【課題】ＳｉＣを材料とする半導体素子に適した構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２は、ＳｉＣを材料とする半導体素子２０と、半導体素子２０の外周を被覆する第１モールド樹脂５０と、第１モールド樹脂５０よりも耐熱性が低く、第１モールド樹脂５０の外周を被覆する第２モールド樹脂７０と、第２モールド樹脂７０内に配置される温度センサ６０と、を備える。温度センサ６０は、第２モールド樹脂７０内であって、第１モールド樹脂５０と接する位置に配置され、半導体素子２０の表面と対向している。 （もっと読む）

【課題】基板（Ｋ）等と半導体素子（Ｓ）の金属層とが多孔質状金属層により接合されためっきやスパッタよりも接合強度にすぐれ信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）と、半導体素子（Ｓ）の金属層とが、多孔質状金属層（Ｃ）を介して接合され、該半導体素子（Ｓ）と他の電極端子（Ｔ）間とが金属製ワイヤで接続され、かつ前記パッド部（Ｐ）、多孔質状金属層（Ｃ）、半導体素子（Ｓ）、被覆樹脂部（Ｉ）、及び半導体素子（Ｓ）と電極端子（Ｔ）間を接続する金属製ワイヤが封止樹脂（Ｈ）で封止されている半導体装置であって、
前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側面の少なくとも一部、及び／又は半導体素子（Ｓ）の外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部（Ｉ）が配置され、かつ、前記被覆樹脂部（Ｉ）と前記封止樹脂（Ｈ）との間に界面が存在している
ことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内の層間剥離およびクラックの発生を抑制するために、コーティング膜の回路構成部品に対する接着強度を向上させる。
【解決手段】回路構成部品（２０）を、モールド樹脂（４０）で一体的に封止してなるパッケージの製造方法であって、回路構成部品（２０）の表面のうち、モールド樹脂（４０）と対向する部分の少なくとも一部に、モールド樹脂（４０）との剥離を抑制するためのコーティング膜（３０）を被覆形成するコーティング工程と、モールド樹脂（４０）を成形して、コーティング膜（３０）で被覆された回路構成部品（２０）を一体的に封止するモールド工程と、を備え、コーディング工程では、コーティング膜（３０）を形成するコーティング材料（３１）を、回路構成部品（２０）の表面に堆積させる前にプラズマ（３３）に曝露させ、活性な状態で回路構成部品（２０）の表面に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】長時間の通電においても光度低下が非常に小さい光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体素子４の周囲が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、ポリカーボネートポリオール（Ｃ）と、アクリルブロック共重合体（Ｄ）と、硬化剤（Ｅ）と、硬化促進剤（Ｆ）とを含む第１の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物６により封止され、且つ前記硬化物６の周囲が、分子内に複数のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ｇ）と、脂環式ポリエステル樹脂（Ｈ）と、硬化剤（Ｉ）と、硬化促進剤（Ｊ）とを含む第２の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物７により封止されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い透明性、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性を兼ね備えた硬化物を得ることができる硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、下記式（１）
【化１】


［式中、Ｒ¹及びＲ²は水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を示す］
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、分子内に２以上のエポキシ基を有するシロキサン誘導体（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）とを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】機能素子が保護基板により封止されたパッケージを簡便に製造することができ、かつ接合状態の信頼性が高い半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体パッケージ１は、機能素子１２が一方の面に配された半導体基板１１と、該一方の面上に接着層１４を介して接合された保護基板１６とを少なくとも備える半導体パッケージであって、前記接着層１４は、前記機能素子１２と重ならない領域αに複数の第一空間１３ａ（１３）を有し、該第一空間１３は互いに独立して、かつ、外部空間から孤立していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造の際の工程数の増加を抑制しつつ、半導体ウエハが有する低誘電材料層のクラックを防止することを可能とする保護層形成用フィルムを提供すること。
【解決手段】 低誘電材料層が形成されているバンプ付きウエハに保護層を形成するための保護層形成用フィルムであって、支持基材と粘着剤層と熱硬化性樹脂層とがこの順で積層されており、熱硬化性樹脂層の溶融粘度が、１×１０^２Ｐａ・Ｓ以上２×１０^４Ｐａ・Ｓ未満となり、且つ、粘着剤層のせん断弾性率が、１×１０^３Ｐａ以上２×１０^６Ｐａ以下となる温度が５０〜１２０℃の温度範囲内に存在する保護層形成用フィルム。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体モジュールを樹脂封止する過程、ヒートシンクにハンダ接合する過程などで電力用半導体素子に大きな熱応力が生じると電力用半導体素子が割れてしまい、電気特性が異常となり、出荷不適合となるという問題があることから、電力用半導体素子の熱応力の低減が必要である。
【解決手段】導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子にヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであって、電力用半導体素子の側面領域を、保護樹脂で覆い、電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したものである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、接合材のクラックや配線の劣化による動作不良を起こし難い信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上１に設けられた電極パターン２上面に接合材７，７０を介して半導体素子５，６が固着された半導体素子基板４を金属のベース板１０上に配置し、少なくとも絶縁基板および半導体素子を封止樹脂１２により被覆した半導体装置において、半導体素子の電極パターンに接合された面とは逆の面の一部と接触するように、封止樹脂よりも線膨張率が大きい膨張押圧部材９を封止樹脂で被覆されるように設けた。 （もっと読む）

【課題】封止用の樹脂材料と基板表面との親和性や密着性の不足に起因する、発光効率のバラツキや、樹脂硬化物層の剥離等の問題が解消されたＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】基板１４０上にＬＥＤチップ１１０を実装し、更に蛍光体１５０を含有する樹脂材料１６０で封止するＬＥＤパッケージにおいて、前記基板の前記樹脂材料と接触する表面に、アルコキシル基、エポキシ基、フェニル基、アルキル基、および（メタ）アクリル基からなる群から選択される少なくとも一種類以上の官能基を含む層を予め設ける。 （もっと読む）

【課題】配置板の主面に固定された半導体チップと接続端子とをワイヤで電気接続した上で、配置板の主面、半導体チップ及びワイヤを樹脂封止してなる半導体装置において、その安全性を確保しながらも、半導体チップと配置板とを接合する接合剤にクラックが発生することを抑制し、信頼性向上を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】配置板１２の主面１２ａ、半導体チップ１３及びワイヤ１５を封止する硬質樹脂層２１と、流動性を有すると共に硬質樹脂層２１よりも柔らかい軟質樹脂層２２とを、配置板１２の主面１２ａに順次積層し、硬質樹脂層２１内に位置するワイヤ１５から軟質樹脂層２２までの距離を、ワイヤ１５の断線時に発生するエネルギーに基づいて硬質樹脂層２１に生じる亀裂が軟質樹脂層２２まで到達するように設定する。 （もっと読む）

【課題】フェースダウン方式で実装される半導体チップの裏面を保護する機能に加え、樹脂封止後のウエハの反りを矯正してウエハレベルでの半導体装置の反りを低減可能なチップ保護用フィルムを提供する。
【解決手段】チップ保護用フィルム１０は、ＷＬ−ＣＳＰ技術を用いた樹脂封止型半導体装置に用いられるチップ保護用フィルム１０であって、（Ａ）バインダーポリマー成分、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）エポキシ樹脂の硬化剤、（Ｄ）シリカ、及び（Ｅ）染料及び／又は顔料を必須成分として含有し、（Ｄ）シリカの含有量が全体の５０〜８０質量％であり、且つ、（Ａ）バインダーポリマー成分と（Ｂ）エポキシ樹脂の質量比〔（Ｂ）／（Ａ）〕が４〜７の範囲である硬化性保護膜形成層１２を有する。 （もっと読む）

【課題】封止膜の収縮応力による半導体ウエハの反りを低減する。
【解決手段】複数の接続パッド３および開口部４ａを有する絶縁膜４が形成された半導体ウエハ１を準備し、絶縁膜４の開口部４ａを介して接続パッド３に接続された複数の外部接続用電極２０を形成する。半導体ウエハ１上における外部接続用電極２０の間に、未硬化の有機樹脂１７中に、予め硬化された樹脂粉末（微小体）１８が分散された封止膜１６を形成する。このように、半導体ウエハ１上の封止膜（有機樹脂層）１６は、予め硬化された樹脂粉末（微小体）１８を含んでいるので、熱硬化時の収縮を抑制でき、従って半導体ウエハの反りを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法を用いて形成される外部端子を有する半導体装置の製造において、半導体チップの裏面から絶縁性樹脂層が剥がれ難くすることのできる技術を提供する。
【解決手段】母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡにスプレー法または塗布法により０．１〜１μｍの厚さの剥離層１１を形成し、この剥離層１１を介して、裏面に硬化した第１樹脂シート３および完全に硬化していない第２樹脂シート６が貼り付けられた半導体チップ７を、半導体チップ７の裏面と母基板８の上面とが対向するように、母基板８の上面のチップ搭載領域ＤＩＡに半導体チップ７を接着する。 （もっと読む）

【課題】簡便な設備にて確実に電子部品をシールドすることができるとともに、シールドに用いる導電性樹脂の塗布量を削減することにより製造コストを低減することが可能な電子部品モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電子部品により複数の電子部品モジュールが形成された集合基板１０を絶縁樹脂１４にて一括封止し、電子部品モジュールの境界部分にて、封止した絶縁樹脂１４の天面から、集合基板１０の内部まで切り込み部を形成する。天面及び切り込み部の開口側を覆うように導電性樹脂１８を塗布するとともに、集合基板１０の周縁部まで導電性樹脂１８を連続して塗布することで切り込み部内部の空間を密閉した後、集合基板１０に対し等方圧プレスで圧力及び熱を加えて導電性樹脂１８を硬化させた後、集合基板１０を分断して電子部品モジュールに個片化する。 （もっと読む）

【課題】枠材とその周囲の樹脂層との境界部に生じる応力に起因して、枠材の開口形状が歪んでしまうことを、抑制する。
【解決手段】電子装置１０８は、本体部１０１と、本体部１０１の上面に露出するように設けられた機能部（例えば、受光部１０１ｂ）と、を有する素子（例えば、受光素子１００）を有する。電子装置１０８は、更に、機能部の上面が露出するように本体部１０１上に立設されて機能部を２重以上に囲む枠材１０２と、最外周の枠材（例えば、第２枠材１０２ｂ）の周囲を埋める樹脂層（封止樹脂層１０６）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】モールド材料の吸湿や乾燥の結果生じる半導体素子及び半導体ＩＣの特性変動及び特性バラツキを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】モールド材料１０３によって樹脂封止される半導体素子１０４の少なくとも一部を覆う保護膜１０１の材料を、モールド材料１０３の応力を相殺する材料に特定した半導体装置１及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】不具合が発生することなく、半導体チップの周囲及び背面側を樹脂基板で封止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１０に、接続電極２０ａを支持体１０側に向けて半導体チップ２０を仮固定する工程と、支持体１０及び半導体チップ２０の上に、半導体チップ２０を被覆する樹脂染込防止用絶縁層３０を形成する工程と、樹脂染込防止用絶縁層３０の上に、半導体チップ２０の周囲及び背面側を封止する樹脂基板５０を形成する工程と、支持体１０を除去することにより、半導体チップ２０の接続電極２０ａを露出させる工程とを含む。半導体チップ２０の接続電極２０ａにビルドアップ配線ＢＷが直接接続される。 （もっと読む）

【課題】湿度センサ以外を確実に封止でき、高信頼性かつ低背化を実現可能な湿度センサパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】湿度センサを形成したセンサチップ基板と湿度センサの出力変化を検出するＩＣ基板とを同一の支持基板に接着固定してなる湿度センサパッケージにおいて、湿度センサを露出させた状態でセンサチップ基板及びＩＣ基板を封止樹脂で覆い、かつ、該封止樹脂表面とセンサチップ基板の湿度センサ形成面とを同一高さ位置にした。 （もっと読む）

【課題】２種の絶縁封止材を用いる場合に、境界領域に絶縁破壊が生じるおそれがない絶縁封止電子部品を提供する。
【解決手段】絶縁封止電子部品１００は、第１の端子リード１１と第２の端子リード１２を有する電子部品１と、電子部品１を収納するケース２と、電子部品１を埋め込む絶縁性の第１の絶縁封止材３と、電子部品１が埋め込まれた第１の絶縁封止材３をケース２と協働して封じ込める絶縁性の第２の絶縁封止材４と、第１の絶縁封止材３に埋め込まれた導電性の第１のシールド材５と、第２の絶縁封止材４に埋め込まれ境界領域３０を挟んで第１のシールド材５と対向して配置された導電性の第２のシールド材６とを備え、第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６は電気的に接続され、第１の絶縁封止材３は常温でゲル状又はゴム状の高分子であり、第２の絶縁封止材４は常温より高い温度で硬化する熱硬化性樹脂である。 （もっと読む）