【課題】半導体基板の表面に形成された絶縁膜の応力によってセンサ部の特性が悪化するのを抑制したセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】センサ装置のセンサ本体１は、枠状のフレーム部１１を備え、フレーム部１１の内側に配置される重り部１２が、センサ本体１の主表面側において可撓性を有する撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。重り部１２と撓み部１３とからなる可動部１５には可動部１５の撓みを検出するセンシング部が、フレーム部１１にはセンシング部と協働するＩＣ部Ｅ２がそれぞれ形成されている。ここで、センサ本体１の主表面に、表面絶縁膜１６と多層構造部４１とからなる表面保護層４４を全面に形成した後、可動部１５に形成された表面保護層４４は一部（多層構造部４１）をエッチングにより除去し、表面絶縁膜１６のみとして、膜厚を薄くしてある。 （もっと読む）

【課題】 基板面の面積を小さくすることができる半導体チップを実現する。
【解決手段】 半導体チップ１９のセンサ部１４を覆うキャップ２１の装着部２１ｂ、２１ｂが、装着部２１ｂ、２１ｂの端部からスクライブ１５、１５の内部へ延びており、半導体チップ１９側の内壁面１５ａ、１５ａに取り付けられることによりキャップ２１が装着されているため、半導体チップ１９の区画された基板面１３ａに、キャップ２１を装着するための大きな領域を設ける必要がない。更に、キャップ２１の装着に接着剤等の接合用部材を用いた場合にも、接着剤が基板面１３ａにはみ出してセンサ部１４に到達するおそれがないため、基板面１３ａに接着剤がはみ出すことを考慮した領域を確保する必要がない。したがって、基板面１３ａの面積を小さくすることができる半導体チップ１９を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 厚み寸法を小さくして、体積を小さくできる半導体センサを提供する。
【解決手段】 重錘３の本体部６はダイアフラム部１１の裏面と対向する上面６ａと、上面６ａと対向する下面６ｂと、上面６ａと下面６ｂとの間に位置する側面６ｃとを有している。上面６ａの外周縁部の一部と側面６ｂの上側縁部の一部とを構成するように第１のストッパ面６ｄを形成する。第１のストッパ面６ｄは、センサ本体１の第２のストッパ面１５に向かって凸となる湾曲面により形成する。湾曲面の形状は、第１のストッパ面６ｄが第２のストッパ面１５と衝突したときに支持部９に発生する応力が、支持部９とダイアフラム部１１との境界部にクラックを発生することがないように支持部９内に分散して伝搬するように定める。第１のストッパ面６ｄとセンサ本体１の第２のストッパ面１５により重錘３の変位量を所定の範囲内に規制するストッパ構造を構成する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時にＨＦ水溶液が、シリコン基板１とレジスト１１の間から内部に染み込むことを防止する。
【解決手段】表面にアルミ配線４等の回路素子と、これを保護する保護膜６が形成された半導体基板１を洗浄するために、保護膜６を覆うように洗浄用のレジスト１１を形成する。保護膜６を覆うレジスト１１が形成された半導体基板１を、純水１２中に浸漬してこのレジスト１１と半導体基板１の間隙に水分を染み込ませる。更に、レジスト１１との間隙に水分が染み込んだ半導体基板１を高温空気１２中で乾燥させ、この水分の減少で生ずる表面張力によるスティッキング作用で、半導体基板１にレジスト１１を密着させる。そして、レジスト１１が密着した半導体基板１をフッ化水素水溶液で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 静電容量型加速度センサにおいて、可動電極を有する加速度検出部を収納している密閉空間内への水分等の浸入、及び陽極接合時にキャップ８に蓄積される静電気による電界による可動電極のキャップへの張り付きを防止する。
【解決手段】 密閉空間を構成しているキャップ８の内面全面に延性変形する導電性のシールド膜９を設け、該シールド膜９を接合枠７とキャップ８との間に介在するように延在させ、かつ可動電極６と電気的に接続させることにより、接合枠７の表面に凹凸が存在していても、良好な接合枠７とキャップ８との陽極接合が可能となり、かつキャップ８に蓄積された静電気による電界を遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】 規制板にＩＣチップを用いた変位検出装置で、組立て作業中や使用中に不完全
な欠けの部分からシリコン片が脱落し、変位検出装置の性能に悪影響を及ぼすことがある
。不完全な欠けのないＩＣチップを得る。
【解決手段】 ＩＣウェファーの裏面研削方向とＩＣチップ稜線からの垂線とが成す角Θ
を、４５度未満とする。より好ましくは１０度以上４５度未満とする。Θを規定すること
で、ＩＣチップの稜部に発生する不完全な欠けを含む欠けを少なくすることができる。規
制板に稜部に不完全な欠けを持つＩＣチップを使うことが無くなり、信頼性の高い変位検
出装置を提供することができた。
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【課題】ピエゾ抵抗体が形成された可撓部を撓みやすくするための重錘部を備えた半導体センサにおいて、カバー板を支持部に取り付けるための陽極接合時に、静電気力によってカバー板に重錘部が貼り付くのを防止し、貼り付いても容易に取れるようにする。
【解決手段】半導体センサ１は、重錘部４と、重錘部４の周囲に設けられた支持部６と、重錘部４と支持部６の間で支持部６の一表面側に設けられた可撓部８と、可撓部８に設けられたピエゾ抵抗体１０と、重錘部４上及び可撓部８上に、重錘部４及び可撓部８とは間隔をもって設けられたカバー板２４と、重錘部４のカバー板２４が設けられている表面上に設けられ、重錘部４がカバー板２４に貼り付くのを防止するための突起部２２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 密閉室内の電極と電極配線の損傷を防止する力学センサの提供。
【解決手段】 密閉室を形成するガラス基板２０、２１の内側の表面に、錘部２３の変位を検出する検出電極２５ａ、２５ｂと同一材料からなる気体分子吸収材３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】高品質で安価な半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】封止体２の内部に位置する半導体チップ６と、チップ６を固定するタブ５と、外端が封止体２の外周面に露出するタブ吊りリード４と、チップ６の周囲に配置され封止体２の下面に露出する複数のリード３と、チップ６の電極とリード３を接続するワイヤとを有する半導体装置１である。チップ６はその上面に接触を嫌う部分（加速度センサ部）及び接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する。タブ５のチップ６固定面には接触を嫌う部分に対面する窪み１２が設けられている。タブ５は複数の電極から外れたチップ６の上面に接着剤を介して接着され、チップ６の接触を嫌う部分は窪み１２内に位置しタブ５には直接触れない構造となる。半導体装置１はタブ５、タブ吊りリード４及びリード３を有する金属のリードフレームを用いて製造されるためコストが低減される。 （もっと読む）

【課題】より小型化された半導体チップパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップパッケージ１は、可動部を含む可動構造体、複数の第１電極パッド１８、フレーム部の上面に可動構造体を囲んで設けられている閉環状の第１封止部２０、及び可動構造体を封止する薄板状部材３０を有する第１半導体チップ１０と、複数の第２電極パッド５２を有する第２半導体チップ５０と、第３電極パッド４２を有し、前記第１半導体チップ１０及び前記第２半導体チップ５０が搭載されている基板４０と、第２電極パッド５２及び第３電極パッド４２を接続する第１ボンディングワイヤ６２ａと、第１電極パッド１８及び第２電極パッド５２を接続する第２ボンディングワイヤ６２ｂとを具えている。 （もっと読む）

【課題】 セラミックやガラス、シリコンで形成された保護ケースを用いた加速度センサ
ーで、加速度センサー素子の錘部の下面側の角部や稜部の欠けを防ぎ、高耐衝撃性、高性
能を実現した加速度センサーを提供する。
【解決手段】 シリコンで形成された錘部の下面側とセラミックやガラス、シリコンで形
成された保護ケース内底との間に、金属やプラスチック系の衝撃緩衝材を１．０μｍ以上
の厚みで、錘部下面側もしくは保護ケース内底に付加し、錘部の下面側の角部や稜部が直
接保護ケース内底と接触しない様にする。 （もっと読む）

【課題】センサモジュールにおいて、小型化を実現すると共に、センサ素子への熱履歴の影響を低減してセンサ特性の向上を図る。
【解決手段】センサモジュール１は、センサ素子１１と、センサ素子１１を収納するための貫通空間１２ａが形成された回路基板１２と、貫通空間１２ａの上方の開口を閉塞するように、回路基板１２にバンプ２３を介して接合される板状の半導体素子１３と、センサ素子１１を収納した貫通空間１２ａの下方の開口を閉塞するように、回路基板１２及びセンサ素子１１にバンプ２１，２２を介して接合される薄板状部材からなるインターポーザ１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】重錘体を有するセンサモジュールにおいて、センサ素子への熱履歴影響の低減と、センサモジュールの低背化を図る。
【解決手段】センサモジュール１は、厚み方向に変位する重錘体Ｇが形成されたセンサ素子１１と、センサ素子１１を収納するための貫通空間１２ａが形成された回路基板１２と、貫通空間１２ａの上方の開口を閉塞するように、回路基板１２にバンプ２３を介して接合される板状の半導体素子１３と、センサ素子１１を収納した貫通空間１２ａの下方の開口を閉塞するように、回路基板１２及びセンサ素子１１にそれぞれバンプ２２，２１を介して接合される薄板状部材からなるインターポーザ１４と、を備える。インターポーザ１４は、センサ素子１１との対向面である上面が、重錘体Ｇの一定以上の下方への変位を規制するストッパ部となっている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にガラスを陽極接合した加速度センサの検査方法において、シリコン基板上の絶縁膜の膜厚を非破壊で簡単に評価できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１の上下に陽極接合されるガラス３、２と、シリコン基板１上に形成された絶縁膜のシリコン酸化膜７及びシリコン窒化膜８と、シリコン基板１内に形成された片持梁構造のカンチレバー１ａと、シリコン基板１の表面に形成されたピエゾ抵抗４とを備えた加速度センサ１０において、シリコン窒化膜８上に予め検査用を兼ねて設けたアルミ電極６と、シリコン基板１に導通するアルミ電極５bを備え、このアルミ電極５bとアルミ電極６の測定端子６aと間に容量計１１を接続して、シリコン基板１とアルミ電極６間の静電容量を測定する。この静電容量測定値から、シリコン基板１上の絶縁膜の膜厚を定量的に求めることができ、膜厚の良否を非破壊で容易に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にガラスを陽極接合した加速度センサ等の構造体の検査方法において、陽極接合後の接合部、ガラス表面の清浄度を簡単に評価できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１の上下に陽極接合されるガラス３、ガラス２と、シリコン基板１内に形成された片持梁構造のカンチレバー１ａと、シリコン基板１の表面に形成されたピエゾ抵抗４とを備えた加速度センサ１０のシリコン基板１上に、上部ガラス３の陽極接合のためのアルミ電極として、検査電極を兼ねるよう離間して設けた二つのアルミ電極６ａ、６ｂに予め検査用測定端子６ｃ、６ｄを設け、このアルミ電極６ｃ、６ｄ間にプローグ９を接続して絶縁抵抗計１１により絶縁抵抗を測定する。測定した絶縁抵抗から、陽極接合後のガラス表面の清浄度を容易に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の一面側にセンシング部およびセンシング部の信号取り出し用のボンディングワイヤを形成してなる半導体加速度センサにおいて、半導体材料からなるカバーを用いることなく、半導体基板のサイズの増大を極力抑制しつつセンシング部を被覆する。
【解決手段】 半導体基板１０の一面側にセンシング部としての可動部２０および固定電極３１、４１を有する容量式の半導体加速度センサＳ１において、半導体基板１０の一面上に、該センシング部とは離間した状態で該センシング部を被覆しつつ該センシング部の周囲部にて半導体基板１０の一面に貼り付けられた樹脂フィルム１００を設け、半導体基板１０の一面のうち樹脂フィルム１００の貼り付け領域にパッド２５ａ、３０ａ、４０ａを設け、樹脂フィルム１００のうち該パッドに対応した部位にて、該パッドと該ボンディングワイヤとを電気的に接続する部分１１０を設けた。 （もっと読む）

【課題】加速度センサチップの小型化が可能で、しかも、加速度センサチップとストッパとを接着する工程において加速度センサチップの金属配線がスペーサ部材によりダメージを受けるのを防止することが可能な加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサチップ１と、加速度センサチップ１の一表面に対向配置され重り部１２の過度な変位を規制する平板状のストッパ２と、ストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１との間に設けられたスペーサ部材８と、スペーサ部材８を覆いストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１とを接着する接着剤からなる接着部６とを備える。加速度センサチップ１のフレーム部１１には、ゲージ抵抗たるピエゾ抵抗Ｒに電気的に接続された金属配線１６のうちスペーサ部材８と重なる部分を保護する無機材料からなる保護膜１７が上記一表面側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】加速度センサチップの小型化が可能で、しかも、加速度センサチップとストッパとを接着する工程において加速度センサチップの金属配線がスペーサ部材によりダメージを受けるのを防止することが可能な加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサチップ１と、加速度センサチップ１の一表面に対向配置され重り部１２の過度な変位を規制する平板状のストッパ２と、ストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１との間に設けられたスペーサ部材８と、スペーサ部材８を覆いストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１とを接着する接着剤からなる接着部６とを備える。加速度センサチップ１のフレーム部１１には、ゲージ抵抗たるピエゾ抵抗Ｒに電気的に接続された金属配線１６のうちスペーサ部材８と重なる部分を保護する保護膜１７が上記一表面側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 外部からの応力による影響を小さくできるマイクロ構造体を提供する。
【解決手段】 半導体層１１に複数のビーム１１１〜１１４を介して重錘体１４を支持してセンサパッケージ１を構成し、センサパッケージ１を枠部材２の底面２２に配置し、底面２２に対面する支持基板層１３の底面を、底面形状の重心位置を中心として４分割した領域に分けて、そのうちの１つの領域でのみ、支持基板層１３の底面と枠部材２の底面２２とをダイボンディングペースト４で接合する。 （もっと読む）

【課題】機械・電気変換器を超小型にしても感度がよく、感度の調整幅が広く耐久性もよいものにする。
【解決手段】枠状の支持部１０によって支持される細片状の梁部２６によって錘部１２を支え、その梁部２６に機械的変動を電気的変動に変換する変換素子としてピエゾ抵抗素子２０を設け、そのピエゾ抵抗素子２０に錘部１２の機械的変動を梁部２６を介して伝達するように構成する。そして、その梁部２６をシリコン窒化膜１６と樹脂膜１８とを積層して構成する。 （もっと読む）