【課題】 ＭＥＭＳセンサーを小型化すること。
【解決手段】 ＭＥＭＳセンサーは、固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部１１０に固定され、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）の一方の電極を構成する少なくとも一つの固定電極部１５０と、可動錘部１２０と一体的に移動し、かつ固定電極部１５０と対向して設けられる、容量素子の他方の電極を構成する少なくとも一つの可動電極部１４０と、可動錘部１２０に設けられ、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）からの信号を増幅する増幅回路を有する検出回路２４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの一例であるシリコンマイク１は、開口５が貫通して形成されたシリコン基板２と、開口５に対向して設けられ、その対向方向に振動可能な振動膜６と、振動膜６に形成された圧電素子９とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】振動子エレメントの両端に溝部を設けた静電容量型超音波振動子において、全体に占めるセル領域の面積比率を低下させず、かつ発生させる超音波の出力低下のない静電容量型超音波振動子を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板の上面に配設された第１の電極と、該第１の電極と対向し所定の空隙を隔てて配設された第２の電極と、該第２の電極を支持するメンブレンとからなる振動子セルから構成され、駆動制御信号を入出力する最小単位である振動子エレメントと、前記シリコン基板の背面に電極パッドを介して接合したフレキシブルプリント基板とから構成される静電容量型超音波振動子において、隣接する前記振動子エレメント間に溝部が設けられ、該溝部に導電膜が形成されていることにより、上記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】高い感度で外力を検出することができるＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】基板５０と、基板５０上に配置された第１の支持部５１及び第２の支持部５２と、第１可動電極１１を有し、第１可動電極１１から離間した位置において第１の支持部５１に固定され、外力により変位する第１の可動部１０と、第１可動電極１１と対向して配置された第２可動電極２１を有し、第２可動電極２１から離間した位置において第２の支持部５２に固定され、外力により変位する第２の可動部２０とを備え、第１可動電極１１と第２可動電極２１との対向位置Ａと第１の可動部１０の重心位置Ｃ１との間において第１の可動部１０が第１の支持部５１に固定され、第２の可動部２０の重心位置Ｃ２を挟んで対向位置Ａと対向する位置において第２の可動部２０が第２の支持部５２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】基板と垂直なＺ方向に変位する可動錘部の質量を増大させることができ、ＣＭＯＳプロセスを用いて自在かつ容易に製造可能なＭＥＭＳセンサーを提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部が、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層と、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。可動電極部１４０Ａは積層構造体にて形成され、これと対向する固定電極部１５０Ａとの間の対向面積が可動錘部のＺ方向変位に応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】外力に対して出力が変化しにくく、高い感度と耐衝撃性を両立できる加速度センサーを実現する。
【解決手段】錘部と、錘部を取り囲む支持枠部と、錘部を支持枠部に接続して保持する可撓性を有する複数の梁部と、梁部上に設けられたピエゾ抵抗素子とそれらをつなぐ配線を有し、支持枠部とともに錘部の周囲を囲む上蓋と下蓋が支持枠部の表裏面に接合され、ピエゾ抵抗素子の抵抗変化から、接合厚さ方向の第１軸と、それに垂直な平面内の第２軸および前記平面内で第２軸に垂直な第３軸の３つの軸方向、あるいはそれらのいずれかの軸方向の加速度を検出する蓋付き加速度センサー素子であって、支持枠部は分離溝によって内枠と外枠とに分離され、上蓋および下蓋は外枠に接合され、内枠は可撓性を有する複数の内枠支持部により外枠に接続され、前記梁部は第２軸と第３軸に沿って錘部の両側に接続し、内枠支持部は第２軸と第３軸から略４５度回転した方向で内枠の両側に接続する蓋付き加速度センサー素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】重り部の強度を維持しつつ梁部を長くすることが可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】加速度センサ素子１は、開口部１３が形成された固定部３と、開口部１３内に配置される重り部７と、一方端が重り部７に連結され、他方端が固定部３に連結される梁部５と、梁部５に設けられ、梁部５の変形に伴って抵抗値が変化する抵抗素子９とを有する。重り部７は、梁部５の一方端が連結される主部１５と、主部１５に連結され、梁部５の重り部７側の端部よりも固定部３側に突出する付属部１７とを有する。付属部１７（非重なり部１９）は、開口部１３の開口方向に見て梁部５と重ならない位置において主部１５に連結されている。さらに、付属部１７（重なり部２１）は、梁部５よりも第２主面Ｓｂ側、且つ、開口方向に見て梁部５と重なる位置において主部１５に連結されている。 （もっと読む）

【課題】 容量型機械電気変換素子において、大面積かつ狭電極間隔（ギャップ）の犠牲層エッチング速度を高速かつ安定にでき、アレイ素子の生産性（均一性、歩留まり）を向上する。
【解決手段】 基板と、該基板上に配置された支持部によって基板と所定の間隔を保って保持される振動膜から形成されるキャビティと、表面がキャビティに露出した第１の電極と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われた第２の電極とを有し、第１の電極は基板の表面または振動膜の下表面に設けられ、第２の電極は第１の電極と対向して振動膜の表面または基板表面に設けられた容量型機械電気変換素子であって、
第１の電極の表面にその第１の電極を形成する物質の酸化膜からなる微粒子が配置され、この微粒子の直径が２ｎｍから２００ｎｍの範囲であることを特徴とする容量型機械電気変換素子、およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結され、周囲に第１，第２空隙部１１１，１１２が形成されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部１２０Ａが、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された層間絶縁層と、層間絶縁層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有する。プラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。複数の導電層の一つが可動電極面を有する可動電極部１４０Ａとなり、これと対向する固定電極部１５０Ａが設けられる。 （もっと読む）

面外（または、垂直）サスペンション方式を使用するMEMS質量-バネ-ダンパシステム（MEMSジャイロスコープおよび加速度計を含む）であって、サスペンションがプルーフマスに対して垂直であるMEMS質量-バネ-ダンパシステムが開示される。そのような面外サスペンション方式は、そのようなMEMS質量-バネ-ダンパシステムが慣性グレード性能を達成するのを助ける。MEMS質量-バネ-ダンパシステム（MEMSジャイロスコープおよび加速度計を含む）において面外サスペンションを製造する方法も開示される。

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【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、センサ部１０とキャップ部２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】基板のダイシングされる部分にアンダーカットを発生させることなくセンサチップを製造するセンサチップの製造方法を提供する。
【解決手段】センサチップ１００の製造方法は、以下の工程を備えている。第１主表面１ａを有する基板１が準備される。第１主表面１ａ上に第１の膜２ａが形成される。第１の膜２ａ上に第１の膜２ａとは異なる材質からなる絶縁膜３（第１絶縁膜）が形成される。絶縁膜３（第１絶縁膜）上に導電性の抵抗部４が形成される。抵抗部４が形成されていない絶縁膜３（第１絶縁膜）の部分がエッチングされて開口部６が形成され第１の膜２ａが露出される。開口部６から露出された第１の膜２ａがエッチングされて基板１の第１主表面１ａが露出される。開口部６から露出された基板１の部分が切断される。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性を向上させた加速度センサ及び加速度センサ装置。
【解決手段】
固定部５０と、固定部５０に対して変位可能な重り部７と、固定部５０および重り部７を連結するとともに重り部７の変位に伴って撓む梁部５と、を含み、固定部５０および重り部７は、少なくとも一方の側面の梁部５との連結部１２外周に、梁部５の長手方向に沿って断面視凹曲線の内面６を有した溝部４を備えたことによって、耐衝撃性を向上させた加速度センサ及び加速度センサ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】
固定部と、前記固定部に対して変位可能な錘部と、第１端が前記固定部に、第２端が前記錘部に接続される梁部と、前記梁部に配置され、前記梁部の撓みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、前記抵抗素子の抵抗値を外部回路に接続するための導体層であって、前記抵抗素子に電気的に接続され、前記錘部の変位によりかかる応力が前記抵抗素子よりも小さい位置に配置された接続部と、前記接続部から延び、前記抵抗素子と異なる厚み位置に広がる面に配置される配線部と、を有する導体層と、を含む加速度センサ。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳチップとシリコン製キャップチップを接合したＭＥＭＳ組立体を樹脂
モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接
触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。
【解決手段】 シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェッ
トエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき
、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や
線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】プロセスの簡略化および静電引力の対策をともに行って、安価でありかつ高性能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の三層の半導体層の中央を分断する溝を設けて第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。さらに空間部１７の底方向隙間１７ｆを確保し、可動ゲート電極１５に対する底方向への静電引力の影響を受けにくくしている。また、可動ゲート電極１５に対する側壁間方向の静電引力も相殺している。従って、可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＩＣ表面にセンサ部が形成された構造において、スティッキング防止構造を簡単に形成できるＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＩＣ１１と、ＩＣ表面の凹凸に倣って形成された保護層１３と、前記保護層１３上に形成されたセンサ部１４とを有する。前記センサ部１４には、可動電極部１４ａを有するセンサ機能部１９が設けられ、前記センサ機能部１９は、空間２２を介して、表面１３ａが凹凸面から成る前記保護層１３と対向している。本発明では、ＩＣ表面の凹凸を利用し、その凹凸に倣って保護層１３の表面１３ａを凹凸面で形成することで、可動電極部１４ａと保護層１３との間の接触面積を小さくでき、簡単な構造で適切にスティッキングを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 特に、センサ部材とキャップ部材間の応力を効果的に緩和できるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 センサ部材４とキャップ部材５とが接合層６を介して接合されている。前記センサ部材４は、前記接合層６側からセンサ領域を備える第１シリコン部材１、第１酸化絶縁３層及び第２シリコン部材２の順に積層されている。前記キャップ部材５は、前記接合層６側から第３シリコン部材７、第２酸化絶縁層８及び第４シリコン部材９の順に積層されている。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、また、物理量を高精度で検出可能であり、また、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供する。
【解決手段】弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１２が形成された可動錘部１２０を有するＭＥＭＳセンサー１００Ａにおいて、可動錘部１２０は、複数の導電層１２１Ａ〜１２１Ｄと、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層１２２Ａ〜１２２Ｃと、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された所定の埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグ１２３Ａ〜１２３Ｃと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、一または複数の長手方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。 （もっと読む）