【課題】 加速度角速度複合センサにおいて、簡単なセンサ構成で加速度や角速度の検出を可能にすると共に、駆動振動に起因するノイズの低減を可能にする。
【解決手段】 基板１と、基板１に変位可能に支持されている一対の振動子２と、基板１に固定され振動子２との間に電圧を印加する駆動固定電極３と、基板１に固定され検出軸方向における振動子２との間の静電容量の変化を検出する検出固定電極４と、を備え、振動子２が、駆動軸方向に変位可能に、かつ、検出軸方向の変位が抑制されて支持されたジンバル部５と、ジンバル部５に対して、検出軸方向に変位可能に、かつ、駆動軸方向の変位が抑制されてジンバル部５内に支持されたマス部６と、検出軸方向に変位可能に、かつ、駆動軸方向の変位が抑制されて検出固定電極４との間で静電容量の変化を検出する検出可動電極７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 可動電極と固定電極との間の容量変化に基づいて加速度検出を行うセンサチップと回路チップとを積層してなる容量式加速度センサ装置において、両チップの積層方向にて可動電極が変位して固定電極に乗り上げるのを防止する。
【解決手段】 可動電極２４とこれに対向する固定電極３１を有するセンサチップ１００は、両電極２４、３１と回路チップ２００とを対向させた状態で回路チップ２００に積層され、両チップ１００、２００は互いの対向面にてバンプ電極３００を介して電気的に接続されており、両チップ１００、２００の積層方向における可動電極２４の厚さをａ、可動電極２４と回路チップ２００とのギャップの距離をｂ、可動電極２４と第１シリコン基板１１の一面１３とのギャップの距離をｃとしたとき、距離ｂおよび距離ｃは厚さａよりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子を用いたセンサーにおいて、製造工程においてコストが高くなるという課題があった。
【解決手段】機械的に可動な可動子片に機械的変動を電気的変動に変換する素子と、くびれ部を有する錘部と、錘部を支える梁部と、錘部と梁部とが接する錘接続基部とを有する。その製造方法は、梁部と錘部との形成工程を融合し、３つの特性の異なるエッチング工程である、異方性の第２のエッチング工程と等方性の第３のエッチング工程と異方性の第４の異方性エッチング工程とを適切に用い、さらに材料の選択を行って、少ない工程で梁部と錘部を同時に形成でき、製造工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】フレーム部の一表面に直交する方向への重り部の変位量を制限するストッパ片の破損が起こりにくく耐衝撃性に優れた半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】センサチップ１は、矩形枠状のフレーム部１１の開口窓内に配置される重り部１２がフレーム部１１の一表面側において撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。重り部１２は、コア部１２ａと、コア部１２ａと一体に形成されコア部１２ａとフレーム部１１との間の空間に配置される付随部１２ｂとを有する。フレーム部１１は、上記一表面に直交する方向において付随部１２ｂと離間し上記一表面側への付随部１２ｂの変位量を制限する薄肉のストッパ片１５が各コーナー部１１ａそれぞれから一体に突設され、ストッパ片１５における付随部１２ｂとの対向面側においてストッパ片１５を補強する補強部１６が一体に突設されてなる。 （もっと読む）

【課題】
センサの全体の高さを低くする。
【解決手段】
ダイヤフラム４〜７を有する第２部材３と、ダイヤフラム１４〜１７を有する第１部材２とを、各ダイヤフラムの中心位置に形成された嵌合孔３ａ、２ａに中心軸８を嵌合させることによって連結する。第２部材３の下面であって第１部材２に対向する面上に、各ダイヤフラム４〜７ごとに８個の歪みゲージを設ける。 （もっと読む）

【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のうち互いに対向する２つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、その全長をＬ、ダイヤフラム３の内側からエッジまで長さをＬeffとしたとき、０．５＜Ｌeff／Ｌ＜１なる関係を満たすように、ダイヤフラム３の内側と外側とに跨って配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ピエゾ抵抗型半導体装置において、ダイヤフラムの形成領域を増加させることなしに、検出感度の向上及び出力の直線性の向上を図る。
【解決手段】
ダイヤフラム３と、ダイヤフラム３の外周に接続してダイヤフラム３を支持しダイヤフラム３よりも相対的に厚く形成された支持枠１と、ダイヤフラム３に垂直な方向の加速度や圧力を印加したことによるダイヤフラム３の変形により歪むことで発生する応力を検出するピエゾ抵抗型応力検出部４ａ，４ｂとを備えたピエゾ抵抗型半導体装置１０において、ピエゾ抵抗型応力検出部４ａに接する位置においてダイヤフラム３の少なくとも一部が除去されて溝９が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】 圧力検出用のダイアフラムを有する金属ステムのダイアフラムの表面に、歪みゲージを有する半導体基板を固定してなる圧力センサにおいて、感度の向上および精度の向上に適した構成を実現する。
【解決手段】 金属ステム１０のダイアフラム１１の表面に、歪みゲージ２４を有する半導体基板２０が取り付けられてなる圧力センサ１００において、半導体基板２０は、絶縁層２３を第１および第２の半導体層２１、２２で挟んでなる積層構造を有し、第１の半導体層２１には、第１の半導体層２１の表面から絶縁層２３にまで到達するトレンチ２５により絶縁分離されたパターン形状を有する歪みゲージ２４が形成され、第２の半導体層２２のうち歪みゲージ２４に対応する部位には、絶縁層２３にまで達する凹部２８が形成され、ダイアフラム１１は凹部２８内に入り込み凹部２８の底面を構成する絶縁層２３に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】非常に小型の半導体圧力センサーにおいて、ダイヤフラムに対して十分に強い強度を確保しつつ、高感度を達成する。
【解決手段】被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム１が、ｎ型シリコン単結晶領域２とその表裏に形成された絶縁膜によって形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２の、拡散抵抗層７が形成された表面上の絶縁膜であるＳｉＯ膜４とＳｉＮ膜５の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるＳｉＯＮ膜３の膜厚より薄い。 （もっと読む）

シリコンマイクは、高濃度にドープされたシリコン層、シリコン層、２つのシリコン層の間の中間酸化物層とを含む第１ウェハーを提供するステップを有する方法で形成される。第１ウェハーは、高濃度にドープされたシリコン層の１面上の第１主要面と、シリコン層の１面上の第２主要面とを有する。第２シリコンウェハーは、第１主要面と第２主要面とを有する。酸化物層が、第１および第２シリコンウェハーの少なくとも第１主要面上に形成される。第１ウェハーの第１主要面上の酸化物層を貫通し、高濃度にドープされたシリコン層まで到るキャビティがエッチングにより形成される。第１ウェハーの第１主要面が、第２ウェハーの第１主要面に、貼り合わされる。金属層が、第２ウェハーの第２主要面上に形成される。金属層および第２ウェハーの第２主要面がパターンニングの後、アコースティック・ホールがエッチングにより形成される。少なくとも１つの電極が第１ウェハーの高濃度にドープされたシリコン層上に形成され、少なくとも１つの電極が第２ウェハー上に形成される。第１ウェハーの酸化層は、シリコンマイクの製造中、少なくともダイアフラムの背面からエッチングされる。
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【課題】測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサは、圧力に応じて変形する上部電極が形成された第１の基板と、下部電極が形成された第２の基板とが誘電体膜を介して対向配置され、ダイアフラムの押圧により変化する第１の基板と第２の基板とで形成される静電容量の変化に応じて圧力を検出する静電容量型圧力センサであって、下部電極が、第２の基板に形成された溝を導電性材料で埋めて形成され、かつ形成された下部電極の表面が第２の基板の表面と同じ高さを有することで第１の基板と第２の基板の接合性を高めることができるので、測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサを提供することができる。 （もっと読む）