【課題】非金属材料からなる保護膜の不所望なエッチングを防止することができる、ＭＥＭＳセンサの製造方法およびＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコンウエハＷの一方面上に、第１犠牲層２４、ダイヤフラム６、第２犠牲層２５、バックプレート８および保護膜１０が形成される。保護膜１０の材料にポリイミドが用いられ、第２犠牲層２５の材料にＡｌが用いられる。そして、保護膜１０に、バックプレート８の孔９と連通する孔１３が形成される。また、保護膜１０におけるバックプレート８の周囲に、孔１４が形成される。そして、保護膜１０の内側に孔９，１３，１４を通して塩素系ガスが供給されることにより、第２犠牲層２５が除去される。 （もっと読む）

【課題】フレームと可動部とを連結する連結部のバネ定数の変動を抑制するのに適したマイクロ可動素子、および、そのようなマイクロ可動素子を備える光スイッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、フレーム３０、可動部２０、及びこれらを連結する連結部４２が形成されているマイクロ可動基板Ｓ１と、支持基材Ｓ２と、マイクロ可動基板Ｓ１のフレーム３０および支持基材Ｓ２の間に介在してフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合する複数のスペーサ９０Ａ，９０Ｂと、フレーム３０および支持基材Ｓ２の間に介在してフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合するスペーサ部９１Ｃ，９２ならびに当該スペーサ部を覆ってフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合する接着剤部９３を有する少なくとも一つの強固定部９０Ｃとを備える。強固定部９０Ｃは、二つのスペーサ９０Ａ，９０Ｂの間に位置する。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤフラムなどの振動膜の振動しやすさを確保しながら、振動膜とバックプレートなどの対向電極との接触による短絡を、簡単な構成で防止することのできるＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】 シリコンマイク１において、シリコン基板２の一方側に、シリコン基板２に対して間隔を空けて対向するように、金属電極１０が、所定の樹脂材料からなるダイヤフラム被覆膜１１に被覆されてなるダイヤフラム８を形成する。また、ダイヤフラム８に対してシリコン基板２の反対側において、ダイヤフラム８に対して間隔を空けて対向するように、導電性材料からなるバックプレート９を形成する。 （もっと読む）

【課題】感度を維持しつつ小型化が可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】センサ素子２０は、凹部１１ａを有する重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、重り部１１の材料より比重の大きい材料からなり、且つ凹部１１ａに埋入される重り部材２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】被覆膜で被覆された犠牲層をエッチングするときに、エッチングによる被覆膜の損傷の発生を抑制できる犠牲層のエッチング方法、該エッチング方法を用いたＭＥＭＳデバイスの製造方法および該製造方法により製造されるＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】シリコン基板２上に犠牲酸化膜２９を形成し、犠牲酸化膜２９を、シリコン基板２の一方面に対向する対向部１７と、シリコン基板２の一方面に形成された段差部１９と、対向部１７と段差部１９とを連設する側部１８とを有する表面膜１１で被覆する。次いで、側部１８に、犠牲酸化膜２９とのエッチング選択比が、表面膜１１の犠牲酸化膜２９とのエッチング選択比よりも大きい材料からなる保護膜１６を形成する。そして、犠牲酸化膜２９をエッチングして、表面膜１１をシリコン基板２との間に中空部分を有する状態で支持される中空支持膜とすることにより、シリコンマイク１を得る。 （もっと読む）

【課題】 センサチップの一方側に高精度でシリコンチップを貼合でき、さらに、貼合されたシリコンチップに対して、センサチップの他方側に貼合される封止チップを高精度に位置合わせすることのできる加速度センサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 センサチップ２の一方側にシリコンチップ３が接合されてなる加速度センサ１において、物理量の変化に応じて動作する可動部を有するセンサチップ２に、厚さ方向に貫通し、センサチップ２の上側から下側を視認可能な貫通溝１４を形成する。一方、シリコンチップ３には、センサチップ２の貫通溝１４に対向する部分に、アライメントマーク１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極の形成時でのレジストの残渣を低減できる力学量センサおよび積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】積層体の製造方法が，基板上に，金属をそれぞれ含む第１，第２，および第３の導体層を順に形成するステップと，前記第３の導体層をパターニングするステップと，前記パターニングされた第３の導体層をマスクとして，前記第２の導体層をパターニングするステップと，前記パターニングされた第２の導体層をマスクとして，前記第１の導体層をパターニングするステップと，前記パターニングされた第３の導体層を除去するステップと，を具備する。 （もっと読む）

【課題】デバイス本体の一表面側に設けられた外部接続用電極と気密封止される機能部とを電気的に接続でき、且つ、デバイス特性に悪影響を与える寄生容量を低減できる気密構造体デバイスを提供する。
【解決手段】第１のカバー基板２が、デバイス本体１の上記一表面側に設けられた複数の外部接続用電極１８が露出するようにデバイス本体１に接合され、デバイス本体１が、当該デバイス本体１の一部と各カバー基板２，３とで囲まれる空間に配置された機能部である固定電極２４と外部接続用電極１８とを電気的に接続する配線の少なくとも一部を構成する島部１７と、島部１７を全周に亘って囲む分離溝１１ｃに埋設された絶縁材料からなり上記空間を気密封止し且つ島部１７をデバイス本体１における分離溝１１ｃの外側の支持部１１と電気的に絶縁する絶縁分離部１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板に設けられた、固定電極及び可動電極用の導電部材間の寄生容量を低減させて高感度を示す静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明の電極基板は、一対の主面を有する基板１９と、前記基板１９を貫通し、前記基板の両主面で露出するように形成された複数の導電部材１６ａ，１６ｂ，１６ｇと、少なくとも一つの導電部材１６ｇを囲むように形成されたグランド電極１６ｈと、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い周波数特性が得られるようにする。
【解決手段】固定電極４３が形成された固定基板４１と、固定基板４１上に搭載固定された枠体３１と、枠体３１に支持梁３２を介して支持され、入力加速度に応じて固定基板４１の板面と平行方向に変位する可動体３３と、可動体３３に形成された可動電極３４とよりなる。固定電極４３は固定基板４１に配列形成された貫通穴４６によって前記変位方向に複数に分割され、可動電極３４は可動体３３に配列形成された貫通穴３５によって前記変位方向に複数に分割されている。固定電極４３の分割された電極４３ａと可動電極３４の分割された電極３４ａとは前記変位方向においてずれて位置されている。 （もっと読む）

【課題】 小型で温度安定性に優れた加速度センサー装置を提供する。
【解決手段】 可動部を有するＭＥＭＳチップとＭＥＭＳチップの少なくとも可動部を密
封するキャップチップとで形成されたＭＥＭＳ組立体を有し、配線基板と回路基板と前記
ＭＥＭＳ組立体を積層し、前記配線基板と前記回路基板の間を第１のダイアタッチフィル
ムで接続し、前記回路基板と前記ＭＥＭＳ組立体の間を第２のダイアタッチフィルムで接
続し、前記ＭＥＭＳチップと前記回路基板、前記回路基板と前記配線基板は、おのおの配
線で接続され、前記配線基板上において、前記回路基板、前記配線および前記ＭＥＭＳ組
立体が樹脂部材で封止されていることを特徴とする半導体センサー装置。 （もっと読む）

【課題】 小型で温度安定性に優れた加速度センサー装置を提供する。
【解決手段】 可動部を有するＭＥＭＳチップとＭＥＭＳチップの少なくとも可動部を密
封するキャップチップとで形成されたＭＥＭＳ組立体を有し、配線基板と回路基板と前記
ＭＥＭＳ組立体を積層し、前記配線基板は前記ＭＥＭＳ組立体の幅方向および長さ方向に
おいて対称な構造であり、前記ＭＥＭＳチップと前記回路基板、前記回路基板と前記配線
基板はおのおの配線で接続され、前記配線基板上において、前記回路基板、前記配線およ
び前記ＭＥＭＳ組立体が樹脂部材で封止されていることを特徴とする半導体センサー装置
。 （もっと読む）

【課題】 最終的なパッケージ封止後であってもピエゾ抵抗素子のブリッジ回路の温度補償を容易に行うことができ高感度のセンサ機能を安定して発現するセンサを提供する。
【解決手段】 センサを、枠部と、この枠部から内側方向に突出する複数の梁部と、梁により支持される錘部と、梁部に配設されたピエゾ抵抗素子と、ピエゾ抵抗素子により構成されたブリッジ回路を有する検出部とを備えたものとし、ピエゾ抵抗素子を直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各軸方向の物理量を検出するように少なくとも４個づつ配設し、ブリッジ回路の４辺の少なくとも１つの辺にはピエゾ抵抗素子と直列に温度補償回路を接続し、この温度補償回路を、ピエゾ抵抗素子と直列に接続された少なくとも１個の温度補償用抵抗と、各温度補償用抵抗と並列に接続された調整用配線と、各調整用配線に接続された複数の調整用パッドからなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 規格化された高さのゲージ部を有する力検知素子を簡易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 力検知素子１００は、基部層２と絶縁層４と半導体層６が積層された積層基板７を有している。一対の電極１０ａ、１０ｂ間を所定高さで伸びているゲージ部１４が、半導体層６に設けられている。力検知素子１００の製造方法は、ゲージ部１４の所定高さよりも厚い半導体層６を有する積層基板７を用意し、半導体層６の表面からゲージ部１４の所定高さだけエッチングして第１溝１５を形成し、第１溝１５の側方に凸状のゲージ部１４を形成する第１エッチング工程を備えている。 （もっと読む）

【解決手段】キャリア（１）上に、接着層（４）、ＡＳＩＣチップ（２）及びセンサチップ（３）が上下方向に配設される。これらのチップを電気的に接続するためのチップ間接続部材（５）が設けられると共に、ＡＳＩＣチップ内の集積回路を外部と電気的に接続するためのＡＳＩＣ用接続部（６）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】検出感度を低下させることなく検出不良を防止することができる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】錘として機能する可動電極１２ｃと、可動電極１２ｃを収容する空間が形成されたシリコン製基板１１と、可動電極１２ｃをシリコン製基板１１に対して昇降可能に支持する撓み梁１１ｃと、可動電極１２ｃに対して所定の間隔を置いて対向する固定電極１４ｅを有し、シリコン製基板１１の主面に接合されたガラス基板１３とを具備し、撓み梁１１ｃは、平面視において可動電極１２ｃから所定の間隔をおいて可動電極１２ｃの周囲に沿う長尺部２１ａと、長尺部２１ａ及び可動電極１２ｃを連結する連結部２１ｂとを有しており、ガラス基板１３には、撓み梁１１ｃに対向する位置に撓み梁１１ｃとガラス基板１３とが接触するのを防止するための逃げ溝１３ａを形成して構成した。 （もっと読む）

【課題】センサ基板とキャップ基板との接合信頼性を高めることができるセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の接合層１４と第２の接合層２４とを接触させてセンサ基板１およびキャップ基板２に所定の荷重を印加し（図１（ａ））、続いて、センサ基板１およびキャップ２それぞれに吸着しているガス成分を除去する脱ガス処理を行う（図１（ｂ））。その後、Ａｕ−Ｓｉ系の共晶温度以上であり且つゲッタ４の活性化温度よりも高い規定温度に加熱してシリコン膜１４ａのＳｉを第１の密着膜１４ｂを通して第１のＡｕ膜１４ｃへ拡散させるとともに第２のシリコン基板２０のＳｉを第２の密着膜２４ｂを通して第２のＡｕ膜２４ｃへ拡散させて第１の接合層および第２の接合層を溶融させる（図１（ｃ））。その後、上記共晶温度よりも低い温度に冷却する（図１（ｄ））。 （もっと読む）

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）容量性センサ（５２）は、可動要素（５６）であって、可動要素（５６）の端部（８０，８４）の間で変位した回転軸（６８）を中心に旋回可能な、可動要素（５６）を含む。静的導電性層（５８）は、可動要素（５６）から離間し、電極要素（６２，６４）を含む。可動要素（５６）は、長さ（７８）を示す、回転軸（６８）と一方の端部（８０）との間のセクション（７４）を含む。可動要素（５６）は、さらに、セクション（７４）の長さ（７８）より短い長さ（８２）を示す、回転軸（６８）と他方の端部（８４）との間のセクション（７６）を含む。セクション（７４）は、端部（８０）から回転軸（６８）に向かって可動要素を貫通して延在する溝（８８）を含む。溝（８８）は、センサ性能を改善するために、パッケージ応力を補償する応力逃がしをセクション（７４）内に提供する。
（もっと読む）

【課題】半導体層と絶縁膜との間の応力集中を緩和することで機械的信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】支持基板９の上面上にｐ型不純物がドープされた酸化膜１０を介して形成されたシリコン層１１について当該シリコン層１１を第１幅Ｗ１の第１電極部分となる可動電極３ｄ、固定電極４ｂと、第１幅Ｗ１よりも広い第２幅Ｗ２の第２電極部分となるシリコン層１１（可動部３の一部）とを酸化膜１０の上面が露出するまで例えば異方性エッチング処理によって分断処理することで複数に加工する。次に、露出した酸化膜１０をシリコン層１１の下の中央寄りの支持部１０ｂを残留させながら支持部１０ｂ脇の酸化膜１０を例えば等方性エッチングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】温度特性が良好であり、温度変化の影響を小さくして、安定して加速度を検出すること。
【解決手段】本発明の静電容量型加速度センサは、錘部１２ａ〜１２ｄを有するシリコン製基板１１と、このシリコン製基板１１の一方の主面と接合されており、錘部１２ａ〜１２ｄに対して静電容量を検出するための固定電極１４ａ〜１４ｆを有するとガラス基板１３と、シリコン製基板１１の他方の主面と接合されたガラス基板１５とを、具備し、Ｚ軸方向用のセンサ部は、錘部１２ｃが加速度によりシリコン製基板１１に対して撓み梁１１ｃにより昇降可能に支持されてなるセンシング部Ａと、このセンシング部Ａの静電容量に対して参照容量となる容量を持つ参照部Ｂと、を有し、参照部Ｂにおいては、錘部１２ｄがシリコン製基板１１に対して支持されていることを特徴とする。 （もっと読む）