【課題】力学量の検出を行う感知部を有するセンサチップを、基板に搭載したものを、封止部材により封止してなるセンサ装置において、封止部材によってセンサチップに発生する応力を極力低減する。
【解決手段】感知部１１を表面に有するセンサチップ１０を、基板２０の一面側に搭載した後、センサチップ１０および基板２０を封止部材３０により被覆して封止するセンサ装置の製造方法であって、基板２０の一面側にセンサチップ１０を搭載するとともに、センサチップ１０の表面に揮発性を有する樹脂５０を配置して、当該表面を樹脂５０で被覆した後、これらセンサチップ１０および基板２０を封止部材３０によって封止し、その後、封止部材３０を硬化するとともに、樹脂５０を加熱して揮発させてセンサチップ１０の表面のうち封止部材３０で被覆されている部位と封止部材３０との間に空隙４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 生産性が高く小型な加速度センサ素子及び加速度センサを提供する。
【解決手段】
錘部と、平面視で外形が矩形状であり、前記錘部を囲繞する枠状の固定部と、一方端が前記錘部に、他方端が前記固定部に接続された梁部と、前記梁部に設けられ、前記梁部の撓みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、平面視で前記錘部に重なるように配置され、前記固定部の一主面側の辺上に固定された規制板と、を有する加速度センサ素子。 （もっと読む）

【課題】金属部材同士の接触が良好であり信頼性の高い構造を備える微小デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１０を用いて形成されセンサ部を備えるセンサ基板１と、センサ基板１の一表面側に接合されるカバー基板２とを備え、センサ基板１の一表面側に第１の接続用金属層１６が形成され、第１の接続用金属層１６を囲む所定領域を第１の接合用領域となし、カバー基板２のセンサ基板１側の表面には第１の接続用金属層１６に対向する位置に第２の接続用金属層２６が形成され、カバー基板２のセンサ基板１側の表面において第１の接合用領域に対向する位置を第２の接合用領域となし、第１の接続用金属層１６と第２の接続用金属層２６とが共晶結合され電気的に接続されるとともに、第１の接合用領域と第２の接合用領域が接合され、センサ部が閉塞されるようにセンサ基板１とカバー基板２とが接合されてなるようにした。 （もっと読む）

【課題】 静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積、可動電極部のダンピング係数、可動錘部の質量、バネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】 基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーにおいて、可動錘部１２０は、積層構造体からなる第１可動錘部１２０Ａの下方に位置し、基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂを含み、可動電極部１４０は、積層構造体からなる第１可動電極部１４０Ａの下方に位置し、基板の材料にて形成される第２可動電極部１４０Ｂを含み、弾性変形部１３０は、積層構造体からなる第１弾性変形部１３０Ａの下方に位置し、基板の材料にて形成される第２弾性変形部１３０Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単で安価に製造することが可能な半導体圧力センサ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】静電容量の変化により圧力を検出する半導体圧力センサにおいて、静電容量の一方の電極となる第１の半導体基板１と、薄肉化されて感圧部のダイヤフラム７を構成し、静電容量の他方の電極となる第２の半導体基板２と、第１の半導体基板１と第２の半導体基板２との間に積層されて、第１の半導体基板１と第２の半導体基板２との間に静電容量の容量ギャップとなる空間を形成するガラス基板３とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れた加速度センサーを得ること。
【解決手段】固定電極４１と可動電極２１との間の距離が変化するＸ軸方向の加速度印加時において、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０に存在する気体の流れは、対向面に形成された一方向に向かって延びる凸部４３によって一方向への流れが発生する。この気体の流れによるスクイーズフィルムダンピングにより、大きな減衰定数ｃを得ることができる。したがって、可動部２０と支持体１０との間隔を狭くすることなく、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０の構造によって減衰定数ｃの調節を可能にでき、可動部２０と支持体１０との衝突破壊が低減した耐衝撃性の優れた加速度センサー１００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導電路の機能劣化を抑制しつつ、寄生容量を低減させる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、電気装置を提供する。この電気装置は、導電性の基板層と、基板層の表面に積層されている絶縁層と、絶縁層の表面に積層されており、導電路を形成する平面形状にパターニングされているとともに、導電性の単結晶で形成されている導電層を備える。この電気装置では、その導電層の表面から裏面に達する側壁が、前記導電層の表面に対して、前記導電層の裏面側表面積が前記導電層の表面側表面積よりも縮小する方向に傾斜していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、かつ、他軸感度比率が小さく、正確に力学量を検出することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサは、枠体と、前記枠体の内側に位置する変位部と、前記枠体に対し前記変位部を揺動可能に支持する梁部とが形成された第１の半導体基板と、開口部を有し、前記枠体に接続された支持部と、前記開口部内で前記変位部に接続された錘部とが形成されており、前記第１の半導体基板に絶縁層を介して積層された第２の半導体基板と、前記第１の半導体基板上に設けられており、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子とを備え、前記梁は、一端が前記枠体に固定され、他端が前記変位部に固定されると共に、前記変位部の外周面との間に所定の間隔をとって前記変位部の外周面に沿って延設されており、前記梁の他端が相対的に太いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工プロセスに起因したセンサ感度のばらつきを抑えて製造時の歩留まりを向上することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】枠体１１の内側に梁部１３により変位部１２を揺動可能に支持する第１の基板２と、開口部２３を有する支持部２１、変位部１２に接続した錘部２２が形成された第２の基板３と、梁部１３の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子１７とを備え、平面視において、第１の基板２および第２の基板３が、少なくとも枠体１１の内縁１１ａにおける梁部１３との接続部分が支持部２１の開口縁２１ａの外側に位置すると共に、少なくとも変位部１２の外縁１２ａにおける梁部１３との接続部分が錘部２２の外縁２２ａの内側に位置するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】検出素子に対する配線の引き回しが簡易である力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサは、枠体と、変位部と、前記枠体に対し前記変位部を揺動可能に支持する梁部とを有する第１の半導体基板と；前記枠体に接続された支持部と、前記変位部に接続された錘部とが形成されており、前記第１の半導体基板に絶縁層を介して積層された第２の半導体基板と；上部電極と、下部電極と、前記上部電極及び下部電極間に挟持された圧電薄膜とで構成され、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子とを備え、前記下部電極が前記第１の基板と電気的に導通されており、前記変位部が第１のコンタクトホールを介して前記錘部と電気的に導通されており、前記枠体の一つの電極パッドが第２のコンタクトホールを介して前記支持部と電気的に導通されており、前記錘部、前記変位部、前記梁部、前記下部電極、前記枠体及び前記支持部が導通されてアースとなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い感度を示すことができる力学量検出センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサの製造方法は、活性層、ベース層及び前記活性層と前記ベース層との間に挟持された絶縁層で構成されたＳＯＩ基板の前記ベース層を加工して、枠体と、前記枠体の内側に位置する錘と、前記枠体に対し前記錘を揺動可能に支持する梁部と、を形成する工程と、前記梁部の厚さを薄くする工程と、前記活性層上に、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子を形成する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、小型化可能な力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】
矩形枠状の枠体１１と、枠体１１の内側に配置された変位部１２と、枠体１１の一辺から対向辺に向かって延在する長尺部１５と長尺部１５に連なり、変位部１２の四隅に接続される接続部１６とを有し、枠体１１の四辺と変位部１２とを接続する４つの梁部１３と、枠体１１との接続部分に位置する検出素子１７とを有し、梁部の１３の撓みを検出素子１７によって検出することにより、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸方向の加速度を検出する。 （もっと読む）

【課題】センサを大型化することなく、支持部と錘部とのスティッキングを抑制することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】開口部２３を有する支持部２１と、支持部２１の開口部２３の内側に位置し、支持部２１の内側面２８に対向する外側面２７を有する錘部２２と、支持部２１の各内側面２８と錘部２２の各外側面２７との間にそれぞれ位置し、錘部２２を揺動自在に支持する複数の梁部１３と、複数の梁部１３の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する複数の検出素子１７とを備え、平面視において、錘部２２の各外側面２７と支持部２１の各内側面２８との間隔が、それぞれ錘部２２の外側面２７と支持部２１の内側面２８との間に位置する梁部１３の揺動時の支点となる位置から離間方向に広くなるように形成した。 （もっと読む）

【課題】電極面積を精度よく調整することを可能とする。
【解決手段】固定電極２０ａ，…は、相対的に面積が大きい主電極ＭＰと、主電極ＭＰよりも充分に面積が小さい複数の補助電極ＳＰと、補助電極ＳＰよりも幅細であって主電極ＭＰと各補助電極ＳＰを電気的に接続する複数の導電部ＢＰとを有している。従来例のように固定電極に形成される溝の幅や長さで電極面積を調整するのではなく、導電部ＢＰを切断して主電極ＭＰから電気的に切り離される補助電極ＳＰの個数によって電極面積を調整するので、電極面積を精度よく調整することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】過大な加速度が印加された場合にビーム部を確実に保護する。
【解決手段】過大な加速度が印加された場合、重り部４，５は、先に回動軸の回りに回動して突起部１５ａ，１５ｂが上部固定板２ａや下部固定板２ｂに当接して回動が規制された後に縦方向や横方向に移動する。このとき、重り部４，５に設けられた突起部１５ａ，１５ｂが上部固定板２ａ及び下部固定板２ｂの凹所２４ａ，２４ｂ内に入り込み、凹所２４ａ，２４ｂの内底面に当接して回動が規制された後、凹所２４ａ，２４ｂの内側面に当接して縦方向や横方向の移動が規制される。その結果、過大な加速度が印加された場合でも重り部４，５の回動並びに縦方向又は横方向の移動に伴ってビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂに過度の応力がかかることを防いでビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂを確実に保護することができる。 （もっと読む）

【課題】加速度の検出精度が高く、生産性に優れた加速度センサおよび加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】固定部１３と、固定部１３に対し変位可能な重り部１１と、一端が固定部１３に、他端が重り部１１にそれぞれ連結され、重り部１１の変位に伴って撓む梁部１２と、梁部１２に設けられ、梁部１２の撓みに伴って抵抗値が変化する抵抗素子１５と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が載置される基板１と、を備え、基板１のセンサ素子２０が載置される側の面に、段差部３を設けるとともにセンサ素子２０の固定部１３に段差部３と嵌合する切り欠き１６を設ける。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く良好な接点を形成可能な接点デバイスの製造方法及び接点デバイスを提供すること。
【解決手段】導電性の基板上に立設された固定部材と、前記固定部材との間に接点を形成し得るように該固定部材から所定間隔をとって配置された可動部材とを形成するエッチング工程を含む接点デバイスの製造方法において、エッチング工程では、エッチングガスとデポジションガスとを共に用いて、エッチングと該エッチングにより形成される側壁の保護膜形成とを並行して行うことにより、スキャロッピングなどの凹凸のない平滑な接点を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れ、加速度の検出特性の低下が抑えられた加速度センサーを得ること。
【解決手段】固定電極４１および可動電極２１以外にダンピング用構造体８０を設けるので、固定電極４１と可動電極２１との電極間間隙７０を狭くすることなく、ダンピング用構造体８０によってダンピングの調整ができる。したがって、可動部２０と支持体１０との衝突破壊が低減して耐衝撃性に優れ、固定電極４１と可動電極２１との衝突を避けながら加速度の検出が可能な、加速度の検出特性の低下の少ない加速度センサー１００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 小型化に適した電気的および機械的に安定なピエゾ抵抗素子型加速度センサー
を提供する。
【解決手段】 枠部と、可撓部と、該可撓部を介して枠部に保持される錘部と、可撓部に
設けられたピエゾ抵抗素子と枠部に設けられたチップ端子とを接続する金属配線および高
濃度拡散層を構成要素に持ち、直交する３つの加速度検出軸毎に前記ピエゾ抵抗素子と金
属配線と高濃度拡散層で構成されるブリッジ回路を有する加速度センサー素子を有するピ
エゾ抵抗素子型３軸加速度センサーあって、ピエゾ抵抗素子上に第２の絶縁膜を介してシ
ールド配線が配置されており、該シールド配線は前記金属配線の一部としてブリッジ回路
の一部を構成している。 （もっと読む）

【課題】プロセスが簡便で小型化・薄化も容易な、ＭＥＭＳデバイスと半導体デバイスが混載された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板上に、可動構造体形成層の少なくとも一部をエッチングし可動構造体がリリースされない限度で加工された複数のＭＥＭＳデバイスを形成し、ＭＥＭＳデバイス形成した後に、第１の半導体基板を切断することにより複数のＭＥＭＳデバイスを個々に分割し、複数のＭＥＭＳチップを形成し、第２の半導体基板上に、複数の半導体デバイスを形成し、第２の半導体基板を切断することにより複数の半導体デバイスを個々に分割し、複数の半導体チップを形成し、ＭＥＭＳチップと半導体チップを樹脂により略同一平面状に接着し、ＭＥＭＳチップと半導体チップとを電気的に接続する配線層を形成し、その後に、可動構造体をリリースすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）