【課題】基板の裏面側からエッチングすることにより、基板裏面における開口面積が基板表面における開口面積よりも小さな空洞を基板に形成することができる音響センサを提供する。
【解決手段】基板４２には、その表面から裏面へ貫通するように空洞４４を設ける。空洞４４の上方において、基板４２の上方には音響振動を感知する薄膜のダイアフラム４３を設ける。空洞４４の少なくとも１つの壁面は、基板４２の表面とその厚み方向中間部との間において、基板４２の表面から前記中間部へ向かうにつれて次第に基板４２の外側へ向かって広がった第１の斜面４７ａと、前記中間部と基板４２の裏面との間において、前記中間部から基板４２の裏面へ向かうにつれて次第に基板４２の内側へ向かって狭まった第２の斜面４７ｂとで構成される。また、空洞４４の裏面開口幅が表面開口幅よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】圧力センサと高精度の力学量センサとが最適にモジュール化されて、各力学量センサの性能がモジュール化に伴い低下することのない安価な力学量センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力を検出する第１力学量センサＲ１の第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量センサＲ２の第２力学量検出部Ｍ２とが、第１の基板１０に変位可能な状態に形成され、第２の基板２０が貼り合わされて第１空間Ｋ１と第２空間Ｋ２が互いに連通せずに形成されてなり、第１の基板１０がＳＯＩ基板からなり、ＳＯＩ層３からなる一部の半導体領域Ｓで第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量検出部Ｍ２がそれぞれ構成されてなり、第２力学量検出部Ｍ２が、第２可動半導体領域Ｓ２ａと第２固定半導体領域Ｓ２ｂの対向する面の静電容量の変化を測定して、第２力学量を検出する力学量センサ装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】圧力センサなどのデバイスの製造工程中に空洞内の上下のシリコン面の固着がない半導体基板およびその製造方法を提供する。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造１０１のダイアフラム１００を有するシリコン基板１およびその製造方法において、ＳＯＮ構造１０１を構成する空洞２内の下側のシリコン面３に凸状の島４を形成する。半導体基板の表面に深さの異なるホール群を形成し、高温アニール処理することにより一つの大きな空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】封止部材の流動によるボンディングワイヤの断線を防止する。
【解決手段】センサチップ２とボンディングワイヤ３５との接合部をゲル状の封止部材３６にて封止する圧力センサにおいて、ダイヤフラム部２１と封止部材３６との間に壁２３を設ける。これによると、封止部材３６が硬化するまでの間、壁２３によりダイヤフラム部２１側への封止部材３６の移動が阻止されるため、ダイヤフラム部２１は封止部材がない状態が維持される。したがって、センサチップ２が受ける差圧が大きくなってダイヤフラム部２１がストッパ１２１に当接する状態になっても、封止部材３６は流動しない。これにより、ボンディングワイヤ３５に負荷がかかることが防止され、ひいてはボンディングワイヤ３５の断線が防止される。 （もっと読む）

【課題】差圧測定器を効率的に校正可能な差圧測定器の校正システムを提供する。
【解決手段】差圧測定器３の校正システム４０であって、圧力発生装置４によって複数の設定値の圧力を加えられた第１の圧力測定器１が検出した圧力の複数の検出値、及び圧力発生装置４によって複数の設定値の圧力を加えられた第２の圧力測定器２が検出した圧力の複数の検出値を収集する収集回路４１と、複数の設定値と、第１の圧力測定器１が検出した複数の検出値と、の差に基づき、第１の圧力測定器１が検出する圧力の検出値の第１の補正式を決定する第１の補正式決定部４５ａと、複数の設定値と、第２の圧力測定器２が検出した複数の検出値と、の差に基づき、第２の圧力測定器２が検出する圧力の検出値の第２の補正式を決定する第２の補正式決定部４５ｂと、を備える、差圧測定器の校正システム。 （もっと読む）

【課題】コストを増大することなく導入管の形状を容易に変更することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】薄膜のダイアフラム部１ａ及び該ダイアフラム部１ａの圧力による撓みを検出する検出素子が形成されたセンサチップ１と、センサチップ１を収納する一面を開口した略箱形のボディ１１並びにボディ１１に取り付けられて被圧力検出流体をボディ１１内部に導入する導入口１２ａを有する導入管１２から成るパッケージ１０とを備え、導入管１２には、その一端部の周方向に沿って外側に向けて突出する鍔部１２ｂが一体に設けられ、該鍔部１２ｂは、円形状に形成され、ボディ１１の上端の外周縁に係止され且つボディ１１の前記開口を塞ぐとともに、封止材６で封止されることでボディ１１に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】スペーサとして従来のビーズを用いた場合と比較して、センサチップの温度特性を改善する。
【解決手段】弾性変形によって熱応力を緩和する高分子接着剤２を介して、センサチップ３が被着体４に接着された力学量センサの製造方法において、被着体４のセンサチップ３との接着予定領域の一部に、接着剤２と同じ材料を硬化させることにより、センサチップ３と被着体４との間隔を保つためのスペーサ１２を形成する。このとき、接着剤２と同じ材料の液滴の状態での塗布と硬化とを複数回繰り返す。そして、スペーサ１２によってセンサチップ３を保持しながら、センサチップ３と被着体４との間の接着剤２を硬化させる。これによると、接着剤２の硬化後においては、スペーサ１２は接着剤２と同じヤング率となるので、温度変化による接着剤の収縮時にセンサチップ３がスペーサから受ける応力を低減でき、センサチップ３の温度特性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】ダイボンド樹脂にビーズを混ぜ込まなくても、ワイヤボンディング強度を向上させることができる、センサ装置を提供すること。
【解決手段】半導体圧力センサ素子１１と、実装基板１２と、半導体圧力センサ１１と実装基板１２との間に挟まれたレジストスペーサ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄとを備え、半導体圧力センサ素子１１と実装基板１２がワイヤボンディングされる、圧力センサ装置であって、レジストスペーサ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、半導体圧力センサ素子１１の取り付け面１１ａ１とダイボンド樹脂１５によって接着される被取り付け面５２ａ１，５２ｂ１，５２ｃ１，５２ｄ１を有し、被取り付け面５２ａ１，５２ｂ１，５２ｃ１，５２ｄ１の総面積が、取り付け面１１ａ１の総面積よりも小さいことを特徴とする、センサ装置。 （もっと読む）

【課題】圧力導入口がフラックスで塞がるのを防ぐことができる、圧力センサ装置及び該装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体圧力センサ素子１１と、半導体圧力センサ素子１１に流体を導く圧力導入口１８の開口部１８Ｂ及びはんだ付け可能な端子１９が設けられた取り付け面１２Ｂを有する実装基板１２とを備える圧力センサ装置であって、開口部１８Ｂと端子１９との間に段部４１が設けられていることを特徴とする、圧力センサ装置。該圧力センサ装置と、開口部１８Ｂに連通する圧力導入口２２が設けられた被取り付け面２１Ａを有し、該圧力センサ装置が端子１９で被取り付け面２１Ａにはんだ付けされた回路基板２１とを備え、開口部１８Ａ及び段部４１が、圧力導入口２２の投影範囲内に位置する、電子機器。 （もっと読む）

【課題】モールド成形時に押型からセンサチップに加わるモーメントを低減できる半導体センサの製造方法を提供する。
【解決手段】２個分のセンサチップがそれらの一端同士でつながり、それらの他端が両端に位置する状態の仮の半導体チップ１００の両端部を樹脂流入用の型２１０、２２０の内部に位置させ、仮の半導体チップ１００の中央部を押型２３０、２４０で上下方向から挟んだ状態として、仮の半導体チップ１００の両端部に対してモールド成形する。その後、仮の半導体チップ１００を２個のセンサチップに分割する。これによると、仮の半導体チップ１００が両持ち状態でマウント部３ｂに支持されているので、センサチップが片持ち状態でマウント部３ｂに支持される場合と比較して、センサチップにかかるモーメントを低減できる。 （もっと読む）

【課題】ガラス台座を設けることなく、センサチップの検出精度が低下することを抑制することができるセンサチップの実装構造およびその実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】センサチップ６０の裏面６１ｂに当該裏面６１ｂに対して交差する方向に突出すると共に凹部６２を取り囲む凸部６４と、裏面６１ｂのうち凸部６４を挟んで凹部６２側と反対側に位置する接合領域とを備え、接合材７０を接着剤７１と、接着剤７１に混入された間隔保持材７２とを有するものとし、被実装部材４０におけるセンサチップ６０の接合領域と対向する領域に塗布領域４１を備え、センサチップ６０と被実装部材４０との間に、センサチップ６０のうち接合領域と被実装部材４０とに接触する間隔保持材７２により、所定の間隔を形成する。 （もっと読む）

【課題】ユーザの押圧操作による押圧力に応じた信号を、精度を向上させて出力することができる入力装置を提供する。
【解決手段】入力装置１１は、車両１の車室内に設けられ、受圧面３４ａに作用する押圧力を検出する圧電素子３３と、車両１の振動強度を検出する振動ピックアップ４と、振動ピックアップ４の検出値に基づいて、車両１の振動が圧電素子３３の検出値に与える影響を減じるように、圧電素子３３の検出値を補正するＤＳＰ５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの破壊耐圧を向上させることのできる半導体圧力センサを得ることを目的とする。
【解決手段】厚さ方向の一面に開口する凹部２が形成された第１半導体基板３と、第１半導体基板３の一面と相対して配置される第２半導体基板４と、第１半導体基板３と第２半導体基板４との間に介装され、凹部２と第２半導体基板４との間を連通する貫通穴５が形成された第１酸化シリコン膜６と、を備え、貫通穴５及び凹部２の開口と相対する側から見て、貫通穴５の縁部の少なくとも一部が、凹部２の開口縁部の内側に位置している。 （もっと読む）

メンブレン（２）はキャリア基板（３）上に配置され、キャリア基板（３）内の開口（３２）上に延在する。圧力センサ（１）は、媒体との直接的な接触からメンブレン（２）を保護するために保護層（４）を有する。保護層（４）は開口（３２）内側の第１領域（２８）および開口（３２）外側の第２領域（２９）におけるメンブレン（２）を被覆する。さらに、保護層（４）がエッチング処理のためのエッチストップを形成する、圧力センサ（１）の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、Ｓｉ基板の開口部のダイヤフラム側壁すべてをその基板面に対して垂直な面とすることにある。
【解決手段】半導体圧力センサは、単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板を裏面側からエッチングすることによって形成されたダイヤフラム及び４面のダイヤフラム側壁と、前記単結晶シリコン基板の表面側に形成されたリード導体及び歪ゲージ抵抗からなるブリッジ回路と、を備え、前記ダイヤフラムは、面方位が（１１０）面であり、かつ、平面形状が平行四辺形であり、前記ダイヤフラム側壁は、４面とも面方位が（１１１）面であり、かつ、２面ずつ互いに平行に向かい合っており、圧力印加に伴う前記ダイヤフラムの撓み量に応じて前記ブリッジ回路の出力値が変動することを利用して、前記ダイヤフラムに印加される被検出対象の圧力を検出する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサーなどの物理量センサー、および、物理量センサーを比較的容易に製造できる物理量センサーの製造方法、および、物理量センサーを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】静電容量型加速度センサー１００は、固定部としての固定枠部１１０と、可動錘部１２０と、固定電極を有する固定電極部（固定腕部）１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動電極を有する少なくとも一つの可動電極部（可動腕部）１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有し、固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）は、第１積層構造体ＡＩＳの側面に形成された、固定電極としての第１側面導体膜ＣＱ１（ＣＱ１ａ，ＣＱ１ｂ）および第１接続電極部Ｌ４（Ｌ４ａ，Ｌ４ｂ）と、を有し、可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）は、第２積層構造体層構造体ＢＩＳの側面に形成された、可動電極としての第２側面導体膜ＣＱ２（ＣＱ２ａ，ＣＱ２ｂ）および第２接続電極部Ｌ５（Ｌ５ａ，Ｌ５ｂ）を有する。 （もっと読む）

感知素子が加圧媒体から電気的及び物理的に隔離されたような圧力センサを提供する。絶対圧力センサは、真空又は零圧力にあって感知素子を包囲する基準空洞を有する。基準空洞は、微細加工ダイヤフラムを有するゲージウエハに、凹みキャップウエハを結合させることにより形成される。感知素子は、ダイヤフラムの第１の側部に配置される。加圧媒体は、感知素子が配置されている第１の側部とは反対側のダイヤフラムの第２の側部に接近する。ゲージウエハの構造的支持及び応力除去のために、スペーサーウエハを使用することができる。一実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、垂直ウエハ貫通導電性ビアが使用される。別の実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、ゲージウエハ上の周辺結合パッドが使用される。 （もっと読む）

【課題】センシング部からの信号を処理する回路部を保護するとともに組付作業性を向上させ得るセンサチップおよびその製造方法並びに圧力センサを提供する。
【解決手段】センシング部４０ａは、基準室用凹部４１ｂおよび歪みゲージ４４を近接させるように第１のシリコン基板４１の一側面４１ａと第２のシリコン基板４２の一側面４２ａとを貼り合わせることで基準室用凹部４１ｂおよび一側面４２ａにより密閉されて形成される圧力基準室４６を備えるとともに、この圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラム４７の変位に応じた信号が歪みゲージ４４から回路部４５に入力されるように構成される。そして、第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂには、回路部４５からの信号を取り出すための貫通電極４８が形成される。 （もっと読む）

本発明は、基板背面からアクセスされる、マイクロメカニカル技術によるメンブラン構造体の特に容易かつ低コストの方法を提案する。この方法はｐ型ドーピングされたＳｉ基板（１）から出発し、以下のプロセスステップを有する：すなわち、基板表面の、連続している少なくとも１つの格子状領域（２）をｎ型ドーピングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）を多孔性にエッチングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）内に空洞（７）を形成するステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）上に、第１の単結晶シリコンエピタキシャル層（８）を成長させるステップ、とを有している。本願発明は次のような特徴を有している。すなわち、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の少なくとも１つの開口部（６）を、開口部が成長する第１のエピタキシャル層（８）によって封鎖されず、空洞（７）へのアクセス開口部（９）を形成するように定め；空洞壁部上に酸化物層（１０）を形成し；空洞（７）への背面アクセス部（１３）を設け、ここで空洞壁部上の酸化物層（１０）を、エッチングストップ層として用い；酸化物層（１０）を空洞（７）の領域内で除去し、空洞（７）上に形成されているメンブラン構造体（１４）への背面アクセス部（１３）を生じさせる、ことを特徴とする。
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【課題】生産性を向上しつつ、圧力検出部を取替え可能な圧力検出機能一体型の燃料噴射装置を提供する。
【解決手段】インジェクタ２は、アクチュエータボデー（インジェクタボデー）１５１とは別体形成されるとともに当該アクチュエータボデー１５１に対して取替え可能に一体的に固定されるとともに、内部にダイアフラム部１８ｎと圧力センサチップ１８ｆなどからなる圧力検出部８０を有するヘッドボデー９０を備える。この場合、インジェクタボデーに固定する前に、ヘッドボデー９０単体で圧力検出部８０の動作チェックを行なうことができる。従って、正常と判断されたものをインジェクタボデーに固定することができるため、インジェクタ２を完成させる前に、圧力検出部８０が原因となるインジェクタ２の歩留まり低下を抑制できる。 （もっと読む）