【課題】薄膜メンブレン構造体において、ヒータを含むセンサを搭載する際に、薄膜メンブレンの熱絶縁性をさらに向上させながら、薄膜メンブレンの保持性をさらに向上させることである。
【解決手段】薄膜メンブレン構造体１０は、薄膜メンブレン２０と、薄膜メンブレン２０を保持する保持基板３０とを備える。保持基板３０は、薄膜メンブレン２０の上下面のいずれか一方側の面を保持面として保持面の周縁部を保持する周壁部と、薄膜メンブレン２０の周縁部の内側である内側部の少なくとも１箇所で薄膜メンブレンの保持面を保持する内側保持部と、周壁部と内側保持部とを接続しながら薄膜メンブレンの保持面との間に空隙３１を有する接続部とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対する信号処理回路の専有面積の削減と性能向上を図る。
【解決手段】従来例ではｐ型の半導体基板の主表面側にｎ型の導電型領謔ェ形成され、当該ｎ型導電型領域にピエゾ抵抗素子並びにCMOS集積回路が形成されていた。このため、ｎチャネル型MOS構造の専有面積が増えてしまうという問題や、ｎ型導電型領域にｐウェル領域を形成するとｐウェルの濃度が高くなり過ぎてｎチャネル型MOS構造の性能が低下するといった問題があった。これに対して本実施形態ではｐ型の半導体基板１の主表面側にｐ型導電型領域（ｐウェル領域）２０が形成され、当該ｐウェル領域２０にピエゾ抵抗素子並びにCMOS集積回路が形成されているため、特許文献１の従来例における上記問題を解決し、半導体基板１に対する信号処理回路Ｂの専有面積の削減と性能向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】使用時の電流ばらつきを抑えながら空乏層の接触を防止する素子構造を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の表面（Ｎ型層）にＰ型ドーパントをイオン注入することで、ピエゾ抵抗を形成する。その後、裏面側の支持用基板層のピエゾ抵抗の対向位置をエッチングし、裏面側から全面にＮ型ドーパントをイオン注入し、Ｎ＋層を形成する。表面側のＮ型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけＮ＋層となる。Ｎ＋層が裏面側の空乏層の広がりを抑止するため、基板の比抵抗を高くしてもピエゾ抵抗の空乏層と接触することがない。例えば、基板の比抵抗を１Ω・ｃｍ以上とすれば、ドーパント濃度は１×１０¹⁶個/cm3以下となり、ピエゾ抵抗のドーパント濃度（例えば１×１０¹⁸個/cm3）に対して少なくなり、基板の比抵抗のばらつき（１Ω・ｃｍ〜１０Ω・ｃｍ程度）が、ピエゾ抵抗の抵抗値のばらつきに与える影響は非常に小さくなる。 （もっと読む）

【課題】製造ばらつきの少ない半導体圧力センサを得る。
【解決手段】シリコン基板１０は貫通孔１２を有する。シリコン基板１０上にポリシリコン膜２０が形成されている。ポリシリコン膜２０は、貫通孔１２の上方にダイヤフラム２４を有する。ポリシリコン膜２０上に絶縁膜２２が形成されている。ピエゾ抵抗効果を有するポリシリコンゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が絶縁膜２２上に形成されている。ポリシリコン配線Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４は、ポリシリコンゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をブリッジ状に接続する。ポリシリコンゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ２は、ダイヤフラム２４の中央部に配置され、それぞれ並列接続された複数の抵抗を有し、構造及び向きが同じである。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で低背化可能なフォースセンサ及びその実装方法を得る。
【解決手段】シリコン基板からなる変位部と、シリコン基板表面に位置して外部からの荷重を受ける受圧部と、シリコン基板裏面に配置した複数のピエゾ抵抗素子と、シリコン基板裏面の周縁部に突出形成されて複数のピエゾ抵抗素子と電気的に接続した複数の電気接続部と、この複数の電気接続部とピエゾ抵抗素子の間でシリコン基板裏面に突出形成されて変位部を変位自在に支持する支持部とにより、フォースセンサを構成した。センサ実装時には、圧着により複数の電気接続部を外部実装基板の複数の電極に埋め込ませ、支持部の底面と外部実装基板の表面を接触させる。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサの製造工程における、貫通穴の形成を抑制し、製造歩留まりの向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体圧力センサは、ダイヤフラム部Ｄを備えた半導体基板３と、前記ダイヤフラム部Ｄに印加される圧力を抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗素子（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）と、前記ダイヤフラム部表面及び前記ピエゾ抵抗素子表面を含む前記半導体基板表面を覆うアルカリ耐性を持つ第1の絶縁膜８ａと、前記第１の絶縁膜の上層に形成され、少なくとも前記第1の絶縁膜の表面を覆う導電性薄膜７と、前記導電性薄膜表面を覆うアルカリ耐性を持つ第２の絶縁膜８ｂとを具備している。 （もっと読む）

【課題】基板接合強度及びダイアフラムの耐圧限界を高める半導体圧力センサの製造方法を得る。
【解決手段】先ず、半導体基板に、圧力感応抵抗素子を形成した面とは反対側の面に位置させて、キャビティを形成する。次に、半導体基板のキャビティ側の面に、基板接合時にベース基板との間に隙間を生じさせる溝をダイシングストリートに沿って形成した後、鏡面加工を施す。この鏡面加工により、半導体基板の厚さがキャビティ側端部及び溝側端部よりも該端部の間に位置する中間部で大きくなる、湾曲形状の接合面を形成する。そして、この湾曲形状の接合面を介して半導体基板とベース基板を接合した後、これら基板をチップ単位にダイシングし、個々の半導体圧力センサを得る。 （もっと読む）

【課題】基板接合強度及びダイアフラムの耐圧限界を高める半導体圧力センサの製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板のキャビティ側の面に、縦横２列で隣接する４つのキャビティの中央にそれぞれ位置させて所定深さの内基準穴を形成してから鏡面加工を施すことによって、その表面高さが最大かつ均一となった接合面を形成する。そして、この接合面を介して半導体基板とベース基板を接合し、これら基板をチップ単位にダイシングして個々の半導体圧力センサを得る。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の調整が容易な半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン基板上に所定間隔で形成された配線層と、前記シリコン基板上及び前記両配線層上に形成されたパッシベーション膜と、前記両配線間の前記パッシベーション膜上に形成された抵抗体層と、前記抵抗体層上に形成された、各配線層と抵抗体層とを導通する電極層とを備え、前記抵抗体層上に、前記両電極層間における該抵抗体層の平面的な大きさを決める絶縁バリア層を形成した。 （もっと読む）

【課題】圧力センサにおいて２枚の単結晶シリコン基板を張り合わせたものやＳＯＩ基板を適用せずに、圧力センサにおいて十分な性能（感度等）を確保すると共に、そのコストをより抑制する。
【解決手段】シリコン基板１の一端面側に形成された酸化膜（またはシリコン窒化膜）２表面に対し膜成長によってポリシリコン膜３が形成される。また、ポリシリコン膜３中には、拡散領域５と、その拡散領域５と接触するようにピエゾ抵抗素子７が形成される。そして、前記シリコン基板１他端面側からエッチングされて形成され前記酸化膜におけるピエゾ抵抗素子７の位置に対して、ダイアフラム１０１が形成される。 （もっと読む）

【課題】平面矩形をなすダイヤフラムエッジの各辺上に配置した互いに対向する一対の第１及び第３の感応抵抗素子と互いに対向する一対の第２及び第４の感応抵抗素子によるブリッジ回路のオフセット電圧を調整でき、かつ、該オフセット電圧の温度特性変動を抑える半導体圧力センサ及びその製造方法を得る。
【解決手段】ブリッジ回路内に、第１ないし第４の感応抵抗素子にそれぞれ直列接続した補正抵抗を設け、この補正抵抗の抵抗温度係数を第１及び第３の感応抵抗素子側と第２及び第４の感応抵抗素子側で異ならせた。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ周縁部にフォトレジストを形成することなく半導体ウェハ周縁部の半導体層に不純物イオンが注入されるのを防止し、電解エッチング処理の際に半導体ウェハの表面側と裏面側で電気的に短絡するのを防止する。
【解決手段】半導体ウェハ１の周縁部に、後工程のイオン注入工程でＮ型領域５に注入されるＰ型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜１３を形成する。半導体ウェハ１の主表面上にＰ型不純物イオンの注入領域を画定するためにフォトレジスト１７を形成する。イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。フォトレジスト１７を除去し、半導体ウェハ１の主表面に配線処理を行なった後、半導体ウェハ１のＰ型シリコン基板３に対して電解エッチング処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムの耐圧限界が高い半導体圧力センサを得る。
【解決手段】ＳＯＩ基板１０の第２のシリコン基板１２にキャビティー２０が形成され、第１のシリコン基板１４によってダイアフラム２１が形成され、前記キャビティー２０を形成する第２のシリコン基板１２にベース基板３１が接合される半導体圧力センサであって、前記キャビティー２０を形成する前記第２のシリコン基板１２とベース基板３１との接合界面に、テーパ面１３ｂを形成して隙間を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体センサ装置の小型化を達成すると共に、半導体センサの特性の変動を抑制し、半導体センサチップと集積回路チップとを最短配線で電気的に接続することを可能とする半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体センサ装置１０は、多層配線基板３の内部に集積回路チップ２が埋設され、この集積回路チップは、多層配線基板に設けた開口部３９により外部へ露呈される特定領域αを一面２ａに有する。また、この特定領域内に配される第１配線部２５Ａを介して半導体センサチップ１を電気的に接続し、この半導体センサチップを接続に要する部位により支持する。 （もっと読む）

【課題】洗浄性がよく、高信頼性が得られる圧力センサ用パッケージを得る。
【解決手段】ダイアフラム２１の周辺に複数のパッド２４が設けられた半導体圧力センサチップ１を収容し、封止プレート１１７により半導体圧力センサチップ１に圧力導入空間を形成するパッケージであって、このパッケージは、半導体圧力センサチップ１のパッド２４とワイヤボンディングされる複数のパッド１１３ｂと、前記圧力導入空間において半導体圧力センサチップ１を挟んで対向するパッケージの側壁に設けられた少なくとも一対の圧力導入口１２５を備え、この圧力導入口１２５を、前記封止プレート１１７寄りに、前記パッド２４及びワイヤボンディング１２１を封止する樹脂１２３の間隔Ｗ２以上の幅で形成した。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて信頼性の向上を図ることのできる圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサは、軸線方向に延びる円筒状のハウジングと、ハウジングの先端側に収納される圧力伝達部材と、ハウジングに収納され、圧力伝達部材によって押圧される圧力検出素子と、ハウジングに収納され圧力検出素子を保持する絶縁性材料からなる台座と、ハウジング内に軸線方向に沿って延在し先端が台座と所定間隔を設けて配置された基板と、軸線方向に沿って基板に形成され圧力検出素子と電気的に接続された複数の導体パターンと、基板をハウジングに対して変位可能に保持する弾性部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】水素圧力センサにおいて、その構成部材に水素が浸透することによる検出誤差を低減することを目的とする。
【解決手段】検出基材１０は、筒形状部１６、および筒形状部１６の一端の開口を塞ぐダイアフラム１８を備えて構成される。検出基材１０は、筒形状部１６を周回側壁としダイアフラム１８を底壁とする容器形状をなし、その容器形状の内側壁面が受圧孔２２を形成する。水素圧力センサは、水素配管に設けられた開口に検出基材１０の開口が合致するよう、水素配管に固定される。ダイアフラム１８には、周辺縁面からダイアフラム１８の中心に向かって延伸する複数の壁面方向孔２４が開けられる。ダイアフラム１８のセンサ外側壁面には、接着用ガラス層１２を介して半導体歪みゲージ１４が固定される。 （もっと読む）

【課題】基板のダイシングされる部分にアンダーカットを発生させることなくセンサチップを製造するセンサチップの製造方法を提供する。
【解決手段】センサチップ１００の製造方法は、以下の工程を備えている。第１主表面１ａを有する基板１が準備される。第１主表面１ａ上に第１の膜２ａが形成される。第１の膜２ａ上に第１の膜２ａとは異なる材質からなる絶縁膜３（第１絶縁膜）が形成される。絶縁膜３（第１絶縁膜）上に導電性の抵抗部４が形成される。抵抗部４が形成されていない絶縁膜３（第１絶縁膜）の部分がエッチングされて開口部６が形成され第１の膜２ａが露出される。開口部６から露出された第１の膜２ａがエッチングされて基板１の第１主表面１ａが露出される。開口部６から露出された基板１の部分が切断される。 （もっと読む）

【課題】小型かつ高性能の圧力センサを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ３０は、開口部１ａを有する第１半導体層１と、第１半導体層１上に形成され、ダイアフラム４となる凹部１２を有する第２半導体層３と、を有するセンサチップ１０と、開口部１ａに連通する圧力導入孔１７を有し、センサチップ１０に接合される台座１１と、を備える。第２半導体層３の凹部１２が、第１半導体層１の開口部１ａよりも大きくなっている。第１半導体層１の開口部１ａは、第２半導体層３側の開口径が、台座１１側の開口径よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】シリコンをエッチング液による侵食から保護するとともに、熱変形、剥がれ、シリコンの割れおよび不完全な侵食防止という不良の改善、製造工程の工数低減、作業性の改善およびコスト低減をすることができるシリコンデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子をシリコンの一方の面に形成し、シリコンの他方の面の一部および一方の面を保護膜で覆い、シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法において、保護膜に金属膜を用いてシリコンの他方の面の一部および一方の面を覆う第１工程(Ｓ１２０)と、金属膜を侵食しないエッチング液を用いてシリコンをエッチングする第２工程（Ｓ１３０）と、素子に接続される電極を金属膜から形成する第３工程（Ｓ１４０）とを有することを特徴とするもの。 （もっと読む）