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Fターム[4M106DD06]の内容

半導体等の試験・測定 (39,904) | ウェーハ・プローバ(接触型検査装置) (3,541) | プローブ (3,210) | 探針 (1,017) | 針圧の検出と調整 (184)

Fターム[4M106DD06]に分類される特許

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【課題】ウエハの位置ずれを防止することが可能な半導体検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハを固定する真空チャックを備えたウエハ保持具3と、上記ウエハ保持具3と対向して配置され、プローブ4が設けられたカード基板2と、上記ウエハ保持具3と上記カード基板2の間に密閉空間を作るために、上記ウエハ保持具3と上記カード基板2の間に上記半導体ウエハ6と上記プローブ4を取り囲むように設けられたスペーサ5と、上記密閉空間を減圧し、上記真空チャックにより上記半導体ウエハ6を吸着するための減圧装置を備えた半導体検査装置であって、上記密閉空間の圧力を、大気圧より低く、かつ、上記真空チャックの圧力よりも高い状態に維持するように減圧装置を制御する制御手段を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程の増大を抑制しつつ、パッドの針跡を容易に確認できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に形成された回路素子と、半導体基板1上に形成され、回路素子と電気的に接続されたパッド(接続パッド4)と、を有している。パッドは、平面視において、導体が存在する実体パターン41と、前記導体が存在しない開口パターン42と、を含む所定のパターン形状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】ワイヤープローブを確実に支持し、その交換、組み立てが容易なプローブカードを提供する。
【解決手段】被検査体の各電極に電気的に接触される複数のワイヤープローブを備えたプローブカードである。前記各ワイヤープローブを支持する支持基板が、記各ワイヤープローブの上部及び下部をそれぞれ位置決めして支持する上部支持穴及び下部支持穴を有する堅牢な支持部材と、記各ワイヤープローブの中間部を支持すると共に、前記各ワイヤープローブの上部を支持する前記上部支持穴と前記各ワイヤープローブの下部を支持する前記下部支持穴とが互いにずれて固定されるときに前記各ワイヤープローブの中間部をすべて一方向に撓ませて支持する、柔軟性があり表面に補強膜を施したシート状支持部材とを備えた。 (もっと読む)


【課題】電気的接続装置の組み立て及び位置調整を容易にして、電気的接続装置を廉価にすることにある。
【解決手段】電気的接続装置は、第1、第2及び第3の板状部材を、第1の板状部材が第2及び第3の板状部材の間になるように重ね合わせ、第2の板状部材を調整装置により第1の板状部材に対し変位させることにより、電気的接続装置に取り付けられる光照射装置を位置決めるべく第2の板状部材に設けられた位置決め穴又は位置決めピンと、第3の板状部材の下側に設けられたプローブ組み立て体の針先位置との相対的な位置合わせをする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の検査特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、(a)基板の上方にアルミニウムを含有する導電性膜(アルミニウム膜10b)を形成する工程と、(b)上記導電性膜をパターニングすることにより配線を形成する工程と、(c)上記配線の上部に第1絶縁膜(第1保護膜)を形成する工程と、を有する。さらに、(d)上記第1絶縁膜をエッチングすることにより、上記配線のパッド領域(Pd)を露出する工程と(e)上記パッド領域(Pd)に、窒素系のプラズマガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、(f)上記(e)工程の後、上記パッド領域(Pd)にプローブ針を当接し、上記パッド領域(Pd)に通電する工程と、を有する。上記(e)工程により、上記パッド領域(Pd)に窒化アルミニウム層(15)が形成され、パッド領域(Pd)とプローブ針(N)との接触抵抗を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】ピン数増加に伴うプローブカードの撓みを解消する。
【解決手段】複数のプローブ針を有し、検査装置のテストヘッドと電気的に接続して該プローブ針を被検査対象に接触させることにより検査を行うプローブカードである。前記プローブ針を前記被検査対象に接触させたときに生じるコンタクト荷重による当該プローブカードの撓みに対し、前記検査装置のテストヘッド側に前記コンタクト荷重に対する反力をとって前記撓みを抑制する補強装置を具備した。また、テストヘッドにプローブカードを取り付け、当該プローブカードに装着された複数のプローブ針を検査対象物に接触させて検査する検査装置であって、この検査装置のプローブカードとして前記プローブカードを用いた。 (もっと読む)


【課題】適正なオーバードライブ量及び安定したプローブマークを得ることができ、汎用性のあるヘッドプレートを使用ことができるプローブカードの平行調整機構を提供する。
【解決手段】本発明のプローブカードの平行調整機構は、ヘッドプレート15を四隅で支持する4箇所の支持柱16のうちの4箇所でヘッドプレート15を昇降させて、プローブカード12とその下方に配置されたウエハチャック11上のウエハWとの平行度を調整する機構であって、4箇所の支持柱16とヘッドプレート15の間に介在する昇降機構17Aを備え、昇降機構17Aは、支持柱16の上面に沿って移動可能に配置された傾斜面を有する移動体17Cと、ヘッドプレート15に連結され且つ移動体17Cの傾斜面に沿って昇降可能に配置された昇降体17Eと、移動体17Cを支持柱16の上面に沿って移動させる駆動機構17Fと、を有する。 (もっと読む)


【課題】プローブ針の先端とウエハの電極パッドを接触させる際の相対速度の低いプローブ装置を提供する。
【解決手段】ウエハに形成された半導体素子領域における電気的な特性の試験を行うプローブ装置において、前記ウエハが設置されるウエハ駆動ステージと、前記半導体素子領域に形成された電極部と電気的に接続されるプローブ針が複数設けられたプローブカードと、前記プローブカードが設置されるテストヘッドと、を有し、前記テストヘッドは、前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させることができるものであることを特徴とするプローブ装置により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の電極パッドに精度良く接触でき、かつ、半導体装置に損傷を与え難い半導体検査装置を提供すること。
【解決手段】本半導体検査装置は、検査対象物である半導体装置を検査するための電気信号を入出力する半導体検査装置であって、第1基板と、弾性変形可能な接合部を介して前記第1基板と接合された第2基板と、を有し、前記第1基板は、前記第2基板側に開口する凹部と、前記凹部の内側面に形成された配線と、該配線と電気的に接続される配線パターンと、前記凹部内に収容され前記配線と接触して導通している導電性ボールと、を備え、前記第2基板は、一方の面に、前記第1基板の前記凹部に対応する位置に形成され、一端が前記導電性ボールと接触して導通する導電性の第1突起部と、他方の面に、前記第1突起部と電気的に接続される導電性の第2突起部と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップに形成された複数の電極パッドに確実に接触させることが可能なプローブカードを提供すること。
【解決手段】プローブカード40には、基板本体41の上面と下面との間を貫通する弾性体44が設けられている。基板本体41には、基板本体41の下面には複数の配線45が形成されている。配線45の第2端部は、弾性体44の下面に配置されている。そして、配線45の第2端部下面には、検査対象物10の電極パッド11と対応する位置に、その電極パッド11と電気的に接続される接触用バンプ46が形成されている。 (もっと読む)


【課題】プローブ先端の高さ方向および平面方向に関して高精度に位置決め可能なプローブカードの製造方法およびプローブカードを提供する。
【解決手段】プローブが配置された複数のプローブ基板をプローブカードの第1の基板上に固定する工程を含むプローブカードの製造方法であって、前記複数のプローブ基板に配置されたプローブの先端の高さ方向の位置を揃えた状態で、前記複数のプローブ基板を配置する工程と、前記複数のプローブ基板のプローブが配置されていない方の面に、弾性変形し得るスペーサを配置し、固定用樹脂を塗布する工程と、前記弾性変形し得るスペーサが配置され前記固定用樹脂が塗布された前記複数のプローブ基板の面側に前記第1の基板を載せて加圧し、前記弾性変形し得るスペーサを変形させた状態で前記複数のプローブ基板を前記第1の基板に固定する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】 プローブヘッドにスペーサを備えることと相俟って、プローブヘッドに倣って自律的に平行度を調整する機能を有するアダプタブルチャックトップおよびその周辺構造を提供する。
【解決手段】 複数のプローブ針を介して半導体デバイスの特性を測定するウエハプローバ50において、プローブヘッドの半導体デバイス側に少なくとも4個のスペーサ5bを設け、ウエハを載置する上面を有するアダプタ上部7aと、アダプタ下部7bの下面に接触してアダプタ下部を載置するステージ7cとを備え、互いに対面するアダプタ上部とアダプタ下部のいずれか一方に凹部が設けられており、バネ22を内蔵する空間7aaが凹部によって形成され、バネの付勢力によってアダプタ上部とアダプタ下部とが互いに離れたり接近したりするように移動可能に挿設される、ヒートチャックを装備したアダプタブルチャックトップおよびその周辺構造。 (もっと読む)


【課題】接触抵抗が同じ条件でテストを行うことができる、半導体検査装置、及び半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】検査対象ウエハを載置する、ステージと、前記検査対象ウエハに形成された電極と接触するプローブ、を有するプローブカードと、前記プローブカードと前記検査対象ウエハとの間の距離を調節する、距離調節機構と、制御装置とを具備する。前記制御装置は、前記プローブカードを介して前記電極と前記プローブとの間の接触抵抗を測定し、接触抵抗データを生成する接触抵抗測定部と、前記接触抵抗データに基づいて、前記接触抵抗が所望の値になるように、前記距離調節機構のオーバードライブ量を決定する、オーバードライブ量決定部とを備える。 (もっと読む)


【課題】プローブ検査時において、チップ内に形成された回路を破壊することなく探針(プローブ)をテストパッドに接触させる。
【解決手段】プローブ検査時において、チップ内に形成された回路を破壊することなく探針をテストパッドに接触させるために、ナット11、13およびボルト16Cによる固定によって、加重治具14、押圧具9、エラストマ9A、接着リング6およびプランジャ3を一体とし、ばね押さえ治具18と加重治具14との間に設置されたばね19の弾性力がこれら一体となった部材をパッドPD3、PD4に向かって押し下げるように作用するようにし、プランジャ3内のばね3Aから薄膜シート2へ伝わる押圧力は、薄膜シート2の引き伸ばしのみに用いられるようにする。 (もっと読む)


【課題】評価時間の増大やプローブ装置への負担の増加を抑制しつつ、基板外周チップのプローブ検査を行えるようにする技術の提供。
【解決手段】複数の半導体装置が主面上に搭載された基板11の周囲を取り囲むようにリング61を配置する。基板11の周縁部に位置する一群の半導体装置の電気的特性を同時に測定する際には、複数のコンタクトピン31〜60のうち基板11の外側の領域と対向するコンタクトピンをリング61の上面に接触させる。 (もっと読む)


【課題】第1端子および第2端子の表面の汚れおよび酸化膜等を確実に除去して、低い抵抗率で接続する。
【解決手段】第1端子および第2端子を電気的に接続する接続装置であって、前記第1端子および前記第2端子の間に導電性の複数の磁性粒子を保持する保持部と、前記第1端子および前記第2端子の間に振動する磁界を与えて、前記第1端子および前記第2端子の少なくとも一方を前記複数の磁性粒子により研磨させる磁界発生部と、を備える接続装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】ウエハーレベルCSPの半導体検査装置に関して、個片チップとウエハー状態の半導体チップの電気的特性試験において、同一のプローブカードとパフォーマンスボードが使用できる測定装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路チップの電気的特性を測定するためのウエハーステージを有したプローバーと、電気的信号を発生し半導体集積回路チップの電気的特性を判断する、テストヘッドを有したテスター部と、テストヘッドとポゴピンリングとを電気的に接続するためのパフォーマンスボードと、ポゴピンリングとプローブカードとを電気的に接続するポゴピンと、テスター部で発生させた電気的信号を伝達するプローブカードと、プローブカードに取り付けできる、半導体集積回路チップの電気的特性を同時に測定するためのプローブカードと半導体集積回路チップとを電気的に接続するプローブピンを有するユニット部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】コンタクトパラメータを視覚的に確認しながら設定して半導体ウエハのデバイスとプローブの接触工程全体をシミュレーションすることができるコンタクトパラメータの設定方法を提供する。
【解決手段】コンタクトパラメータの設定方法は、時間軸と高さ軸とからなる座標図1を用意する工程と、座標図1上で、半導体ウエハの各電極パッドと複数のプローブが電気的に離接する間の半導体ウエハの複数の昇降位置とこれらの昇降位置までにそれぞれ要する半導体ウエハの昇降時間をそれぞれ指定し、複数の指定点Pを直線で結んで折れ線グラフとして表示することにより半導体ウエハのコンタクトパラメータを設定する第2の工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】デバイスの電極パッドに付いた痕跡をプローブの針跡としてより正確に判定し、プローブの針跡としての誤判定を格段に軽減することができる針跡の判定方法を提供する。
【解決手段】本発明の針跡の判定方法は、複数のデバイスDの複数の電極パッドPに付いた痕跡に、プローブの針跡としての良否を判定するためのスコアを付与し、このスコアに基づいて不明確な痕跡が付いた対象電極パッド2Pを含む対象デバイスDを選択する工程と、対象デバイスDの検査方向の前後に時間的に連続してある4個の対照デバイスDbと9個の対照デバイスDaを選択し、これらの対照デバイスDb、Daの対象電極パッドDに対応する対照電極パッドPに付いた痕跡2Pに付与されたスコアと対象デバイスDの不明確な痕跡2Pに付与されたスコアとの加算値と所定の基準値を比較して対象デバイスDの不明確な痕跡2Pのプローブの針跡としての良否を判定する工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置の試験測定方法及び半導体装置の試験測定装置に関し、実際の試験測定に先立ってプローブ針とパッドとの接触状態を確認して、プローブ針の先端部の溶断や破損を防止する。
【解決手段】 測定装置側から複数のプローブカード針の半導体装置のパッドに対する接触状態を確認する入力電圧を印加するステップと、前記入力電圧に対する前記半導体装置のパッドからの出力電圧を前記半導体装置内に設けた電圧検出手段で検出して前記接触状態を判定するステップとを設ける。 (もっと読む)


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