【課題】静電力によるスティッキングを防止する。
【解決手段】半導体層２が、物理量の変位に応じて動作する可動電極５と、可動電極５と間隙を介して対向配置された固定電極６と、固定電極６と別体とされた可動電極５の動作を制限するストッパ部７とを備え、ストッパ部７の電位をオープン電位とすることで実現する。 （もっと読む）

【課題】変位制限部に対向電極が接触した際、変位制限部や対向電極が破損することを防止する。
【解決手段】ストッパ構造８の側壁にはトラス構造の変位制限部１０が形成されている。このような変位制限部１０によれば、直方体形状や半球状の変位制限部と比較して変位制限部に弾性を持たせることができるので、変位制限部１０に対向電極が接触した際、変位制限部１０や可動電極６が破損することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】衝撃による破壊の危険性を低減させ、かつ静電相互作用の影響を低減する。
【解決手段】マイクロエレクトロメカニカルデバイス１において、可動質量体２を、弾性の懸架素子を介して基板３の上方に懸架し、かつ弾性の懸架素子の周りに回転可能とし、カバー構造１０は、可動質量体２の上方に配置し、かつ可動質量体２に対面する内面１０ａを有し、かつストッパ構造１２を、カバー構造１０の内面１０ａに配置し、基板３に交差する軸線ｚに沿う基板３から遠ざかる可動質量体２の運動を停止させるように、可動質量体２に向かって突出する。ストッパ構造１２は、相反する相互作用の影響を減少するように、とくに弾性の懸架素子の周りの可動質量体２の合成的ねじりモーメントを減少させるように、可動質量体２に対して相対配置する。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を経ることなく簡便な手法にて半導体層の電極を取り出すことができるとともに、信頼性の高い良好な半導体センサを提供する。
【解決手段】絶縁基板２０上に形成された半導体層２によって物理量を検出する静電容量式センサ１において、半導体層２の絶縁基板２０が接合された面と対向する面上に、半導体層２の可動電極５、固定電極６の表面の一部を露出させる電極取り出し用の貫通孔２３を有するシート状フィルムからなる保護層２１を形成し、貫通孔２３によって露出された半導体層２の可動電極５、固定電極６の表面にワイヤボンディングが施されていることで実現する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減でき、且つ、体格を小型化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の表面にパッドが形成され、半導体基板のパッド形成面側に露出する梁構造体が形成された半導体チップと、樹脂シートからなり、半導体基板のパッド形成面に接着固定された状態で、パッドを露出しつつ可動構造体を可動可能に保護する保護キャップとを備える。そして、保護キャップは、半導体基板のパッド形成面との接着面と該接着面の裏面とを連結するテーパ状の側面を含むテーパ部を有し、テーパ部は、半導体基板のパッド形成面においてパッドと構造体との並設方向に沿う長さＸが半導体基板の厚さ方向に沿う長さＹよりも短くされ、且つ、並設方向において構造体から最も離れた頂点部位の位置が、半導体基板の厚さ方向において接着面の裏面と接着面との間の位置となっている。 （もっと読む）

【課題】可動部を有する半導体基板にキャップを接着する場合、接着剤が接着代と定められた部分からはみ出ることを極力防止し、接着剤の硬化時の残留応力を軽減する。
【解決手段】断面積一定の帯状接着剤１１が半導体基板２の接着代１０上に敷設される。その後、キャップを半導体基板２上に重ね、加熱しつつ加圧する。接着剤１１は、断面積が一定で単位長さ当たりの体積が一定であるから、溶融状態で半導体基板２とキャップとの間で加圧されても、接着代１０からはみ出ることはない。 （もっと読む）

【課題】過大な衝撃力による慣性センサの破損を防止する手段を提供する。
【解決手段】外枠の側壁からスリットを跨いで重錘部上に延在しシリコン薄膜層により形成された第１の係止片と、この第１の係止片の裏面と離間して対向する底面を有し重錘部上に形成された第１の凹部と、重錘部からスリットを跨いで外枠の側壁上に延在しシリコン薄膜層により形成された第２の係止片と、この第２の係止片の裏面と離間して対向する底面を有し外枠の側壁上に形成された第２の凹部と、外枠の側壁から重錘部に向かってスリット上に突出しシリコン薄膜層により形成された突出片とを設け、第１の係止片と突出片とを第２の凹部の両側にそれぞれ隣接させて配置すると共に、第２の係止片を第２の凹部の側面との間に隙間を介して配置してストッパ機構を形成し、このストッパ機構を可撓部の両側にそれぞれ設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レベルが大きく異なる加速度を検出することができるとともに、小型かつ汎用性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】支持枠と、可撓性を有する第１の梁部を介して前記支持枠に保持される第１の錘部と、可撓性を有する第２の梁部を介して前記第１の錘部に保持される第２の錘部とを有し、前記第１の錘部は前記支持枠の内側に配置されるとともに前記第２の錘部は前記第１の錘部の内側に配置され、前記第１の梁部および第２の梁部に、それぞれ第１の加速度センサ部および第２の加速度センサ部が設けられた加速度センサことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャップとセンサ基板との接合部位に作用する応力に起因してセンシング部に歪みが生じることを抑制するとともに、キャップ内への異物の侵入を抑制することが可能な半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】上部ガラスキャップ１２をカンチレバー１６が接続されたフレーム１４の一辺以外の辺に形成された金属薄膜２３を介してフレーム１４に陽極接合し、金属薄膜２３を介した陽極接合部以外における上部ガラスキャップ１２とフレーム１４との間に、上部ガラスキャップ１２とフレーム１４との間に形成される隙間を低減するための凸部２４を設ける。 （もっと読む）

【課題】センシング部の厚み程度の寸法で回路部も設けることにより小型かつ低背化することを可能にしたセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ基板１は、支持部１１に対して相対的に可動である可動部１２を備える。可動部１２は変位方向の一面側において撓み部１３を介して支持部１１と連結され、センサ基板１には可動部１２の変位を電気量に変換するセンシング部Ｄｓが設けられる。また、可動部１２の変位方向の他面側にはセンシング部Ｄｓと協働する回路部Ｄｃが集積回路として形成される。可動部１２には変位方向の両面間で貫通する貫通孔配線１５が形成され、貫通孔配線１５の一部が回路部Ｄｃに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板と半導体基板とを接合した際に梁部が接合してしまうことが無く、センサギャップだけを小さくして高感度に力学量を検出することができる力学量センサ及び力学量センサの製造方法並びにこのような力学量センサを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】力学量センサ１は、ガラス基板２、３と、ガラス基板２、３に挟み込まれて接合され、内部に力学量を検出する錘部１０が形成された半導体基板４とを備えるものであり、錘部１０を収容するセンサ室８を形成するフレーム９と、ガラス基板２、３のそれぞれと錘部１０との間にセンサギャップ１３、１４を有して錘部１０をフレーム９に支持する梁部１１と、ガラス基板２、３に錘部１０と対向して形成された励振用電極２０及び検出用電極２１とを備え、梁部１１とガラス基板２、３のそれぞれとの間の梁部ギャップ１５、１６は、対応するセンサギャップ１３、１４よりも大に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 静電気放電が生じてもピエゾ抵抗を保護することができ、故障頻度を低下させることができるセンサ装置を提供する。
【解決手段】 センサ本体２には、ピエゾ抵抗Ｒ1〜Ｒ4からなる検出回路７を設け、ピエゾ抵抗Ｒ1〜Ｒ4と電極９〜１２との間をｐ型低抵抗部からなる配線部１３によって接続する。また、センサ本体２には、配線部１３に接触してｎ型低抵抗部１５を設け、これらのｐｎ接合部分にツェナーダイオードＤ1〜Ｄ4を形成すると共に、質量部５にもツェナーダイオードＤ5を形成する。そして、ツェナーダイオードＤ1〜Ｄ5をピエゾ抵抗Ｒ1〜Ｒ4に並列に接続して保護回路１４を構成する。これにより、ピエゾ抵抗Ｒ1〜Ｒ4に高電圧が作用したときには、高電圧による電荷をツェナーダイオードＤ1〜Ｄ5を用いて逃すことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体センサにおいて、カバー板を支持部に取り付けるための陽極接合時に静電気力によって錘部とカバー板が貼り付くのを防止し、貼り付いても容易に剥がすことができるようにする。
【解決手段】半導体センサ１は、錘部４と、錘部４の周囲に設けられた支持部６と、錘部４と支持部６の間で支持部６の一表面側に設けられた可撓部８と、可撓部８に設けられたピエゾ抵抗体１０と、錘部４上及び可撓部８上に、錘部４及び可撓部８とは間隔をもって設けられたカバー板２４と、錘部４のカバー板２４が設けられている表面上に設けられた錘側突起部２１と、カバー板２４の錘部４に対向する内側面に錘側突起部２１に対向して設けられたカバー側突起部２４ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】低コスト化および小型化を図ることができる、加速度センサならびにセンサチップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】回路チップ２の表面にフェイス・ツー・フェイス状態で接合されるセンサチップ３は、メンブレン１３と、メンブレン１３の周縁部を支持する支持部１４と、メンブレン１３の中央部に保持された錘部１５とを備えている。メンブレン１３と錘部１５とは、一体的に形成されている。また、回路チップ２およびセンサチップ３は、樹脂パッケージ２５により封止されている。 （もっと読む）

【課題】センサチップの製造に要する時間の短縮を図ることができる、センサチップの製造方法を提供する。
【解決手段】センサチップ３の製造工程では、シリコン基板３１の表面に、エッチング液に対する耐性を有するシリコン酸化膜３２が形成されて、そのシリコン酸化膜３２の周縁部と中央部との間の環状領域に、シリコン基板３１を露出させる多数の開口１７が形成される。そして、多数の開口１７からシリコン基板３１の表面にエッチング液を供給することにより、シリコン基板３１が表面側からエッチングされる。シリコン基板３１は、そのエッチングにより、シリコン酸化膜３２の周縁部と中央部との間の環状領域に対向する部分が厚さ方向にわたって除去される。したがって、シリコン基板３１の裏面にもエッチング液を供給して、シリコン基板３１を表面側および裏面側の両側からエッチングすることも可能である。 （もっと読む）

【課題】１チップあたりのチップサイズの増大が防止でき、かつ、接着強度も得られる構造とする。
【解決手段】センサチップ１と保護キャップ２における接着面を凹凸面１ｃ、２ｂとすることで、単なる平面である場合と比べて接着面積が大きくなるようにする。これにより、センサチップ１のチップサイズや保護キャップ２のサイズを大きくしなくても、接着面を大きくとることができ、センサチップ１と保護キャップ２との接着強度を大きくすることができる。また、センサチップ１や保護キャップ２に形成した凹凸面１ｃ、２ｂの凹みに耐熱性粘着剤３が入り込むようにできるため、耐熱性粘着剤３のセンサ構造体１ａ側へのはみ出しも抑制できる。 （もっと読む）

【課題】全体の大きさと高さをより低くすることができ、また製造の容易なＩＣ一体型加速度センサを提供すること。
【解決手段】加速度センサ２と、ＩＣチップ３と、収容手段であるハウジング６及び蓋体７とを有し、加速度センサ２は支持体２ｃの梁部支持側面２ｅに設けた加速度センサ端子２ｄとを有し、ＩＣチップ３は処理回路とＩＣチップ端子３ｂとが形成されている処理回路形成面３ａを有し、加速度センサ２とＩＣチップ３とは、梁部支持側面２ｅと処理回路形成面３ａとが所定の間隔を隔てて対向するように配設され、加速度センサ端子２ｄとＩＣチップ端子３ｂとの間に設けた導電性手段４である金バンプ４１及び導電性樹脂４２により固定されている。 （もっと読む）

【課題】接合リーク電流の低減を図った加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが、開口を有する固定部と、この開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部と、を有し、かつ平板状の第１の半導体材料から一体的に構成される第１の構造体と、前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、かつ前記固定部に接合される台座と、を有し、第２の半導体材料から構成され、ゲッタリング層を備え、かつ前記第１の構造体に積層して配置される第２の構造体と、前記接続部に配置されるピエゾ抵抗素子と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上を図った加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが、第２の構造体の底面に基体を接合して、第１の構造体、前記第２の構造体、および基体を含む接合部材を形成するステップと、凝固点が０℃より高いシリコーンオイル又はこれを主成分とする高分子系凝固剤を、前記接合部材の内部に充填させるステップと、前記充填された高分子系凝固剤を冷却して固化させるステップと、前記第１、第２の構造体が作成された領域に対応して前記接合部材を切断し、前記固化された高分子系凝固剤が充填された接合部材の切片を形成するステップと、前記固化した前記高分子系凝固剤を液化又は昇華させて、前記切片内から除去するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】センサ構造体のスティッキングを防止できる構造の半導体センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】保護キャップ２における凹部２ａの周囲２ｂとなる位置をテーパ状とする。これにより、保護キャップ２に対して力が加えられ、その力によって接着剤３が押し出されるときに、テーパ状とされた周囲２ｂの傾斜により、接着剤３が凹部２ａの内側ではなく外側に向かって押し出される。したがって、接着剤３が凹部２ａの外側に押し出されることによってセンサ構造体１ａに浸入することが防止でき、センサ構造体１ａがスティッキングしてしまうことを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）