【課題】シリコンウェハ表面又はその近傍に存在する汚染または意図的に存在せしめた金属を迅速かつ高精度で分析するための方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面のシリコン層を所定の深さまでエッチングするに際して、シリコン酸化性ガスとＨＦガスとをノズルの先端からシリコンウェハ表面に吹き付けてエッチングすることにより、エッチング位置やエッチング深さの制御をするとともに迅速にエッチングすることが可能。 （もっと読む）

【課題】測定目的元素からの蛍光X線強度の大きな変動を解決するとともに、これまで困難であった、高精度な、イオン注入量評価、薄膜中の元素濃度評価、試料表面の汚染量評価をインラインで行なうことを可能とする。
【解決手段】本発明では、結晶部の結晶構造と入射X線の入射方位を制御することで、この散乱または回折X線の変化を抑える。また、ゴニオメータの位置再現性の誤差を考慮し、結晶部で散乱されるX線強度の入射X線方位依存性が最少になる方向からX線を入射する方法で分析することにより、実際上再現性を高めた蛍光X線強度測定を行うことを可能とした。 （もっと読む）

【課題】赤外多重内部反射法による基板の表面状態の測定において、表面に物質が付着している物質を確実に検出することができ、簡便に表面状態を測定しうる表面状態測定方法及び装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１４に赤外線を入射する入射光学系１８と、ウェハ１４内部で多重反射した後にウェハ１４より放出される赤外線を検出し、検出された赤外線に基づきウェハ１４の表面の状態を測定する赤外線分析装置２０とを有し、赤外線分析装置２０は、ウェハ１４の内部で多重反射する回数の異なる第１の赤外線と第２の赤外線とをそれぞれ検出し、赤外線分析装置２０は、第１の赤外線及び第２の赤外線の検出結果に基づき、ウェハ１４上に付着した化学物質の種類を同定し、化学物質の付着量を定量化する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長をＳＰＶ法により測定する際に、表面処理を施したウェーハ表面が安定化したか否かを判定する手段を提供する。
【解決手段】表面処理を施したシリコンウェーハ表面の安定化判定方法。表面処理を施したシリコンウェーハについて、表面光電圧法により少数キャリアの拡散長を少なくとも２種類のタイムコンスタントにおいて測定し、測定した拡散長の比の少なくとも１つが目標値に達したか否かで、前記シリコンウェーハ表面が安定化したか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にガラスを陽極接合した加速度センサ等の構造体の検査方法において、陽極接合後の接合部、ガラス表面の清浄度を簡単に評価できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１の上下に陽極接合されるガラス３、ガラス２と、シリコン基板１内に形成された片持梁構造のカンチレバー１ａと、シリコン基板１の表面に形成されたピエゾ抵抗４とを備えた加速度センサ１０のシリコン基板１上に、上部ガラス３の陽極接合のためのアルミ電極として、検査電極を兼ねるよう離間して設けた二つのアルミ電極６ａ、６ｂに予め検査用測定端子６ｃ、６ｄを設け、このアルミ電極６ｃ、６ｄ間にプローグ９を接続して絶縁抵抗計１１により絶縁抵抗を測定する。測定した絶縁抵抗から、陽極接合後のガラス表面の清浄度を容易に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】 エアの有機物含有量の測定過程で行われるテストウェハの膜厚変化の測定処理、エアの有機物含有量の算出、測定時に用いられたテストウェハの表面処理（有機物の除去）を自動で行うことのできる測定装置を提供する。
【解決手段】 測定装置１を、膜厚変化の測定を行うエリプソメトリ測定系と、有機物の除去を行うＵＶ光照射系と、から構成する。該エリプソメトリ測定系は、光源８と、偏光レンズ９と、１／４波長板１０と、焦点レンズ１１と、偏光検出装置１２と、受光素子１３と、から構成される。また、該ＵＶ光照射系は、ＵＶランプ１５と、石英ガラス１６と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハの熱処理工程に用いる部材または治具等のドーパント汚染を、簡便かつ確実な方法で測定できるドーパント汚染の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハの熱処理工程に用いる部材または治具のドーパント汚染の評価方法であって、合成樹脂からなる密閉袋中に前記部材または治具からなる試験片と半導体ウエーハと雰囲気となるガスとを封入し、該試験片と半導体ウエーハとガスを封入した密閉袋に第１の熱処理を施したのち、前記半導体ウエーハを密閉袋中から取り出し、該半導体ウエーハに第２の熱処理を施し、その後、前記半導体ウエーハの抵抗率を測定することにより前記部材または治具のドーパント汚染を評価することを特徴とするドーパント汚染の評価方法。 （もっと読む）

材料の表面上にある欠陥または汚染を特定するための方法およびシステム。この方法およびシステムは、半導体ウェハなどの材料を提供することと、ウェハを走査するための非振動接触電位差センサを用いることと、接触電位差データを発生し、欠陥または汚染の特徴を示すパターンを特定するためにそのデータを処理することとを含む。
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【課題】 半導体基板の非成膜部分における金属系成膜材料による汚染状態を容易かつ正確に評価し得る方法を提供すること
【解決手段】 汚染評価装置１の真空容器８内において電子銃２から放射される電子線ｅを、電子レンズ３でビーム径を１００μｍ程度に絞って評価試料Ｓ上に真円状に照射する。電子線ｅは必要に応じ走査コイル４で評価試料Ｓの面上を任意の方向、例えば直径方向に走査される。そして、電子線ｅの照射によって評価試料Ｓの非成膜部を汚染している成膜材料の金属成分から発生する固有の特性Ｘ線ｘ の強度をＸ線検出器６で測定する。 （もっと読む）