【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された渦巻き状の可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低く、且つデバイスの小型化に貢献する金属埋込ガラス基板及びその製造方法、及びこの金属埋込ガラス基板を用いたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】金属埋込ガラス基板は、対向する第１の主面ＳＦ１及び第２の主面ＳＦ２を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の第１の主面ＳＦ１と第２の主面ＳＦ２の間を貫通する金属からなる貫通金属部材５５とを備える。貫通金属部材５５の径は１００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】可動ゲート電極の変位を制御可能な可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１７とドレイン電極１８との上に導電シールド電極２０が配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。そして導電シールド電極２０の電位を固定することとした。導電シールド電極２０が配置されることにより、可動ゲート１５とドレイン電極１８またはソース電極１７との間に発生する静電力を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 支持基板に反りが発生したとしても、可動電極部と固定電極部の相対的な位置関係が維持されるＭＥＭＳ構造体を提供すること。
【解決手段】加速度センサ１０は、支持基板２１と、変位部４１と、可動電極部５１と、固定電極部５２と、第１梁部４２と、第１固定部４３と、第２梁部５３と、第２固定部５４とを備えている。固定電極部５２は、第２梁部５３を介して支持基板２１に支持されている。第１固定部４３と第２固定部５４の間の距離は、第１固定部４３と固定電極部５２の間の距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】変位測定範囲を増加させた可動ゲート型加速度センサを提供することにある。
【解決手段】複数のソース電極１７ａ，１７ｂとドレイン電極１８ａ，１８ｂの組みを設け、ソース電極１７ａ，１７ｂそれぞれにソース配線部１９ａ，１９ｂを接続し、ドレイン電極１８ａ，１８ｂそれぞれにドレイン配線部２０ａ，２０ｂを接続し、それぞれの組のチャネル形成領域２１の上方に矩形状の可動ゲート１５が共通に配置される可動ゲート型加速度センサとした。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、半導体基板１０と貼り合わせ基板２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 検出電極を基板に固定せずに可動できるようにした高感度（＝狭ギャップ）な静電容量型の慣性センサにおいて、外乱振動や衝撃などで可動質量体の変位量を正しく測定できない虞がある。
【解決手段】 可動検出電極（２１Ａ）に対向して固定部（２５Ａ）を設け、可動検出電極（２１Ａ）を変位させた後、機械的に固定する。 （もっと読む）

【課題】固定部と該固定部の外径側を囲むように配設された錘とを複数の梁で連結してなる振動体を備えたセンサ素子を例えばＳＯＩウェハを用いたＳｉウェハ一括プロセス処理で形成できるようにした振動体型力学量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】振動体１１を備えたセンサ素子よりなる振動体型力学量センサにおいて、前記センサ素子は半導体部材から形成されたものであるとともに、振動体１１は固定部１２と固定部１２の外径側を囲むように配設された錘１４とを複数の梁１３で連結したものであり、さらに、前記センサ素子の一方の面にガラス基板１０１が接合され、固定部１２がガラス基板１０１側と接合されることにより振動体１１がガラス基板１０１で機械的に支持されてなる構成としている。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】1/fノイズを低減したMEMS又はNEMSセンサを提供する。
【解決手段】所定方向の力を検出するMEMS又はNEMS装置であって、支持部(4)と、測定される力の影響下で、この力の方向に移動可能な振動質量体であって、少なくとも1つの旋回軸リンクにより上記支持部に対して連結された少なくとも1つの振動質量体(2)と、この振動質量体の運動を検出する手段(10)と、上記旋回軸リンクの軸線(Z)と前記振動質量体に対する力の働きの重心(G)との間の距離を変化させることができる手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】サスペンション・プレートと少なくとも１枚の固定された容量性プレートとを有する平面型サスペンション構造を用いた加速度計ないし地震計を提供する。
【解決手段】サスペンション・プレート２はワンピース部品として形成されており、外側枠体と、一対の可撓性エレメント集合体と、それら可撓性エレメント集合体の間に設けられた一体型のプルーフマス８とを備えている。可撓性エレメント６はプルーフマス８をサスペンションの平面内の感度軸方向に可動にすると共に、全ての軸外方向への移動を規制している。プルーフマス８の軸外方向の移動は可撓性エレメント６の間に配設された複数の中間枠体を用いる。 （もっと読む）

【課題】パッケージへ伝達された熱や応力に対して安定した動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体加速度センサ装置１は、内部にキャビティ２１ｃを有するパッケージ２１と、所定の素子を有する半導体チップ１０と、上面の所定領域３２ａに半導体チップが固着されたスペーサ３２と、スペーサ３２の下面における所定領域３２ａ下以外の領域とキャビティ内のパッケージの底面２１ａとを接着する接着部３３とを備え、半導体チップに形成された第１電極パッド１６と、パッケージに形成され、少なくとも一部がキャビティ内部で露出された配線パターン２３と、パッケージの底面に形成され、配線パターンと電気的に接続された第２電極パッド２２と、第１電極パッドと、露出された配線パターンとを接続する金属ワイヤ２６とをさらに有する。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）

【課題】静電容量型加速度センサにおいて可動部の許容変位量を超える加速度が加わった時の可動部と固定部の衝突による破壊を防止すること。
【解決手段】基板３５上に離間状態で配置された変位可能な重錘体３６と、この重錘体３６に設けられた可動電極３４と、この可動電極３４に対向して配置された固定電極３３とを備え、両電極３３，３４間の静電容量の変化を重錘体３６の変位に基づいて検出する。重錘体３６と基板３５の双方に重錘体３６の水平方向の変位を規制する相補型係止手段と、この相補型係止手段に電位を固定するための電位固定手段とを設ける。相補型係止手段は、重錘体３６に設けられた貫通孔３８と、基板３５上に設けられ、貫通孔３８に挿入する係止部材３７とからなっているので、衝突時の接触面積が大きく、応力集中による破壊を防止する。 （もっと読む）

【課題】面外櫛形駆動の加速度計（１０）を提供すること。
【解決手段】ある例示的な加速度計が、応答を線形化する。ある例示的な加速度計が、基板（５８）の表面に平行な表面をもつ複数の歯を有する、１つまたは複数のステータ（４２、５０）を備える。歯の表面は、基板の表面から第１の距離にある。プルーフマス（５４）は、そのプルーフマスの端部に取り付けられた複数のロータ歯を含む１つまたは複数のロータ（３８、４６）を備える。ロータ歯には、ステータ歯の対応する歯が噛み合う。ロータ歯は、基板の表面に平行な表面を含む。ロータ歯の表面は、基板の表面から第２の距離にある。第１の距離と第２の距離は、閾値の量だけ異なる。面外方向でのステータに対するロータの動きにより、ロータとステータの両端で測定される容量値が線形に変化する。 （もっと読む）

【課題】Ｚ軸方向の影響をクーロン力により打ち消して、水平方向の加速度を正確に検出するようにした高感度の静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明の静電容量型加速度センサは、重錘体４１に設けられた可動電極４１ａと、可動電極４１ａに対向して配置された固定電極４２ａとを備え、両電極４１ａ，４２ａ間の静電容量の変化を重錘体４１の変位に基づいて加速度を検出する。重錘体４１のＺ軸方向に働く加速度の影響を排除するためにＺ軸加速度検出部４４が設けられ、Ｚ軸加速度検出部４４により検出された出力電圧に合わせて、重錘体４１にクーロン力を与える電圧を印加する電圧発生部４５が設けられている。電圧発生部４５からの電圧により重錘体４１にクーロン力を与えるために、Ｘ・Ｙ平面上にクーロン力供給電極４３が配置されている。 （もっと読む）

本発明は、二重固体電極を有するＭＥＭＳマイクロフォンの改善された製造方法と、改善された性質を有するマイクロフォンを提供する。 （もっと読む）

【課題】印加される加速度が大きい域で構成部材を接触させずに広い範囲の加速度を検出できる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、基板１と、基板１に対して基板１の厚み方向に変位可能に基板１の表面に支持され、かつ可動電極７を有する変位部材３と、可動電極７と対向するよう配置され、かつ可動電極７との間に静電力を発生させるための固定電極６とを備え、加速度が小さい域では、変位部材３が基板１の厚み方向に変位しても可動電極７と固定電極６との対向面積が一定であり、かつ加速度が大きい域で変位部材３が基板１の厚み方向に変位すると可動電極７と固定電極６との対向面積が変化するよう構成されている。 （もっと読む）

微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）が開示される。このＭＥＭＳは、基板と、基板から上方へ延在する第１の枢動軸と、基板上に延在する第１の前後軸を有し、第１の枢動軸線のまわりを枢動するように第１の枢動軸に対して枢動可能に取り付けられた第１のレバーアームと、基板上の、第１のレバーアームの第１のキャパシタ部分の下の位置に形成された第１のキャパシタ層と、基板上の、第１のレバーアームの第２のキャパシタ部分の下の位置に形成された第２のキャパシタ層であって、第１の枢動軸が、第１のレバーアームを、第１のキャパシタ部分と第２のキャパシタ部分の間の位置で第１の前後軸に沿って支持する第２のキャパシタ層と、第１の前後軸にわたって延在し、第１の枢動軸線から離隔された第１の導体部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】可動部と固定部との間の間隙部の断面形状がテーパ状になった場合にも、その間隙部の干渉部分が破損するのを抑制できる半導体物理量センサを得る。
【解決手段】断面テーパ状となった間隙部δ３の幅狭となる側の端部に、当該間隙部δ３の対向壁部Ｔｗが干渉した際に面接触する面接触部８を形成する。 （もっと読む）