説明

Fターム[4M109EB16]の内容

Fターム[4M109EB16]に分類される特許

121 - 137 / 137


【課題】フリップチップ実装用のアンダーフィル材として好適な充填性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれにより封止されたボイド等の成形不良が良好なフリップチップ実装型の半導体装置を提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤及び(C)無機充填剤を少なくとも含む封止用エポキシ樹脂成形材料であって、無機充填剤(C)は、平均粒径が12μm以下で、且つ比表面積が3.0m/g以上であり、さらに無機充填剤(C)は、粒子径12μm以下が50wt.%以上、粒子径24μm以下が70wt.%以上、粒子径32μm以下が80wt.%以上、粒子径48μm以下が90wt.%以上の条件のうち少なくとも1つの条件を満たし、フリップチップ実装用アンダーフィル材に用いられる封止用固形エポキシ樹脂成形材料。 (もっと読む)


【課題】 金線変形が発生し難く、流動性、成形性、硬化性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び耐半田性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、硬化促進剤(C)、及び無機充填材(D)を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記無機充填材(D)が平均粒径10μm以上40μm以下、比表面積1m/g以上3.5m/g以下の球状溶融シリカ(d1)を含むものであり、かつ該球状溶融シリカ(d1)が平均粒径20μm以上60μm以下、比表面積0.1m/g以上0.5m/g以下の球状溶融シリカ(d11)と、平均粒径0.1μm以上10μm以下、比表面積1m/g以上50m/g以下の球状溶融シリカ(d12)とを含んでなるものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】 金線変形が発生し難く、流動性、成形性、硬化性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び耐半田性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、硬化促進剤(C)、及び無機充填材(D)を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記硬化促進剤(C)が一般式(1)で表されるホスホベタイン化合物(c1)を含むものであり、前記無機充填材(D)が平均粒径10μm以上40μm以下、比表面積1.0m/g以上3.5m/g以下の球状溶融シリカ(d1)を含むものであり、かつ該球状溶融シリカ(d1)が平均粒径20μm以上60μm以下、比表面積0.1m/g以上0.5m/g以下の球状溶融シリカ(d11)と、平均粒径0.1μm以上10μm以下、比表面積1m/g以上50m/g以下の球状溶融シリカ(d12)とを含んでなるものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】 電磁波障害による半導体素子の誤作動を引き起こさないためのノイズ対策を低コスト、省スペースで実現することができ、かつ従来技術では達成できなかった高い耐湿信頼性をも示す半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール系樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)フェライトを主成分として含むエポキシ樹脂組成物において、前記(D)フェライトがFe23、Y23、SiO2を必須成分として含むフェライト又はFe23、Y23、SiO2を必須成分として含む混合物より得られるフェライトであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】 小さな間隙にも確実に充填可能で空隙のない樹脂モールド部を形成可能な樹脂組成物及びこの樹脂組成物を用いることによって放熱性や電気的絶縁性等を維持しつつ物理量センサチップを確実に保護できる物理量センサを提供する。
【解決手段】 混入されるフィラーが球状とされ、その最大粒径が30〜50μmで、平均粒径が10〜30μmである樹脂組成物2を用いて、物理量センサ1の少なくとも傾斜したステージ部6、7および物理量センサチップ2、3と、リード5bとを一体化するための樹脂モールド部11を形成する。 (もっと読む)


【課題】小型化・高集積化された超薄型のFeRAMの半導体チップについて、強誘電体キャパシタの特性劣化を抑止した、薄型パッケージ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】フィラー含有率が90重量%〜93重量%の範囲内の値とされた封止樹脂115を用いて半導体チップ111をモールディングし、パッケージ構造を作製する。 (もっと読む)


耐湿性に優れ、かつ樹脂への充填材として用いるとき、充填性及び流動性に優れた球状被覆酸化マグネシウム粉末として、複酸化物により被覆され、かつ、平均形状係数が1.25以下であることを特徴とする球状被覆酸化マグネシウム粉末が提供される。 また、酸化マグネシウム粉末の表面に、複酸化物を形成する元素の化合物を存在させたのち、高温で溶融させることにより、前記マグネシウム粉末表面を複酸化物で被覆すると共に球状化する、球状被覆酸化マグネシウム粉末の製造方法が提供される。 さらに、この球状被覆酸化マグネシウム粉末を含む樹脂組成物及びその樹脂組成物を用いた電子デバイスが提供される。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージなどに用いられる樹脂組成物に好適な球状シリカ粒子の提供。
【解決手段】周期表の13族元素から選択される一種以上の添加元素を質量基準で150ppm以上、10%以下含有し、真球度が0.8以上であることを特徴とする。本発明の球状シリカ粒子は、従来、不純物として考えられていた13族元素が発現する機能を効果的に利用しており、樹脂組成物に適用した場合に硬化剤を減少できるという効果のほかに、球状シリカ粒子を製造する際の13族元素に対する不純物管理を低減できる点からも優れている。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージなどに用いられる樹脂組成物に好適な球状シリカ粒子の提供。
【解決手段】一般的に球状シリカ粒子中において、不純物と認識され、できる限り除去することが好ましいと考えられていた、アルミニウム元素などの13族元素が樹脂組成物中において粘度を低下させる作用を発揮するばかりか、半導体パッケージにおける封止材に適用した場合でもこれといった悪影響の発現もない。本発明の球状シリカ粒子は、ウラン元素を質量基準で0.5ppb以下、周期表の13族元素から選択される一種以上の添加元素を質量基準で40ppm以上、410ppm未満含有し、真球度が0.8以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 信頼性および光透過性に優れた光半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 光半導体チップ2を封止するモールド樹脂部7は、シリカガラスからなる透明フィラ4を含有するフェノール系硬化樹脂5を含んでいる。上記透明フィラ4と上記フェノール系硬化樹脂5との屈折率の差は少ないので、上記モールド樹脂部7の光透過率の低減を防止できる。また、上記透明フィラ4を含有するので、上記モールド樹脂部7の線膨張係数を低減できて、ワイヤの断線やパッケージクラックの発生を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 流動性、成形性、電気的特性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、平均粒径が5μm以上、50μm以下である球状溶融シリカ及び平均粒径が0.5μm以上、5μm以下、比表面積が1m2/g以上、10m2/g以下であり、金属シリコン含有量が0.01重量%未満である球状溶融シリカを必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びにそれらを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】光透過率および低応力性、さらに高強度に優れた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の(A)〜(C)成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物であって、光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物中の上記(C)成分以外の成分を硬化してなる硬化体の屈折率(n1)と、上記(C)成分の屈折率(n2)との関係が下記の式(1)を満足する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)下記の特性(c)を備えた球状無機酸化物複合粒子。
(c)120℃×24時間の熱水抽出条件にて抽出されるホウ素イオンの含有量が60ppm以下。
【数1】
(もっと読む)


【課題】ズリ速度依存性の少ない(チクソトロピー性の小さい)流動特性を有し、しかも低温硬化可能で、さらに、一度、アンダーフィルした後の電気的接続に不具合のある電子部品装置であっても、残渣除去が可能でありリペアー容易性に優れ、しかも長時間の可使時間性にも優れた低粘度一液無溶剤組成であり、そして接続された実装構造である電子部品装置が高信頼性である液状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子に設けられた接続用電極部と回路基板に設けられた接続用電極部を対向させた状態で上記回路基板上に半導体素子が搭載されている電子部品装置の上記回路基板と半導体素子との空隙を樹脂封止するための液状エポキシ樹脂組成物である。そして、上記液状エポキシ樹脂組成物が、下記の(A)および(B)成分とともに下記の(D)〜(E)成分を含有するものである。
(A)液状エポキシ樹脂。
(B)液状フェノール樹脂。
(C)固体分散型アミンアダクト系硬化促進剤粉末粒子。
(D)アミン系シランカップリング剤。
(E)無機質充填剤。 (もっと読む)


【課題】 硬化途上で接触する基材に十分に密着し、長期間経過後も該基材から界面剥離する硬化物を形成する室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および長期間経過後も、電気回路または電極から前記硬化物を除去でき、補修やリサイクルが可能な電気・電子機器を提供する。
【解決手段】 (A)分子鎖中のケイ素原子に結合したトリアルコキシシリル含有基を一分子中に2個有するオルガノポリシロキサン、(B)アルコキシシランまたはその部分加水分解縮合物、(C)平均粒径0.1〜20μmの球状シリカ微粉末、および(D)縮合反応用触媒からなる室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および電気・電子機器中の電気回路または電極が前記組成物により形成された硬化物によりシールまたはコーティングされている電気・電子機器。 (もっと読む)


【解決手段】 (a)液状エポキシ樹脂、(b)無機充填剤、(c)硬化剤、(d)硬化促進剤を含有してなるエポキシ樹脂組成物において、無機充填剤として、粒子径10μm以上の粒子の含有率が5,000ppm以下、かつ平均粒子径が1〜5μmであり、0.2μm以下の粒子の割合が0.2〜20質量%である高流動性球状シリカ粉末粒子を使用すると共に、このシリカ粉末粒子のエポキシ樹脂組成物中の含有率が60〜85質量%であることを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【効果】 本発明の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物は、本発明による高流動性の球状シリカ粉末粒子を用いることで、FC実装における封止時間の短縮が期待でき、またシリカ含有率を高く設定することも可能なため、この封止材を用いた半導体装置は非常に信頼性の高いものである。 (もっと読む)


【課題】 多量の無機充填剤を配合しても低粘度化が図れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 (a)エポキシ樹脂
(b)平均粒子径が1〜5μmであり、粒子径10μm以上の粒子の割合が5,000ppm以下、かつ粒子径0.3μm以下の粒子の割合が0.5〜20質量%である高流動性球状シリカ粉末
(c)硬化剤
を含有し、上記(b)成分の配合量が組成物全体の60〜85質量%であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【解決手段】 (A)液状エポキシ樹脂、(B)式(1)の化合物を5質量%以上含有する芳香族アミン系硬化剤、(C)無機充填剤を含有する組成物において、無機充填剤として、粒子径10μm以上の粒子の含有率が5,000ppm以下、かつ平均粒子径が1〜5μmであり、0.2μm以下の粒子の割合が0.2〜20質量%である高流動性球状シリカ粉末粒子を使用すると共に、このシリカ粉末粒子の組成物中の含有率が60〜85質量%である半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【化1】


(R1〜R3は一価炭化水素基、CH3S−又はC25S−)
【効果】 本発明の組成物は、粘度が低く、作業性に優れ、シリコンチップの表面との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリフロー温度が上昇しても不良が発生せず、更に高温多湿の条件下でも劣化せず、温度サイクルにおいても剥離、クラックが起こらない半導体装置を提供できる。 (もっと読む)


121 - 137 / 137