【課題】２方向の加速度を精度よく感知することができ、小型化及び製造コストの低減化を可能とする２軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、平板状の錘部、この錘部の側面を囲う枠部、上記錘部の側面と枠部の内面とを連結する１又は複数の梁部、及び上記梁部に付設される歪み感知手段を備える平板状の２軸加速度センサであって、上記梁部の厚さが幅より大きく、上記１又は複数の梁部が、厚さ方向と垂直な直交２方向の正負それぞれの加速度に対する撓みパターンの組合せが異なる少なくとも２つの変形領域を有し、上記歪み感知手段として、上記各変形領域の両端側かつその幅方向両側近傍に二対のピエゾ抵抗素子が配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造的制限を設けることなく、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の検出感度の差を小さくし、且つ、ドリフトが小さく、３軸間の信号出力の変動を低減する半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明によると、半導体基板に、枠部と、錘部と、前記枠部と前記錘部との間に配置される可撓部と、前記可撓部に第１の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記複数のピエゾ抵抗素子をそれぞれ含む複数のブリッジ回路とを有し、前記ブリッジ回路に電圧を印加する高電位端及び低電位端のうちの何れか一方と、前記ブリッジ回路との間に第１の抵抗体を有する少なくとも１つの前記ブリッジ回路を備えることを特徴とする半導体加速度センサが提供される。 （もっと読む）

【課題】 短時間で確実にデポ膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 錘部と、錘部を開口部を挟んで囲むように配置された外枠支持部と、錘部と支持部とを連結する梁部とを備える半導体装置の製造方法であって、支持基板をエッチングして錘部と支持部とを形成する基板加工工程と、基板加工工程のエッチングで生じたデポ膜に接する錘部及び支持部各々の開口部側の側壁を変質させる変質工程と、変質工程後、側壁の変質箇所をデポ膜と共に錘部及び支持部各々から除去するデポ膜除去工程と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、二重固体電極を有するＭＥＭＳマイクロフォンの改善された製造方法と、改善された性質を有するマイクロフォンを提供する。 （もっと読む）

【課題】センサ内部の配線パターンの設計や製造工程を変更せずに、配線パターンを容易に変更可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】センサデバイスは、複数のピエゾ素子２３１，２３２と、複数の接続パッド２６１〜２６５と、ピエゾ素子２３１，２３２と電気的に接続された上層配線２４０、２４１と、上層配線２４０及び２４１に接続された下層配線２５１及び２５２と、下層配線２５１及び２５２に対して垂直方向に交差する上層配線２４２〜２４４と、上層配線２４２〜２４４の下層の下層配線２５３〜２５７があり、下層配線２５３〜２５７の他端部の上層には、絶縁層を介して接続パッド２６１〜２６５が形成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁分離領域に起因するＭＥＭＳ素子の感度の制限が抑制される半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された半導体基板１０と、凹部１００を囲むように半導体基板１０上に配置された支持体７０と、凹部１００上方に配置された可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において支持体７０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００上方に配置され、支持体７０に固定された梁型の固定電極３０と、半導体からなる分離柱４０１とその分離柱４０１の側面に配置された分離絶縁膜４０２を有し、可動電極２１及び固定電極３０と支持体７０間にそれぞれ配置され、可動電極２１及び固定電極３０と支持体７０とを電気的に分離する絶縁分離領域４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】振動子と半導体基板間の短絡が防止され、且つ製造工程の増大を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成され、凹部１００の底面１０１に半導体層が露出した半導体基板１０と、凹部１００内に配置され、且つ側面及び下面に絶縁膜が配置された梁型の可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において半導体基板１０に固定された振動子２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて半導体基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルパッケージを用いて、電極パッド近傍の信頼性を向上させることができる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、加速度検出素子と枠１１１に形成された電極パッド１１５（１１５ａ〜１１５ｄ）とを接続するＡｌ配線１１６とからなるセンサ部１１０と、枠１１１上に形成されたＡｌ配線１１６と電極パッド１１５（１１５ａ〜１１５ｄ）の一部に積層される保護膜１１７と、センサ部１１０を覆って、センサ部１１０を密閉空間に収容するキャップ部１１８と、保護膜１１７上に積層され、センサ部１１０とキャップ部１１８とを接合する接着層１１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルパッケージを用いて、電極パッド近傍の信頼性を向上させることができる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、加速度検出素子と枠１１１に形成された電極パッド１１５とを接続するＡｌ配線１１６とからなるセンサ部１１０と、センサ部１１０に実装されてセンサ部１１０を密閉空間に収容するキャップ部１１７と、センサ部１１０とキャップ部１１７とを接合する接着層１１８とを備え、電極パッド１１５は、センサ部１１０の密閉空間の方向に拡張された拡張部１１５Ａを有し、キャップ部１１７は、拡張部１１５Ａの端部と積層される接着層１１８によりセンサ部１１０と接合する。 （もっと読む）

【課題】基板と垂直なＺ方向に変位する可動錘部の質量を増大させることができ、ＣＭＯＳプロセスを用いて自在かつ容易に製造可能なＭＥＭＳセンサーを提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部が、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層と、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。可動電極部１４０Ａは積層構造体にて形成され、これと対向する固定電極部１５０Ａとの間の対向面積が可動錘部のＺ方向変位に応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結され、周囲に第１，第２空隙部１１１，１１２が形成されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部１２０Ａが、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された層間絶縁層と、層間絶縁層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有する。プラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。複数の導電層の一つが可動電極面を有する可動電極部１４０Ａとなり、これと対向する固定電極部１５０Ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、センサ部１０とキャップ部２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＩＣ表面にセンサ部が形成された構造において、スティッキング防止構造を簡単に形成できるＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＩＣ１１と、ＩＣ表面の凹凸に倣って形成された保護層１３と、前記保護層１３上に形成されたセンサ部１４とを有する。前記センサ部１４には、可動電極部１４ａを有するセンサ機能部１９が設けられ、前記センサ機能部１９は、空間２２を介して、表面１３ａが凹凸面から成る前記保護層１３と対向している。本発明では、ＩＣ表面の凹凸を利用し、その凹凸に倣って保護層１３の表面１３ａを凹凸面で形成することで、可動電極部１４ａと保護層１３との間の接触面積を小さくでき、簡単な構造で適切にスティッキングを防止できる。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、また、物理量を高精度で検出可能であり、また、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供する。
【解決手段】弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１２が形成された可動錘部１２０を有するＭＥＭＳセンサー１００Ａにおいて、可動錘部１２０は、複数の導電層１２１Ａ〜１２１Ｄと、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層１２２Ａ〜１２２Ｃと、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された所定の埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグ１２３Ａ〜１２３Ｃと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、一または複数の長手方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。 （もっと読む）

【課題】配線導体による起伏の影響を抑えつつ、小型化に対応した加速度センサおよび加速度センサの製造方法を提供する
【解決手段】固定部３と、加速度が加わったときに固定部３に対し変位する重り部１と、一端が固定部３に、他端が重り部１にそれぞれ連結され、重り部１の変位に伴って撓む梁部２と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が実装される平板状の第１の基板３０と、第１の基板３０が実装される基体４０であって、内部または第１の基板３０が実装される面４０Ｓに配線導体４１が配置されている基体４０と、第１の基板３０と基体４０との間に介在され、第１の基板３０を基体４０に固定するための第１の接着材１０と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性を向上させた加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】固定部１３と、固定部１３に対し変位可能な重り部１１と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結され、重り部１１の変位に伴って撓む梁部１２と、を有する加速度センサ素子２０と、加速度センサ素子２０が実装されるとともに、固定部１３を囲繞する枠状部５を有する実装基体１と、固定部１３の外側面１７と実装基体１の枠状部５の内側面１８との間に介在し、加速度センサ素子２０と実装基体１とを接合する第１の接着材８を有する。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れた加速度センサーを得ること。
【解決手段】固定電極４１と可動電極２１との間の距離が変化するＸ軸方向の加速度印加時において、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０に存在する気体の流れは、対向面に形成された一方向に向かって延びる凸部４３によって一方向への流れが発生する。この気体の流れによるスクイーズフィルムダンピングにより、大きな減衰定数ｃを得ることができる。したがって、可動部２０と支持体１０との間隔を狭くすることなく、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０の構造によって減衰定数ｃの調節を可能にでき、可動部２０と支持体１０との衝突破壊が低減した耐衝撃性の優れた加速度センサー１００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】アルミ溶断による陽極接合の不良発生を抑制するウェハレベルパッケージ構造体を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１１と、この半導体ウェハ１１の一表面側に形成される絶縁膜１２と、この絶縁膜１２において前記半導体ウェハ１１と反対側に形成されるアルミ膜１３と、を含む積層構造を備えるセンサウェハ１と、このセンサウェハ１においてアルミ膜１３が形成された一面側に接合されるカバーウェハ２と、を備え、センサウェハ１において、アルミ膜１３の一部は、絶縁膜１２に設けられた貫通孔５内部に突出する凸部６を備えるように形成され、この凸部６と電気的に接触する半導体ウェハ１１の所定箇所をコンタクト部７となし、コンタクト部７を介して電流をアルミ膜１３に流すことによりセンサウェハ１とカバーウェハ２とをアルミ膜１３を介して陽極接合させてなるようにした。 （もっと読む）

【課題】微小デバイスチップの半導体基板表面における付着物による不良をチップレベルで検知できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の一表面側にカバーガラス２が接着され、前記半導体基板の前記一表面側とは反対側の他表面側にベースガラス３が接着されてなる積層構造状のウェハレベルパッケージ構造体であって、前記積層構造状の複数の微小デバイスチップが集合してなり、複数の微小デバイスチップのうちの少なくとも一つの微小デバイスチップは、半導体基板の前記一表面側に接着されたカバーガラス２を分離し得る構造を備え、半導体基板１の前記一表面側が検査対象とされる検査対象用微小デバイスチップＴであるようにした。 （もっと読む）