【課題】梁部材を接触させることなく、広範囲の加速度を検出できる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１０は、基板１と、基板１に支持された梁部材２と、基板１に対して移動可能に梁部材２に支持され、可動電極４を有する慣性質量体３と、可動電極４と対向するように配置された固定電極５とを備え、梁部材２は、慣性質量体３にかかる加速度の方向に伸びており、梁部材２は、加速度が大きくなるにつれて変位の変化率が小さくなり、かつ梁部材２が縮んで梁部材２自体が接触するまでの加速度の方向の梁部材２の変位量が加速度がかかった場合の加速度の方向の梁部材２の伸びる部分の変位量より大きい。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ高性能化が可能な静電容量型センサを提供する。
【解決手段】可動電極１５，１５と固定電極２５，２５とで構成される２つのコンデンサを有するセンサ部Ｅ１と、センサ部Ｅ１と空間的に分離して配置されセンサ部Ｅ１と協働するＩＣ部Ｅ２と、センサ部Ｅ１およびＩＣ部Ｅ２を厚さ方向の両側から封止するための第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを備える。各カバー基板２，３は、低誘電率基板であるガラス基板２０，３０を用いて形成され、センサ部Ｅ１とＩＣ部Ｅ２とは、第１のカバー基板２に形成されセンサ部Ｅ１に電気的に接続された第１貫通配線２１と、第１のカバー基板２に形成されＩＣ部Ｅ２に電気的に接続された第２貫通配線２２と、第１のカバー基板２におけるセンサ部Ｅ１およびＩＣ部Ｅ２とは反対側の表面に設けられ第１貫通配線２１と第２貫通配線２２とを繋ぐ表面配線２６とで電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】傾斜ベースをパッケージの内底部に実装する際に、接着剤が傾斜ベースの傾斜面へ浸入してしまうことを抑制することのできる半導体物理量センサを得る。
【解決手段】パッケージ５の内底部５ｂに傾斜ベース４を実装するとともに、半導体を用いた物理量センサチップ２を、当該物理量センサチップ２の検出軸が内底部５ｂに対して傾斜するように傾斜ベース４の傾斜面４ａに実装する半導体物理量センサ１であって、傾斜ベース４の内底部５ｂへの実装面４ｂと、当該実装面４ｂが当接する内底部５ｂの当接面５ｅと、当該当接面５ｅの周縁部５ｆと、のうち少なくとも何れか１つに接着剤を逃がす凹部８を設ける。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ高感度化を図れる静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】フレーム部１１、錘部１３、一対のトーションビーム１２，１２、２つの可動電極１５，１５が設けられたセンサ本体１と、センサ本体１に接合された第１のカバー基板２および第２のカバー基板３と、第１のカバー基板２において各可動電極１５，１５それぞれに対向して設けられた固定電極２５，２５とを備えている。各固定電極２５，２５それぞれが、第１のカバー基板２におけるセンサ本体１側に形成され各固定電極２５，２５それぞれに対応付けられた接続配線２６とセンサ本体１の錘部１３の開口窓１４内に配置された島部１６とを介して当該島部１６における第１のカバー基板２側の第１の外部接続用電極であるパッド１８と電気的に接続され、各可動電極１５，１５が第１のカバー基板２側の第２の外部接続用電極であるパッド１８，１８と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】センサチップを傾けてパッケージ内に実装する半導体物理量センサを、より簡単に製造する。
【解決手段】半導体を用いた物理量センサチップ２と、前記物理量センサチップ２の出力信号を信号処理する信号処理チップ３と、前記物理量センサチップ２および信号処理チップ３を実装する傾斜ベース４と、前記傾斜ベース４を内底部５ｂに実装するパッケージ５と、前記パッケージ５を封止するリッド６とを備える。 （もっと読む）

本発明は、一方向（Ｙ１）に沿った向きの変位を測定するための面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスであって、基板に対して懸架された振動質量（２０２）であって、前記基板の面に垂直な軸（Ｚ）周りに旋回可能な振動質量（２０２）と、振動質量（２０２）及び基板に機械的に接続された少なくとも一つのピエゾ抵抗歪みゲージとを備え、ピエゾ歪みゲージ（８）が振動質量の厚さよりも小さな厚さを有し、ピエゾ抵抗歪みゲージ（８）の軸（Ｙ）が、振動質量（２０２）の旋回軸（Ｚ）及び重心（Ｇ）を含む面に直交していて、該面が、測定される方向（Ｙ１）に直交している、面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスに関する。
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【課題】ＭＥＭＳセンサーなどの物理量センサー、および、物理量センサーを比較的容易に製造できる物理量センサーの製造方法、および、物理量センサーを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】静電容量型加速度センサー１００は、固定部としての固定枠部１１０と、可動錘部１２０と、固定電極を有する固定電極部（固定腕部）１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動電極を有する少なくとも一つの可動電極部（可動腕部）１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有し、固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）は、第１積層構造体ＡＩＳの側面に形成された、固定電極としての第１側面導体膜ＣＱ１（ＣＱ１ａ，ＣＱ１ｂ）および第１接続電極部Ｌ４（Ｌ４ａ，Ｌ４ｂ）と、を有し、可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）は、第２積層構造体層構造体ＢＩＳの側面に形成された、可動電極としての第２側面導体膜ＣＱ２（ＣＱ２ａ，ＣＱ２ｂ）および第２接続電極部Ｌ５（Ｌ５ａ，Ｌ５ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】 可動錘部の質量の増大による検出感度の向上を、Ｑ値をほぼ一定に維持しつつ達成すること。
【解決手段】 基板上に形成された多層構造を加工して形成されるＭＥＭＳセンサーは、弾性変形部１３０によって固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１３が形成されている可動錘部１２０と、固定枠部に固定された固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動錘部に接続され、固定電極部に対向して配置される可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有する容量部１４５（１４５ａ，１４５ｂ）と、固定枠部に固定されたダミー固定電極部１５３（１５３ａ，１５３ｂ）と、可動錘部に接続され、ダミー固定電極部に対向して配置されるダミー可動電極部（１４３ａ，１４３ｂ）と、を有し、検出信号を出力しないダミー容量部１４７（１４７ａ，１４７ｂ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】駆動錘と検出錘とを有する振動子を２つ備えた振動型角速度センサにおいて、外部衝撃に対する各駆動錘の同調性および各検出錘の同調性を高める。
【解決手段】駆動錘１５０、２５０は、当該駆動錘１５０、２５０がそれぞれ対向する部分に開口部１５２、２５２をそれぞれ備えている。また、検出錘１４０、２４０は、駆動錘１５０、２５０の内側にそれぞれ配置されている。そして、駆動連成梁４００は、第１振動子１００の駆動錘１５０と第２振動子２００の駆動錘２５０とを直接連結している。一方、検出連成梁５００は、駆動錘１５０、２５０の開口部１５２、２５２を介して第１振動子１００の検出錘１４０と第２振動子２００の検出錘２４０とを直接連結している。これにより、外部からの衝撃に対する各駆動錘１５０、２５０の同調性および各検出錘１４０、２４０の同調性の両方を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】錘部の損傷を抑制することのできる静電容量式センサを得るとともに、突起の形成工程の簡素化を図ることのできる静電容量式センサの製造方法を得る。
【解決手段】絶縁基板２と、この絶縁基板２に接合されたシリコン基板４と、を備え、当該シリコン基板４に錘部５および当該錘部５をばね部６を介して支持する支持部１６が形成されるとともに、錘部５と絶縁基板２との間にギャップ７が形成された静電容量式センサ１において、錘部５の絶縁基板２との対向面５ａの少なくとも周辺部に、絶縁基板２に対向する先端部が先細りとなるピラミッド状の突起１２を設けた。 （もっと読む）

応力分離部を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス２０は、第１の構造層２４に形成された要素２８，３０，３２、第２の構造層２６に形成された要素６８，７０、第１の構造層２４から離間された層２６を含む。製造方法は、層２４と２６との間に接合部７２，７４を形成する工程９２，９４，１０４を含む。接合部７２，７４は、第１層２４の相当する要素３０，３２を第２層２６の要素６８，７０に接続される。製造方法８０は、すべての要素３０，３２，６８，７０がＭＥＭＳデバイス２０の基板２２上に吊らされるように下にある基板２２から構造層２４，２６を解放する工程をさらに含む。ここで、要素３０，３２，６８，７０と基板２２との取付は基板２２の中央領域４６のみに起こる。
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【課題】衝接した際の接触面の欠損をより効果的に抑制して、スティックを安定的に防止することができる静電容量式センサを得る。
【解決手段】錘部６および当該錘部６を揺動自在に支持するばね部７が形成された半導体基板４と、前記半導体基板４に接合される絶縁基板２と、前記錘部６と前記絶縁基板２との間に形成されるギャップＧ１とを備えた静電容量式センサ１であって、前記錘部６が前記絶縁基板２に対向する表面６ａに、円形状の複数の凹部２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】可動電極や固定電極の損傷を抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】可動電極体６の変位に応じた固定電極９と可動電極６ａとの間の静電容量値の変化により物理量を検知する静電容量式センサ１において、固定電極９と可動電極６ａのうちの少なくともいずれか一方に設けたポリイミド製の複数の突起部２０を、少なくとも厚さ方向で固定電極９と可動電極６ａとが重なる部位Ｓの周辺部に設けた。 （もっと読む）

【課題】気密室の内圧のばらつきを抑制しながらも、小型化が可能な気密構造体の製造方法および気密構造体を提供することにある。
【解決手段】気密構造体の製造方法は、シリコン基板により形成され且つ厚み方向の一面側に凹部１ａが形成された第１の基板１と、ガラス基板からなり且つ一表面２ｃに固着ベース３が形成された第２の基板２と、第１の基板１と第２の基板２との間に形成され且つ内部が気密に保たれた気密室Ｃとを備える気密構造体の製造方法であり、第２の基板２に排気孔２ａを形成し固着ベース３に貫通孔３ａを形成した後に、第２の基板２が第１の基板１の前記一面側を覆う形で第２の基板２と第１の基板１における凹部１ａの外周部とを減圧下の真空中で陽極接合により接合し、その後、第２の基板２の排気孔２ａおよび貫通孔３ａを封止するための封止用部材４を真空中で固着ベース３に固着する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳセンサーを小型化すること。
【解決手段】 ＭＥＭＳセンサーは、固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部１１０に固定され、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）の一方の電極を構成する少なくとも一つの固定電極部１５０と、可動錘部１２０と一体的に移動し、かつ固定電極部１５０と対向して設けられる、容量素子の他方の電極を構成する少なくとも一つの可動電極部１４０と、可動錘部１２０に設けられ、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）からの信号を増幅する増幅回路を有する検出回路２４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】検出部の検出機能を損なうことなく、ストッパによって櫛歯状可動電極と櫛歯状固定電極とが接触するのを防止することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】錘部６（可動電極体）の幹部６１の両端部に、櫛歯状可動電極６３の突出方向に沿うとともに、固定電極体５の幹部５１にオーバーラップする位置まで延設した延設部６２を設け、前記オーバーラップして重複した延設部６２と固定電極体５の幹部５１との間のギャップと、両端部に配置された櫛歯状固定電極５２と当該櫛歯状固定電極５２に重複する延設部６２との間のギャップと、を同じ隙間に形成し、前記重複した延設部６２と固定電極体５の幹部５１とのどちらか一方の面にストッパ１５を設ける。 （もっと読む）

【課題】錘部がその周囲にスティッキングするのを抑制することのできる静電容量式センサおよびその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン基板４を、スリット１７内に形成された連結部１８によって錘部５、ばね部６および支持部１６を連結させた状態で絶縁基板２に陽極接合し、絶縁基板２にシリコン基板４を陽極接合した後に連結部を除去することで静電容量式センサ１を形成した。 （もっと読む）

【課題】広範囲の加速度に対して検出精度を向上した静電容量型加速度センサを提供することを課題とする。
【解決手段】第１の静電容量ＣＡの固定電極を構成する第１の固定電極基板１１と、第２の静電容量ＣＢの固定電極を構成する第２の固定電極基板１２と、第１の静電容量ＣＡならびに第２の静電容量ＣＢの可動電極を構成する可動電極基板１３とを有し、第１の固定電極基板１１ならびに第２の固定電極基板１２は、段差を有して可動電極基板１３との電極間距離が異なる可動電極基板１３との対向面を備え、可動電極基板１３には、外部から与えられた加速度に応じて第１の固定電極基板１１ならびに第２の固定電極基板１２の方向に対して垂直方向に揺動自在に移動する重り部１５が形成され、加速度の印加により変化する第１の静電容量ＣＡならびに第２の静電容量ＣＢの容量値に基づいて加速度を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】広範囲の加速度に対して検出精度を向上した静電容量型加速度センサを提供することを課題とする。
【解決手段】第１の静電容量ＣＡの固定電極を含む第１の固定電極基板１１と、第２の静電容量ＣＢの固定電極を含む第２の固定電極基板１２と、第１の静電容量ＣＡならびに第２の静電容量ＣＢの可動電極を構成する可動電極基板１３とを有し、可動電極基板１３には、外部から与えられた加速度に応じて第１の固定電極基板１１ならびに第２の固定電極基板１２の方向に対して垂直方向に揺動自在に移動する重り部１５が形成され、第１の固定電極基板１１ならびに第２の固定電極基板１２の固定電極の一部が可動電極基板１３のの重り部１５に対向する対向面を備え、加速度の印加により変化する第１の静電容量ＣＡならびに第２の静電容量ＣＢの容量値に基づいて加速度を検出することを特徴とする。 （もっと読む）