【課題】異なる厚さを有する少なくとも２つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第１の基板と異なる厚さの第１及び第２の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、ａ）第１の基板の前面を加工して第１の基板よりも薄い第１の厚さの少なくとも１つの第１の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、ｂ）懸架領域下部の第１の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第１の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、ｃ）第１の基板の前面上に犠牲層を形成し、ｄ）第１の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも１つの第２の懸架領域を形成し、第１の懸架領域の停止層に到達させ、ｅ）第１及び第２の懸架領域をリリースする段階を備える。 （もっと読む）

【課題】温度補償型の圧力センサモジュールにおいて、温度測定部および温度補償部を備えた温度補償装置と、圧力検出部を備えた圧力センサ装置とが互いに別々の半導体基板に形成された場合であっても、温度測定部が圧力センサ装置の温度を正確に測定することができ、適切に温度補償された圧力値を出力することが可能な圧力センサモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサモジュールは、圧力を検出する圧力検出部を有する圧力センサ装置と、温度測定部を有し前記温度測定部の出力値に基づいて前記圧力センサ装置の出力値を補償する温度補償装置と、を少なくとも備えてなる圧力センサモジュールであって、前記圧力センサ装置は、前記温度補償装置の前記温度測定部と重なる領域に配置されていること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】流体の大気導入口への干渉を効果的に防止した半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、ケース１０と、ケース１０内に被測定対象の流体を導入する圧力導入口１１と、大気を導入する大気導入口１２と、大気圧に対する流体の圧力を測定するセンサチップ２０と、を備えている。圧力導入口１１及び大気導入口１２は、ケース１０の同一面側に配設されており、圧力導入口１１はケース１０の表面に立設された管状の圧力導入部１０ｂに連通しており、大気導入口１２は圧力導入部１０ｂに並置された管状の大気圧導入部１０ｃおよびケース１０内に連通している。そして、大気圧導入部１０ｃにおける大気導入口１２から離間した位置に複数の凹部１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制することができ、かつ圧力測定精度を向上することができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、主表面１ａに凹部３およびアライメントマーク４を有する第１の基板１と、第１の基板１の主表面１ａ上に形成されており、第１の基板１の凹部３内の空間ＩＳ上を覆うように設けられたダイヤフラム５およびダイヤフラム５上に設けられたゲージ抵抗６を有する第２の基板２とを備えている。アライメントマーク４は第２の基板２から露出するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】表面粗さやゴミがセンサウェハとパッケージウェハとの接合界面に存在しても、気密信頼性の高い気密空間を形成できる力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサウェハ１００にセンシング部１を複数形成するとともに、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の一方のウェハに凹部２を形成する工程と、凹部２の側面に封止用材料３０を配置する工程と、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程と、封止用材料３０を加熱して溶かし、溶けた封止用材料３０をセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面の端部に流動させる工程と、封止用材料３０を硬化させて、接合界面の端部を封止用材料３０で覆う工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 （もっと読む）

【課題】センサチップの一端側をモールド樹脂で封止してモールド樹脂で片持ち支持するようにしたモールドパッケージの製造方法において、モールド樹脂による封止前におけるセンサチップのぐらつきを防止して、工程中のワークの取り扱い性に優れた製造方法を実現する。
【解決手段】センサチップ２０の一端２３側をモールド樹脂５０で封止してモールド樹脂５０で片持ち支持するようにしたモールドパッケージＳ１の製造方法においてリードフレーム３０として、センサチップ２０の他端２４側を支持する支持部３３を有するものを用意し、センサチップ２０の他端２３側を支持部３３で受けて支持するようにし、支持部３３による支持を維持した状態にてモールド樹脂５０による封止を行った後に、リードフレーム３０から支持部３３をカットして、センサチップ２０の他端２４側から支持部３３を除去する。 （もっと読む）

【課題】最適化された感度を有するＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳ圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上で懸架された変形可能な膜４であって、膜の面の１つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜４の変形を検出する手段であって、基板２上に形成される検出手段６と、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達する変形不能なアーム１４とを備え、アーム１４が、膜４の面にほぼ平行な軸線Ｙの周りで回転可能に基板２にヒンジ留めされ、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達するように膜と一体である。 （もっと読む）

【課題】圧力を正確に測定可能な圧力測定器を提供する。
【解決手段】ガラス台座２０１と、ガラス台座１上に配置された半導体台座２と、半導体台座２上に配置された半導体圧力センサ３と、を備え、ガラス台座２０１の高さｈ₁及び半導体台座２の高さｈ₂の和に対する、ガラス台座２０１の高さｈ₁の比が、０．５乃至０．９である、圧力測定器。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な方法で、電子デバイスを構成する部材間の接合強度をより高めることが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体２と、半導体基体２を実装する基体１と、半導体基体２を基体１側に接合する接合部３とを備えた電子デバイス１０の製造方法であって、接合部３がＡｕを含む接合材料からなり、半導体基体２の接合部３側が接合材料を構成する元素以外から構成される母材材料からなり、基体１に設けた接合部３を溶融する温度以上に加熱して液相状態にした接合材料と固相状態の母材材料とを接触させる接触工程と、接触工程後に、Ａｕと母材材料を構成する元素との合金の融点の温度以上に加熱して、半導体基体２を基体１側に接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第１の膜を形成する工程（ａ）と、第１の膜の上方と基板の第１の膜を囲む領域の上方とにまたがる第２の膜を形成する工程（ｂ）と、第２の膜に貫通孔を形成することにより、第１の膜の一部を露出させる工程（ｃ）と、第１の膜をエッチングする工程（ｄ）と、第２の膜の貫通孔を封止する工程（ｅ）と、基板の第１の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第２の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程（ｆ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】特性が安定で、ローコスト化が可能な圧力センサを実現する。
【解決手段】測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、第１の半導体基板の一方の面に形成された半導体歪ゲージと、第１の半導体基板の一方の面に一方の面が接合された第２の半導体基板と、半導体歪ゲージを挟んで第１の半導体基板と第２の半導体基板の一方の面に直交して互いに対向して設けられ半導体歪ゲージを含む測定ダイアフラムを形成する第１，第２の測定室と、第１の半導体基板の他方の面に一面が接して設けられた支持基板と、支持基板の他方の面に低融点ガラスを介して一面が接する金属よりなる支持台と、一端が第１の測定室に連通し一端側が支持基板に設けられ他端側が支持台に設けられた他端が外部に開口する第１の導圧孔と、一端が第２の測定室に連通し一端側が支持基板に設けられ他端側が支持台に設けられた他端が外部に開口する第２の導圧孔とを具備したことを特徴とする圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の面から形成することができる圧力センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ１の製造方法においては、図４Ａ〜Ｃに示すように、ｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃを４方向に等分且つ外側又は内側にずらして配置し、そのｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃの上部に重なるように環状のｎ型半導体拡散層５を形成し、その環状のｎ型半導体拡散層５及びｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃのｎ型半導体拡散層５との重複部分をエッチングして、環状溝４で囲まれたメサ部３及び４個のブロック状のｐ型半導体部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄを半導体基板２の表面側に形成した。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さいばかりでなく効果的に大量生産することができる高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁層１５０によって第２のデバイス層２００から分離された第１のデバイス層１００を備えるデバイスウェーハを備える、環境的影響力を測定するためのデバイスおよび同デバイスを製作する方法が開示される。エッチングされた基板ウェーハ６００に第１のデバイスウェーハが接合されて、懸垂されたダイアフラム５００および突起５５０が作製され、その撓みが、内蔵された検出素子８５０によって測定される。 （もっと読む）

【課題】温度変化率の増大を抑制することができる圧力検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力検出素子の製造方法は、以下の工程を備えている。主表面１ａ側に凹部４を有する第１の基板１に、第１の基板１の凹部４を覆うように主表面１ａ側に積層された第２の基板２が接合される。積層方向から見て第２の基板２の凹部４と重なる部分に、第２の基板２の歪みを検出するための歪検出素子５が形成される。歪検出素子５に接するように電気配線７が形成される。電気配線７が形成された後に、歪検出素子５の電気配線７と接する箇所が還元されるように水素雰囲気で熱処理される。熱処理の終了時における水素分圧は０．４気圧以下である。 （もっと読む）

【課題】この発明は、段差などを設けて勘合部保護を行い、気密封止性能が得られるセンサー素子を提供するものである。
【解決手段】主面上にダイヤフラムが構成される第１の基材と、前記第１の基材の反ダイヤフラム面側に配設される第２の基材と、前記第１の基材の前記ダイヤフラム直下に設けられるキャビティと、前記キャビティを気密封止するため前記第１の基材と前記第２の基材との接合位置に設けられる勘合部と、前記勘合部に設けられ、前記第１の基材と前記第２の基材との勘合状態を保護する段差部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】圧力測定器を効率的に製造可能な圧力測定器の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔１１、２１が設けられた台座基板１０１、１０２を用意することと、貫通孔１１、２１を挟むようにして、少なくとも二つの切り込み溝１１１を、台座基板１０１、１０２の底面に、第１の刃を用いて形成することと、台座基板１０１、１０２の上面に、ダイアフラム３０を備えるセンサウェハ１０３を、ダイアフラム３０が貫通孔１１、２１を覆うように接合することと、接合されたセンサウェハ１０３及び台座基板１０１、１０２を、台座基板１０１、１０２の少なくとも二つの切り込み溝１１１の上方から、第１の刃より薄い第２の刃を用いて、切断することと、を含む、圧力測定器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 センサデバイスに関する装置及び関連する作成方法が提供される。
【解決手段】 センサデバイスは、第１部分に形成された検出装置を有する第１部分及び第２構造を含むセンサ構造を含む。封止構造は、前記センサ構造と前記第２構造との間に挿入され、ここで、封止構造は、センサ構造の第１部分を囲む。封止構造は、第１部分の第１側に固定基準圧力を設け、第１部分の対向側は周囲圧力にさらされる。 （もっと読む）

【課題】平板状空洞を形成する際におけるホール半径Ｒと、ホールとホールの最短距離Ｓのプロセスマージンを広げ、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の表面にホール４を複数形成し、非酸化性雰囲気のアニール処理により、該半導体基板１の表面を半導体の表面マイグレーションを利用して平坦化し、基板内部に平板状空洞６を形成する際に、前記ホール４の開口部が閉じる前に半導体のソースガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】スパークによる接合強度の低下を抑制するとともに、ゲル部材の変形による応力がダイアフラムに作用するのを効果的に抑制することのできる圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力伝達路（３３，４３）におけるゲル部材との接触部分の開口面積は、センサチップ搭載面（３１）側の端部で最小、ダイアフラム（２３）から最も離れた部分で端部の開口面積よりも大きく且つ最大とされ、任意位置の開口面積が、該任意位置よりもダイアフラム（２３）に近い位置の開口面積以上とされている。支持部材（１２）は、第１圧力伝達路（３３）を備え、接着材（５０）を介してセンサチップ搭載面（３１）にセンサチップ（１１）が固定された第１支持部材（３０）を有する。第１圧力伝達路（３３）におけるゲル部材との接触部分の開口面積は、ダイアフラム（２３）から最も離れた部分のほうが、センサチップ搭載面（３１）側の端部よりも大きくされている。 （もっと読む）