【課題】小さい電圧で自己診断を行う加速度検出装置を提供する。
【解決手段】加速度検出装置１は、可撓部を有する基板５と、基板５に接続され、金属からなる導電部を有する重り部７と、を有し、可撓部の撓みに応じて加速度を検出する加速度検出素子３と、重り部７と所定の間隔を隔てて設けられた固定電極２０と、を備え、
貫通導体６を介して重り部７に電圧を印加することにより、重り部７と固定電極２０との間に静電引力が働くようにして自己診断をおこなう。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いずに製造することができ、かつ、分離層を必要としない、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２に凹部４が形成されており、その凹部４内に固定電極５および可動電極６が配置されている。固定電極５および可動電極６は、シリコン基板２の材料であるシリコン材料ではなく、タングステンからなり、シリコン基板２のパターニングにより形成されるものではない。そのため、シリコン基板２が高導電性を有している必要がない。したがって、高導電性のシリコン層を備えるＳＯＩ基板を用いなくても、低導電性のシリコン基板２を用いて、加速度センサ１を製造することができる。シリコン基板２が高導電性を有していないので、固定電極５および可動電極６が形成される領域をその周囲から絶縁分離する必要がない。そのため、その絶縁分離のための分離層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】簡易な手順で、可動電極と固定電極との固着を抑制した上で、陽極接合を実現する。
【解決手段】第１架橋部材が第１接触端子１４４によって第１帯状部１４Ａを接地し、第２架橋部材が第２接触端子１４３によって第２帯状部１５Ａに加工電圧を供給し、第３架橋部材が第３接触端子１４１によって第３帯状部５４を接地し、第３帯状部５４を通じて、他方の外側基板の第１帯状部１４Ｂを接地する。また、第４架橋部材が第４接触端子によって第４帯状部に加工電圧を供給し、第４帯状部を通じて、他方の外側基板の第２帯状部１５Ｂに加工電圧が供給される。中央基板６は、接地端子によって接地され、中央基板６と、外側基板８Ａ，８Ｂの裏面側の一対の絶縁性基板７Ａ，７Ｂの間には、加工電圧が加わり、陽極接合が実行される。このとき、第１帯状部１４Ａ，１４Ｂおよび第１帯状部１４Ａ，１４Ｂに接続される部分（固定電極２Ａ，２Ｂ）は、接地されている。 （もっと読む）

【課題】質量部の変位感度比率を均一化することにより、Ｚ軸方向の加速度が加わってもＸＹ軸方向の加速度検出精度が悪くなってしまうことのない多軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＸＹＺ座標系におけるＸＹ平面に沿って配置され加速度に応じて変位する質量部１２を複数の梁部１４を介して周囲の支持部１３に支持する可動基板１１と、この可動基板１１における支持部１３と接合され、かつ可動基板１１における質量部１２と所定間隔を有する固定電極１６を上面に設けた固定基板１５とを備え、前記複数の梁部１４を、支持部１３からＸ軸あるいはＹ軸と平行方向に延びた第１の梁部１７と、質量部１２に連結され、かつＸＹ軸と４５°方向に斜めに延びた第２の梁部１８とにより構成し、前記第２の梁部１８の長手方向と垂直な断面２次モーメントを第１の梁部１７の長手方向と垂直な断面２次モーメントより小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】構造体に損傷を与えることなく犠牲層を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１の上に犠牲層１２が形成され、この犠牲層１２の上に形成された半導体層１３が形成されたＳＯＩ基板１０において、半導体層１３を貫通した開口部１５により構成された可動部２０および固定部３０と開口部１５とを含んだ犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２に焦点を合わせてレーザ光を照射する。これにより、犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２を多孔質化する。そして、犠牲層１２を多孔質化した後、開口部１５からエッチング媒体を導入し、多孔質化した犠牲層１２をエッチングして除去する。これにより、支持基板１１に対して可動部２０の梁部２４等を浮遊させる。 （もっと読む）

【課題】モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相−金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物の相転移を誘起するための相転移誘起方法は、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物に、これまでの数ｋＶ／ｃｍよりも２桁低い４０Ｖ／ｃｍ〜８０Ｖ／ｃｍ程度の電場を印加することで、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物を金属相に相転移させると共に、電場の印加により金属相に相転移したペロブスカイト型酸化物を冷却させることで、常磁性金属相にあるペロブスカイト型酸化物を強磁性金属相に相転移させる。 （もっと読む）

【課題】 構造が単純で小型かつ温度安定性に優れた半導体センサ装置を、より具体的に
は加速度センサ装置を低コストで提供する。
【解決手段】 配線基板上に回路チップとＭＥＭＳ組立体を積み重ね、これらを接続する
金属ワイヤと共に低弾性率のシリコン系樹脂で封止し、好ましくは配線基板をガラスエポ
キシ樹脂基板もしくはアルミナ基板、ＬＴＣＣ基板とすることで、構造が単純で小型かつ
温度安定性に優れた加速度センサ装置を、中空型セラミックパッケージを用いた構造と比
較して低コストで提供することができる。 （もっと読む）

【課題】加速度等の検出に用いる半導体センサにおいて、これをベース材の表面に固定しても、半導体センサに備える錘部とベース材の表面との間隔を高精度に設定できるようにする。
【解決手段】環状の枠体部Ｓと、その内側に間隔をあけて配される錘部Ｍと、可撓性を有して枠体部Ｓと錘部Ｍとを一体に連結する可撓部Ｆと、可撓部Ｆの変形又は変位を検出する検出手段１２１と、一部が枠体部Ｓ内に埋設されると共に平面視環状に形成された枠体部Ｓの一端面１１３から突出するスペーサ突起部１３とを備え、スペーサ突起部１３が枠体部Ｓと異なる材料からなり、スペーサ突起部１３の先端をベース材の表面に当接させた状態でベース材に固定する半導体センサ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１００とキャップ部３００との積層方向において配線部１２０、１２２が形成された階層とは異なる階層であるキャップ部３００の他面３０２にクロス配線３２２を配置している。また、第１貫通電極３０６によってクロス配線３２２と配線部１２０とを接続し、第２貫通電極３０７によってクロス配線３２２と配線部１２２とを接続している。このため、キャップ部３００の他面３０２にはクロス配線３２２を迂回させる構造がないので、クロス配線３２２のレイアウトを簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性能が高く薄いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部と、前記支持部に結合している梁形の可撓部と、前記可撓部に結合し前記支持部に対して運動することによって前記可撓部を変形させる錘部と、前記錘部の運動範囲を制限するストッパ部とを備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、単結晶シリコンからなるベース層の表面に導電型が前記ベース層と異なるエピタキシャル結晶層からなる犠牲層を形成し、前記犠牲層をエッチングすることによって前記犠牲層から前記ベース層を一部露出させ、前記犠牲層と前記ベース層の表面に導電型が前記ベース層と一致するエピタキシャル結晶層からなる非平坦層を形成し、前記ストッパ部と前記錘部との間に空隙を形成し、前記空隙を形成することによって、前記錘部の運動範囲を制限する前記ストッパ部としての機能を前記非平坦層に顕在化する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】可動部の運動範囲を規制するストッパ基板部と可動部との空隙の幅を精度よく調整することができなかった。
【解決手段】支持部と、前記支持部に支持され前記支持部に対して運動する可動部と、を有する構造体と、前記構造体の前記支持部の底面が接合される平坦な接合面と、前記可動部と対向する領域において底部が前記接合面より後退している凹部と、を有するストッパ基板部と、前記ストッパ基板部の材料に対してエッチング選択性を有する材料からなり、前記凹部を前記接合面よりも後退した位置まで満たすことによって前記可動部の底面と予め決められた所定距離で対向する距離調整部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増大が抑制され、且つ振動子間の静電容量が安定した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上面に形成された凹部１００内に自由端が延在し、半導体基板１０に固定端が固定された梁型の振動子２１、２２を備える半導体装置１の製造方法であって、半導体基板１０の上面の一部をエッチングして、振動子２１、２２の側面を露出させると同時に、振動子２２と半導体基板１０間の絶縁分離領域３０が形成される分離溝を形成するステップと、分離溝の表面を熱酸化して、分離溝を酸化膜で埋め込んだ絶縁分離領域３０を形成するステップと、振動子２１、２２の側面を熱酸化して、側面保護膜を形成するステップと、側面保護膜をマスクにした半導体基板１０のエッチングにより振動子２１、２２の下面を露出させて、半導体基板１０に形成された凹部１００内に配置された振動子２１、２２を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体力学量センサについて、センサの構造の簡略化、チップサイズの低減を図る。
【解決手段】半導体力学量センサのうちキャップ部２０においてセンサ部１０と対向する一面に第１絶縁膜２２、第１配線層２３、第２絶縁膜２４、および第２配線層２５によって構成される配線構造を設け、他方、センサ部１０にセンサ構造体１５〜１７を設ける。そして、キャップ部２０とセンサ部１０とを接合することで、配線構造をセンサ構造体１５〜１７に接続しつつ、センサ構造体１５〜１７を封止する構造とする。第２絶縁膜２４における開口部２４ａは、センサ構造体１５〜１７と第２配線層２４とのコンタクト領域１４ａとは異なる位置にずらされている。 （もっと読む）

【課題】多軸方向に関する検出が可能な小型のセンサ装置の製造コストを低減することができる製造方法を提供する。
【解決手段】連結部１１０によって互いに連結された第１および第２のセンサ素子１０１、１０２が基板１００上に形成される。第１および第２のセンサ素子１０１、１０２のそれぞれを支持する第１および第２の部分Ｐ１、Ｐ２に基板１００が分割される。この分割の後に、連結部１１０を曲げながら第１のセンサ素子１０１に対して第２のセンサ素子１０２の向きが変えられる。 （もっと読む）

【課題】 湾曲した半導体層と他部材の接触状態を長期間に亘って維持させる。
【解決手段】 半導体構造体１０は、第１半導体層１１と、第１半導体層１１に対向する第２半導体層１５と、第１半導体層１１と第２半導体層１５の間の一部に介在している中間層１２を備えている。第２半導体層１５は、中間層１２の端部より側方に延びている延長部１５ｄを有し、その延長部１５ｄが第１半導体層１１側に湾曲している。第２半導体層１５の延長部１５ｄの一部と第１半導体層１１の接触範囲において、第２半導体層１５に貫通孔１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的はセンサ特性の低下を抑え、かつ簡単な構成で加速度センサの耐衝撃性を向上させることにある。。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、フレーム部と、前記フレーム部の内側に位置する錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する可撓部と、前記可撓部及び／又は前記フレーム部に配置された複数の歪検出部と、前記フレーム部上に配置された複数の電極パッドと、前記可撓部及び前記フレーム部上に配置され、前記歪検出部同士の間または前記歪検出部と前記電極パッドとの間を接続する配線部と、を備え、前記歪検出部と前記電極パッドの間を接続する配線部のいずれかは、第１の折返し部と第２の折返し部とを含む複数回の折返し形状を有し、前記第１の折返し部は前記フレーム部上に位置し、前記第２の折返し部は前記可撓部上に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動部を面内方向に励振させるのにあたり、不要なメカノイズ成分の発生を有効に抑制できるようにする。
【解決手段】平板状の可動部１１と、前記可動部１１の端縁から離間して配される支持部１２と、前記可動部１１に一端が連結され、前記支持部１２に他端が連結されて、前記支持部１２に対して前記可動部１１を面内方向へ変位可能に支持する弾性支持体１３と、を備える微小電気機械装置（ＭＥＭＳ）において、前記弾性支持体１３を基板の厚さ方向に全て抜いて形成することで、面内垂直方向における中心位置が前記可動部１１の重心位置と合致するように構成する。 （もっと読む）

【課題】振動子とシリコン基板間の絶縁分離領域を形成し、且つ製造工程の増大を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０に固定された固定端を有する梁型の振動子２１、２２を備える半導体装置１の製造方法であって、半導体基板１０の上面に、振動子２１、２２の側面絶縁膜４０が形成される側面溝、及び振動子２２と半導体基板１０間の絶縁分離領域３０が形成される分離溝を形成するステップと、側面溝の表面及び分離溝の表面を熱酸化して、側面溝を酸化膜で埋め込んだ側面絶縁膜４０と分離溝を酸化膜で埋め込んだ絶縁分離領域３０を同時に形成するステップと、側面絶縁膜４０と半導体基板１０上の上面絶縁膜をマスクにした半導体基板１０のエッチング工程によって、半導体基板１０の表面に形成された凹部１００内に配置された振動子２１、２２を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】１軸加速度センサの耐衝撃性を向上させると共に、容易に設計及び作製可能にする。
【解決手段】加速度センサ１は、ＳＯＩ基板１０１を用いて構成され、下層１０４に互いに分離されて形成された固定枠２及び錘部３と、上層１０２に形成された、電極部４、支持部５、接続部６及びヒンジ７と、貫通孔配線８及び電極パッド９等を有する。錘部３と電極部４との間には、エッチングホール４ａを介した犠牲層エッチングにより除去された酸化膜層１０３の厚み分のギャップ１０が設けられている。錘部３は、一対のヒンジ７を回動軸として、固定枠２に対し回動可能に保持されている。加速度センサ１は、電極部４と錘部３との間の静電容量に応じて、加速度を検知可能である。電極部４は固定枠２に四方で支持されているため変形しにくく、また、錘部３が接触しうる部位を容易に特定可能なため、耐衝撃性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を抑制しつつダイヤフラムとプレートの間の空隙層への異物の進入を防止する。
【解決手段】カバー１６１とプレート１６２の間に形成されているスリットＳを介してカバーとプレートとが絶縁されているためカバーとダイヤフラム１２３ａ・１２３ｃとの間に寄生容量は発生しない。そしてプレートの対向部とともに一対の対向電極を形成するダイヤフラムの受圧部１２３ａから突出するバンド１２３ｃはカバーによって覆われ、カバーとプレートの間の空隙はスリットである。したがってプレートによって覆われないダイヤフラムの領域の大部分はカバーによって覆われることになる。このためダイヤフラムとプレートの間の空隙層への異物の進入を防止することができる。 （もっと読む）