シートの交換周期の短縮化によって、検査効率が低下するという課題を解決する。
【解決手段】はんだボール１２が外部接続端子として一面側に形成された検査対象の回路基板１０に、その電気的特性検査を施す検査装置であって、回路基板１０のはんだボール１２に対応するコンタクトプローブ１４が設けられたテストボード１６と、はんだボール１２とコンタクトプローブ１４との間に配設され、コンタクトプローブ１４とはんだボール１２との押圧力によって両者間を電気的に接続する導体路を形成する異方電導シート２４と、前記押圧力が解除されたとき、コンタクトプローブ１４とはんだボール１２とによって押圧される押圧箇所を異なる箇所となるように、異方導電シート２４をスライドするスライド手段としての送出ローラ２０と引張ローラ２２とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いプローブ検査を行うことが可能な検査治具、検査装置、電子部品の検査方法、及び、電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】検査治具１は、突起電極１１０を有する電子部品１００にプローブ検査を行うための検査治具であって、第１の面１１と、第１の面１１とは反対方向を向く第２の面１２とを有する基板１０と、第１の面１１に所定の空間２５を区画するように形成された、上面が底面よりも狭い複数の樹脂突起２０と、樹脂突起の側面における所定の空間２５を向く領域を通るように形成されたプローブ３０と、を含む。所定の空間２５の底面は突起電極１１０の底面よりも小さい。また、所定の空間２５の上面は、突起電極１１０の上面よりも大きい。 （もっと読む）