【課題】 ＭＥＭＳ部材を備えた半導体装置において、薄型化する。
【解決手段】 絶縁膜３およびシリコン基板１の上面中央部に設けられた凹部５内には、ＭＥＭＳ部材を構成する片持ち状の可動電極９が可動可能に配置されている。凹部５の周囲における絶縁膜３の上面には空間形成膜１０の下面周辺部が接着剤等を介して固着されている。この状態では、空間形成膜１０下における凹部５内には、可動電極９の可動を許容するための空間１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】センサのサイズを拡大することなく、他軸感度の発生を抑えることができ、かつ直線性のよい２軸静電容量型加速度センサを実現する。
【解決手段】１以上のＸ軸固定電極１１１と、１以上のＹ軸固定電極１１２とが同一の板面に形成された基板１１０と、基板１１０と平行に対向して配置され外周縁に設けられたフレーム１２１と、フレーム１２１の内側に複数の梁１２２によりＸ軸方向に変位自在に支持され、Ｘ軸方向への変位と、上記Ｘ軸固定電極１１１と対向する面積の変化との間にあらかじめ定めた関係が成立するＸ軸可動電極１２３と、Ｘ軸可動電極１２３の内側に、複数の梁１２４によりＹ軸方向に変位自在に支持され、Ｙ軸方向への変位と、上記Ｙ軸固定電極１１２と対向する面積の変化との間にあらかじめ定めた関係が成立するＹ軸可動電極１２５とを有する構造体１２０とから構成される。 （もっと読む）

【課題】製造に要する時間の短縮を図ることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳＦＥＴ３が形成された半導体基板２上に、下薄膜１０および上薄膜１１を備えるＳｉマイク９が設けられている。半導体基板２上には、表面が平坦面である平坦部８を有する配線層７が積層されており、下薄膜１０は、その平坦部８の表面と平行をなして対向している。すなわち、半導体基板２上に積層される配線層７において、下薄膜１０が対向する平坦部８の表面は、凹部を有していない平坦面となっている。上薄膜１１は、下薄膜１０に対して配線層７と反対側に所定の間隔を空けて対向している。これにより、上薄膜１１は、下薄膜１０との対向方向に振動可能となっている。したがって、上薄膜１１を振動可能とするために、半導体基板２や配線層７に凹部を形成する必要がない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線パターンの断線を防止することのできる半導体圧力センサ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ダイアフラム１１の上面１１Ａと直交する面と貫通部３１−１，３１−２，３２−１，３２−２，３３−１，３３−２，３４−１，３４−２の側面３１−１Ａ，３１−２Ａ，３２−１Ａ，３２−２Ａ，３３−１Ａ，３３−２Ａ，３４−１Ａ，３４−２Ａの上端との交点Ｅ_１，Ｆ_１，Ｇ_１，Ｈ_１と、ダイアフラム１１の上面１１Ａと直交する面と貫通部３１−１，３１−２，３２−１，３２−２，３３−１，３３−２，３４−１，３４−２の側面３１−１Ａ，３１−２Ａ，３２−１Ａ，３２−２Ａ，３３−１Ａ，３３−２Ａ，３４−１Ａ，３４−２Ａの下端との交点Ｅ_２，Ｆ_２，Ｇ_２，Ｈ_２とを結ぶ直線Ｅ〜Ｈの長さの値が絶縁膜１９の厚さＭ１の値の√２倍よりも大きくなるようにした。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、入力される音波の共振を抑制することができるＭＥＭＳセンサおよび製造工程の簡素化を図ることができるＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】Ｓｉマイク１は、センサ部３を有している。センサ部３は、Ｓｉ基板２の上面２９に接触して設けられた下薄膜５と、下薄膜５に対して間隔Ｌ１を空けて対向配置された上薄膜６とを備えている。下薄膜５は、下部電極８と、下部電極８を被覆する下薄膜絶縁層７とを備えている。下薄膜絶縁層７には、その厚さ方向に下薄膜絶縁層７を貫通する複数の下貫通孔１２が形成されている。また、上薄膜６は、上部電極１４と、上部電極１４を被覆する上薄膜絶縁層１３とを備えている。上薄膜絶縁層１３には、その厚さ方向に上薄膜絶縁層１３を貫通する複数の上貫通孔１８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上の薄膜構造を保護することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉマイク１は、センサ部３を有している。センサ部３は、Ｓｉ基板２の上面２９に対して間隔Ｌ１を空けて対向配置された下薄膜５と、下薄膜５に対して間隔Ｌ２を空けて対向配置された上薄膜６とを備えている。また、Ｓｉマイク１は、保護層３９を備えている。保護層３９は、センサ部３の周囲を取り囲むように突出している。また、保護層３９の上面４１は、上薄膜６の上面（第４絶縁層１６の上面４２）より上方に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板と下薄膜との接触を防止するための凸部を形成するための時間および手間を軽減することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉマイク１の製造工程において、Ｓｉ基板２の上面２９には、Ａｌ−Ｓｉからなる下部犠牲層３０が形成される。下部犠牲層３０の上には、下貫通孔１２を有する下薄膜５が形成され、下薄膜５の上には、上部犠牲層３４が形成される。上部犠牲層３４の上には、上貫通孔１８を有する上薄膜６が形成される。そして、上部犠牲層３４は、上貫通孔１８を介するドライエッチングにより除去される。また、下部犠牲層３０中のＡｌ成分は、上部犠牲層３４の除去後、上貫通孔１８および下貫通孔１２を介するドライエッチングにより除去される。Ａｌ成分が除去されることにより、空洞１９が形成されるとともに、Ｓｉ基板２の上面２９における対向領域４１には、複数の凸部３９が残存する。 （もっと読む）

対称型差分容量センサ（６０）が、幾何学的中心である回転軸（７０）の周りに旋回可能な可動要素（６６）を備えている。前記要素（６６）は区分（８６、８８）を備えている。区分（８６、８８）はそれぞれ、回転軸（７０）から等しく離れて配置された止め具（９４、９６）を有する。また区分（８６、８８）はそれぞれ、異なる構成（１０４、１０８）のアパーチャ（１０２、１０６）を有する。アパーチャ（１０２、１０６）の構成（１０４、１０８）によって、区分（８６、８８）間で質量不均衡が生じる結果、要素（６６）が、加速度に応答して回転軸（７０）の周りで旋回する。またアパーチャ（１０２、１０６）によって、製造中のエッチ・リリースが促進され、要素（６６）が回転するときの空気制振が減る。アパーチャ（１０２、１０６）の下に設けられた電極（７８、８０）内にアパーチャ（１２６、１２８）を形成して、可動要素（８６）の二つの区分（８６、８８）間で容量を整合させ、同じ双方向駆動能力を実現する。
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【課題】ストッパ部の破損を防止することで、耐久性を向上させる加速度センサを得る。
【解決手段】錘部材３６に下向きの振動が加えられ、錘部材３６が下側に変位すると、錘部材３６の底面が底板９０に当って、錘部材３６は停止して下側の変位は阻止される。また、錘部材３６が上側に変位すると、周辺錘部３６Ｂがストッパ部２０に当って、錘部材３６は停止して上側の変位は阻止される。ストッパ部２０に当って錘部材３６の変位が阻止されるため、ストッパ部２０の強度が低いとストッパ部２０の破損が考えられる。しかし、ストッパ部２０の両側にストッパ部２０を補強する補強部２４が設けられていため、ストッパ部２０の破損を防止し、これにより、加速度センサ１００の耐久性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 感度が高いコンデンサマイクロホンを提供する。
【解決手段】 固定電極を有するプレート３０と、中央部１２ａが近端部１２ｂよりプレート側に位置し、中央部１２ａに可動電極２０を有し、音波によって振動するダイヤフラム１０と、プレート３０とダイヤフラム１０とを絶縁しながら、プレート３０の近端部とダイヤフラム１０の近端部１２ｂとを保持しているスペーサ４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体からなるトランデューサ構造体とガラス基板との陽極接合の際に，重量部とガラス基板との付着を防止可能な角速度センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】角速度センサが，開口を有する固定部と，この開口内に配置され，かつ前記固定部に対して変位する変位部と，前記固定部と前記変位部とを接続する接続部とを有する第１の構造体と，前記変位部に接合される重量部と，前記固定部に接合される台座とを有し，前記第１の構造体に積層配置される第２の構造体と，前記重量部との対向面に配置される駆動用電極及び検出用電極を有し，前記台座に接続されて前記第２の構造体に積層配置される基体とを具備し，前記第２の構造体が，前記基体と対向する前記重量部の面上であって，前記駆動用電極及び検出用電極の配置されていない領域と対応する領域に配置され，前記駆動用電極及び検出用電極よりも厚さが大きい突起部を有する。 （もっと読む）

【課題】小型な力学量検出装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の力学量検出装置の製造方法では、ベース層と犠牲層と活性層の積層基板から力学量検出装置を製造する。この製造方法は、活性層を異方性エッチングする工程と、積層基板上に上部犠牲層を形成する工程と、上部犠牲層上に回路層を成長させる工程と、回路層に半導体回路を形成する工程と、回路層に貫通孔を形成する工程と、貫通孔からエッチング剤を導入して犠牲層と上部犠牲層を等方性エッチングする工程と、貫通孔を通過して接続領域と半導体回路を電気的に接続する配線部を形成する工程を備えている。貫通孔の位置と等方性エッチングでのエッチング時間を、可動部が可動となり、固定部とベース層を接続する犠牲層が残存し、支持部とベース層を接続する犠牲層が残存し、支持部と回路層を接続する上部犠牲層が残存するように設定しておく。 （もっと読む）

本発明は、前面および後面を備えた基板を有するマイクロメカニカル素子に関する。前面は機能構造を有し、該機能構造はコンタクト領域において後面と電気的に接触接続しており、基板はコンタクト領域において少なくとも１つのコンタクトホールを有し、該コンタクトホールは後面側から基板内へと延在している。さらに本発明は、マイクロメカニカル素子の製造方法に関する。
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【課題】電極間絶縁膜の耐圧向上と電極間絶縁膜の電荷蓄積抑制を両立させる。
【解決手段】半導体基板１Ｓ上に絶縁膜２を介して下部電極Ｍ０Ｅが形成され、下部電極Ｍ０Ｅを覆うように絶縁膜５，７が形成され、絶縁膜７上に上部電極Ｍ１Ｅが形成され、上部電極Ｍ１Ｅを覆うように絶縁膜９，１１，１３が形成され、下部電極Ｍ０Ｅと上部電極Ｍ１Ｅとの間の絶縁膜５，７間に空洞部ＶＲが形成されている。下部電極Ｍ０Ｅ、絶縁膜５、空洞部ＶＲ、絶縁膜７および上部電極Ｍ１Ｅにより超音波トランスデューサが形成される。絶縁膜５は、少なくとも下部電極Ｍ０Ｅに接する部分が酸化シリコンからなり、絶縁膜７は、少なくとも上部電極Ｍ１Ｅに接する部分が酸化シリコンからなり、絶縁膜５，７の少なくとも一方が、上部電極Ｍ１Ｅおよび下部電極Ｍ０Ｅ間に位置しかつ上部電極Ｍ１Ｅにも下部電極Ｍ０Ｅにも接しない窒化シリコン膜５ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】大面積チップの場合でも、通常のＬＳＩチップと共通の検査装置でプローブ検査ができる製造技術を提供する。
【解決手段】チップ領域２０２で分割される複数の検査領域３０１を有し、素子領域２０３に半導体プロセスによって形成された素子を有するチップを準備する。次いで、素子と電気的に接続されるパッド１０１、１０２、１０３を、複数の検査領域３０１のそれぞれに対応する位置に形成する。次いで、複数のパッド１０１、１０２、１０３を介して、複数の検査領域３０１のそれぞれを同一のプローブカードによって検査する。 （もっと読む）

【課題】可動電極とこれに対向する固定電極とを備え、加速度が印加されたときにこれら両電極間の検出間隔の変化に基づいて加速度を検出する加速度センサにおいて、可動および固定電極を構成する半導体基板以外のパッケージ部材を用いることなく、当該両電極を封止する構成を実現する。
【解決手段】厚さ方向の一面１０ａ、２０ａを互いに対向させて第１の半導体基板１０と第２の半導体基板２０とを重ね合わせ、第１の半導体基板１０の一面１０ａをパターニングして可動電極３０を形成し、第２の半導体基板２０の一面２０ａをパターニングして固定電極４０を形成し、両半導体基板１０、２０の間において、可動および固定電極３０、４０を検出間隔Ｋを介して対向させ、その周囲で両半導体基板１０、２０を接合し、この接合部５０により両電極３０、４０を両半導体基板１０、２０の間に封止している。 （もっと読む）

【課題】小型化しながらも外部回路と接続するためのパッド電極のレイアウトの自由度を高めることができ且つセンサ基板の残留応力を少なくできるセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ基板１は、第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９が形成される。電極形成基板２の一面にはセンサ基板１のセンシング部Ｄｓの可動部の変位を許容する変位用凹所２１が形成され、変位用凹所２１の周部には、第１の封止用金属層１８に常温接合される第２の封止用金属層２８と、第１の電気接続用金属層１９に常温接合される第２の電気接続用金属層２９が配置され、電極形成基板２の他面にはパッド電極２５が配置される。各パッド電極２５に対応する部位にはそれぞれ貫通孔配線２４が形成され、少なくとも一部の貫通孔配線２４の一端は、変位用凹所２１の内底面に位置し、当該一端と第２の電気接続用金属層２９との間は中間配線２６により接続される。 （もっと読む）

【目的】半導体デバイスの製造工程における、洗浄及び乾燥処理による半導体デバイスに対する悪影響を防止することを目的としている。
【構成】半導体デバイスの製造方法であって、半導体ウエハを用意する準備工程と、前記半導体ウエハ上に半導体機能素子を形成する素子形成工程と、当該素子形成後の半導体ウエハにイソプロピルアルコールベーパによる乾燥処理を施す乾燥工程と、当該乾燥処理後の半導体ウエハを加熱する加熱工程と、当該加熱処理後の前記半導体体ウエハに発煙硝酸によるRA洗浄を施す洗浄工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板の端部上に設けてあり、エッチングによる除去が可能な犠牲層と、犠牲層上にてその一端部が支持されており、曲げ変形可能な変形層と、変形層上に設けてあり、内部応力を有している応力層とを備える片持ち梁及び力センサにおいて、大掛りな装置を用いることなく、内部応力に比して靱性が高く破壊し難い応力層を形成することができ、また変形層に検出部を設けるときには、検出部と応力層との絶縁を考慮する必要のない片持ち梁及び力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１、犠牲層２及び変形層３を順次積層してなる基礎部１０上にピエゾ抵抗素子４を設ける工程と、基礎部１０上に有機物を含む溶液を塗布し乾燥させて応力層５を設ける工程と、応力層５及び変形層３に、犠牲層２に至っておりエッチャントを流入させる流入凹部６を設ける工程と、流入凹部６に前記エッチャントを流入させて、犠牲層２の一部を除去する工程とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 オフセット電圧補正後に過度の衝撃が加わっても新たなオフセット電圧の発生
が起こらない、小型で薄型の３軸加速度センサーを提供する。
【解決手段】 ピエゾ抵抗型加速度センサー素子の、可撓部のピエゾ抵抗素子形成面側に
、枠部から錘部に至る溝と溝底面上に金属配線を形成し、金属配線上面をピエゾ抵抗素子
上の電気絶縁層上面より凹ませることで、加速度センサーに過度な衝撃が加わり可撓部が
規制板に衝突しても金属配線の変形が起こらず、新たなオフセット電圧の発生を防げる。
溝底面の端部は２０度から８０度の仰角もしくは俯角を持つ傾斜面で、ピエゾ抵抗素子面
と電気絶縁層上面に繋がっている。 （もっと読む）