【課題】測定レンジを超える過大な加速度が加えられた場合におけるビーム部の破損を防止することのできる加速度センサを提供する。
【解決手段】平面視略正方形状の第１の可動電極４０と、第１の可動電極４０を所定の間隔を空けて囲む平面視略正方形状の第１の枠部３０と、第１の可動電極４０と第１の枠部３０とを連結するとともに第１の可動電極４０を第１の枠部３０に対して揺動自在に支持する１対の第１のビーム部５ａ，５ｂとを備え、第１のビーム部５ａ，５ｂを、その軸部が第１の枠部３０の対角線上に位置するように形成し、第１の枠部３０における前記対角線と直交する対角線上の角部近傍にそれぞれ弾性を有する弾性部８ａ〜８ｄを設け、弾性部８ａ，８ｂ、及び弾性部８ｃ，８ｄを、それぞれ伸縮方向が互いに略直交するように配設した。 （もっと読む）

【課題】固定部を構成するガラス基板と可動電極との貼り付きを防止する部材の損傷を抑制することを課題とする。
【解決手段】外部から与えられた力に応じて可動する半導体で構成された可動電極５と、可動電極５に対向して固定配置された絶縁層２１を構成するガラス基板とを備えた静電容量式センサにおいて、ガラス基板に複数形成されて、可動電極５が可動してガラス基板に接触した際に可動電極５を支持する凸状の貼り付き防止部材２４を有し、貼り付き防止部材２４は、ガラス基板を選択的に除去してガラス基板に凹部を形成するブラスト加工と、ガラス基板に形成された凹部を選択的に除去して凸状の貼り付き防止部材を複数形成するウェットエッチング処理とにより形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動部とストッパとの間のギャップを精度良く確実に設定でき製造歩留まりが高いＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイと、前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記可動部に対向するストッパと、前記可動部の運動範囲が制限される方向において前記ストッパと前記支持部とに挟まれている樹脂であって封止樹脂よりも硬質の硬質樹脂からなるスペーサと、前記スペーサより前記可動部とは反対側において前記支持部と前記ストッパとを結合している接着層と、を備え、前記スペーサは前記接着層と前記可動部との間において前記接着層と前記可動部との間を遮る方向に延びている、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】可動部とストッパとの間のギャップを確実に設定でき製造歩留まりが高いＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイと、前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記可動部に対向する制限板と、前記可動部の運動範囲が制限される方向において前記制限板と前記支持部とに挟まれているボンディング用ワイヤからなるワイヤ構造体と、前記ワイヤ構造体より前記可動部とは反対側において前記支持部と前記制限板とを結合している接着層と、を備え、前記ワイヤ構造体は前記接着層と前記可動部との間において前記接着層と前記可動部との間を遮る方向に延びている、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で加圧点の位置を検出できる接触センサを提供する。
【解決手段】梁部と、前記梁部の両端を支持する支持部と、前記梁部の両端近傍に設けられた一対の抵抗素子と、前記抵抗素子を可変抵抗とするブリッジ回路を有し、前記ブリッジ回路の出力電圧に相関する信号を前記梁部の加圧点の位置に対応する信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】錘部の移動に伴ってこれに連結された可撓部が変形する構成の半導体センサにおいて、その厚みを変えることなく、可撓部の強度や柔軟性を容易に調整できるようにする。
【解決手段】一部が可撓部Ｆとして構成される薄肉部１２と、その主面１２ｄから突出して薄肉部１２と共に錘部Ｍを構成する厚肉の凸部１１Ｂと、可撓部Ｆの変形又は変位を検出する検出手段１２１とを備え、凸部１１Ｂに隣り合う薄肉部１２の主面１２ｄに、薄肉部１２及び凸部１１Ｂと異なる種類の異種材料からなる調整層１３が形成され、積層された薄肉部１２及び調整層１３により可撓部Ｆが構成されている半導体センサ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】１軸加速度センサの耐衝撃性を向上させると共に、容易に設計及び作製可能にする。
【解決手段】加速度センサ１は、ＳＯＩ基板１０１を用いて構成され、下層１０４に互いに分離されて形成された固定枠２及び錘部３と、上層１０２に形成された、電極部４、支持部５、接続部６及びヒンジ７と、貫通孔配線８及び電極パッド９等を有する。錘部３と電極部４との間には、エッチングホール４ａを介した犠牲層エッチングにより除去された酸化膜層１０３の厚み分のギャップ１０が設けられている。錘部３は、一対のヒンジ７を回動軸として、固定枠２に対し回動可能に保持されている。加速度センサ１は、電極部４と錘部３との間の静電容量に応じて、加速度を検知可能である。電極部４は固定枠２に四方で支持されているため変形しにくく、また、錘部３が接触しうる部位を容易に特定可能なため、耐衝撃性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】可動部と、フレームと、これらを連結する連結部とを有するマイクロ可動素子において可動部とフレームを一時的に架橋するサポート構造体を切断や除去するのに適し、且つ、サポート構造体由来の材料片を介した短絡に起因する動作不良を回避するのに適した、マイクロ可動素子製造方法、これによって製造されるマイクロ可動素子、および、そのようなマイクロ可動素子を含む光スイッチング素子を提供する。
【解決手段】本発明は、材料基板に可動部１０、フレーム２０、および連結部４０を作り込む成形工程と、成形工程の途中において、材料基板の表面にフィルム材料を貼り合せ、当該フィルム材料をパターニングすることにより、可動部１０およびフレーム２０を架橋するためのサポート構造体７１を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】十分な強度を具備したストッパ部を有し、過度な加速度が加わっても破壊が防止される加速度センサと、このような加速度センサを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層（活性層シリコン）／酸化シリコン層／シリコン層（基板シリコン）の３層構造を有するＳＯＩ基板からなる枠部２３と、シリコン層（活性層シリコン）からなり、枠部の各辺から内側方向に突出する４本の梁２２と、梁により支持される錘接合部２１と、シリコン層（基板シリコン）からなり、錘接合部に酸化シリコン層を介して接合された基部２５Ａと、４本の梁と枠部で囲まれた４箇所の窓部２４へ基部から突出した４個の突出部２５Ｂと、各突出部から突出するとともに突出部の平面と段差を有する係合用凸部２８とで構成される錘２５と、シリコン層（活性層シリコン）からなり枠部の角部を挟む２辺に架設された板状の４個のストッパ部２９と、を備え、係合用凸部２８は先端側がストッパ部２９下方に突出するように構成する。 （もっと読む）

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）容量性センサ（５２）は、可動要素（５６）であって、可動要素（５６）の端部（８０，８４）の間で変位した回転軸（６８）を中心に旋回可能な、可動要素（５６）を含む。静的導電性層（５８）は、可動要素（５６）から離間し、電極要素（６２，６４）を含む。可動要素（５６）は、長さ（７８）を示す、回転軸（６８）と一方の端部（８０）との間のセクション（７４）を含む。可動要素（５６）は、さらに、セクション（７４）の長さ（７８）より短い長さ（８２）を示す、回転軸（６８）と他方の端部（８４）との間のセクション（７６）を含む。セクション（７４）は、端部（８０）から回転軸（６８）に向かって可動要素を貫通して延在する溝（８８）を含む。溝（８８）は、センサ性能を改善するために、パッケージ応力を補償する応力逃がしをセクション（７４）内に提供する。
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【課題】 高い耐衝撃性を具備し、過度な加速度が加わっても破壊を生じることなく安定してセンサ機能を発現する加速度センサを提供する。
【解決手段】 加速度センサを、シリコン層１２（活性層シリコン）／酸化シリコン層１３／シリコン層１４（基板シリコン）の３層構造を有するＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板１１からなり、枠部２３，２７と、この枠部から内側方向に突出する複数の梁部２２と、梁部２２により支持される錘部２１と、梁部２２に配設された歪検出部２９と、を備えたものとし、梁部２２の幅Ｗ、梁部２２の長さＩ、枠部２３の内枠長Ｌを、下記の式（１）、式（２）の関係とする。
２＜Ｌ／Ｉ≦２．８２ … 式（１）
Ｉ／Ｗ≦３．６８ … 式（２） （もっと読む）

【課題】ストッパ構造を有する加速度センサ、特に微細加工プロセスによって製造されるストッパ構造を有する加速度センサにおいて、錘とストッパ部とが接着してしまう不具合を解消することが可能となる加速度センサ及び加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、錘部と、前記錘部の周囲を離間して囲む枠部と、前記錘部と前記枠部とを接続する梁部と、前記錘部の垂直上向きの変位を制限する変位制限部及び該変位制限部に接続され、該錘部、前記枠部、前記梁部と離間する可撓部と、を備えたストッパ部とを有することを特徴とする加速度センサを提供する。
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【課題】高い検出感度を得ることができるとともに梁部の破壊を防止することのできる物理量センサとその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサ１は、枠形状の支持部１１と、錘部２０と、支持部１１と錘部２０と所定間隔をおいて連結する肉薄で可撓性の梁部３０とを有する。梁部３０上には、検出素子であるゲージ抵抗が配設されている。また、物理量センサ１は、支持部１１の錘部２０と向かい合う面Ｌに、衝撃緩和部４１が設けられている。物理量センサ１に過度な加速度が印加された場合には、錘部２０と支持部１１の面Ｌが衝突し、支持部１１に与えられた衝撃が梁部３０に向かう。しかし、物理量センサ１においては、衝撃緩和部４１によってその衝撃は吸収され、梁部３０に伝達される衝撃が軽減される。すなわち、本発明の物理量センサ１では、支持部１１と錘部２０の衝突による梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】センサー部の梁部への衝撃の伝達を軽減して、梁部の破損を防ぐ電気機械変換器の構造と、この構造を実現する製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電気機械変換器の構造は、錘部１２と、錘部１２と第１の間隔２２をおいて梁部３２で連結された第１の支持部２０と、第１の支持部２０と第２の間隔２６所定間隔をおいて連結部３０で連結された第２の支持部２４とを有し、梁部３２上にピエゾ抵抗素子２８が配設される。連結部３０は、積層された第１の絶縁膜１６と第２の絶縁膜１８により構成される。この構造によって、第２の支持部２４に外部から応力が加わっても連結部３０で吸収するために梁部３２への応力が伝達しにくくなる。これにより、衝撃の伝達を軽減して、梁部３２の破損を防ぐことが可能となる。また、連結部３０を構成する積層材料の材質、膜厚を変更することで、連結部３０を所望の応力緩和特性に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】高い検出感度を得ることができるとともに梁部の破壊を防止することのできる物理量センサとその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサ１は、枠形状の支持部１０と、所定間隔をおいて支持部１０の内側に肉薄で可撓性の梁部３０で懸架された錘部２０とを有する。梁部３０上には、検出素子であるゲージ抵抗が配設されている。また、物理量センサ１は、錘部２０の支持部１０と向かい合う面Ｌから、梁部３０との接合部Ｋまでの間に、衝撃緩和部４１が設けられている。物理量センサ１に過度な加速度が印加された場合には、錘部２０の面Ｌと支持部１０が衝突し、錘部２０に与えられた衝撃が梁部３０に向かう。しかし、物理量センサ１においては、衝撃緩和部４１によってその衝撃は吸収され、梁部３０に伝達される衝撃が軽減される。すなわち、本発明の物理量センサ１では、錘部２０と支持部１０の衝突による梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化するために樹脂封止型のパッケージ形態に構成した場合でも、信頼性の低下を抑制することが可能な半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】枠体部１１と、枠体部１１の内側に配置される重り部１２と、重り部１２を枠体部１１に揺動可能に支持する撓み部１３とを含み、重り部１２の変位量に応じて物理量を検出するセンサ素子１０と、上面上に、接着層２を介してセンサ素子１０が固定されるリードフレーム１と、少なくとも、センサ素子１０を封止する樹脂封止層３０とを備え、センサ素子１０は、接着層２によって、リードフレーム１の上面から上方に所定の距離だけ離間するように固定されており、接着層２は、センサ素子１０の枠体部１１とリードフレーム１との間の領域に、平面的に見て、枠体部１１に沿った枠状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ストッパ部の破損を防止することで、耐久性を向上させる加速度センサを得る。
【解決手段】錘部材３６に下向きの振動が加えられ、錘部材３６が下側に変位すると、錘部材３６の底面が底板９０に当って、錘部材３６は停止して下側の変位は阻止される。また、錘部材３６が上側に変位すると、周辺錘部３６Ｂがストッパ部２０に当って、錘部材３６は停止して上側の変位は阻止される。ストッパ部２０に当って錘部材３６の変位が阻止されるため、ストッパ部２０の強度が低いとストッパ部２０の破損が考えられる。しかし、ストッパ部２０の両側にストッパ部２０を補強する補強部２４が設けられていため、ストッパ部２０の破損を防止し、これにより、加速度センサ１００の耐久性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコンからなる質量体がガラスからなる第１の封止基板又は第２の封止基板に貼り付くのを防止する静電容量式加速度センサを提供する。
【解決手段】 ガラスからなる第１の封止基板１及び第２の封止基板１１との間に、第１の封止基板１及び第２の封止基板１１に対し、それぞれ所定の間隔を有して空中に保持された質量体４と、質量体４に連結され、質量体４を空中で支持し、かつ変位可能にするための弾性を有した梁７と、質量体４に対向して所定の間隔を有して設けられた固定電極８とを備えたシリコンからなる加速度検出部と、この加速度検出部の周囲を取り囲むように設けられたシリコンからなる接合枠２とを備え、第１の封止基板１及び第２の封止基板１１の少なくとも一方は、質量体４の対向位置に質量体４の一部が当接する当接部１３を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】重り部と第二のカバーとの間に働く静電引力を低減することのできる半導体加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】支持層１０の表面に埋込絶縁層１２と活性層１１とが順次積層して成るＳＯＩ基板を用いて形成され、内方に開口部２ａを有する矩形枠状の支持枠２、開口部２ａに配置される重り部３、支持枠２と重り部３とを一体に連結する撓み部４、で構成されるセンサ本体１と、撓み部４に設けられて重り部３への加速度の作用により撓み部４に生じる応力を検出するピエゾ抵抗５と、支持枠２の表面側に接合される第一のカバー６と、支持枠２の裏面側に接合される第二のカバー７と、を備え、重り部３における支持層１０と支持枠２における支持層１０とを電気的に接続する導電層８が撓み部４において形成され、撓み部４には空隙１４が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、力学量検出センサ素子内に配設されるメンブレンの破損を抑制でき、かつプロセス性能の低下を低減することが可能な力学量検出センサの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る力学量検出センサの製造方法は、重量部を支持する接続部等のメンブレンの形成を時に保護層、さらには支持基板を設けた状態でエッチングを行うことで、製造時におけるメンブレンの破損を低減することができる。よって量産性に優れた力学量検出センサの製造方法を提供できる。 （もっと読む）