【課題】製造コストの増加を抑制しながら、互いに絶縁すべき複数の配線を交差させることができ、しかも物理量検出を良好に維持することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】表面２１に一対のＸ−検出素子Ｄ_Ｘが設けられたＳＯＩ基板２上の第２層間膜２０上に、これらＸ−検出素子Ｄ_Ｘ間を接続する素子間配線４３を敷設する。一方、第２層間膜２０上において、素子間配線４３を横切る方向にＸ−ブリッジ配線３１の主配線３６およびＺ−検出上部電極配線３３の主配線３６が敷設されている。これらの主配線３６との接触を避けるために、Ｘ−検出素子Ｄ_Ｘの下部電極２５と同一層に中継配線４５を形成し、この中継配線４５を利用して素子間配線４３が構成する回路を第２層間膜２０内に迂回させる。 （もっと読む）

【課題】 特に、高さ方向（Ｚ軸方向）への検出レンジを広げることができ、さらに安定したセンサ感度を得ることが可能な薄型の物理量センサを提供することを目的としている。
【解決手段】 固定支持されるアンカ部と、高さ方向に変位する可動部２と、弾性変形可能な連結部を介して回動自在に連結された支持部３，４と、可動部２の変位を検知するための検知部３６とを有している。支持部には、可動部２が高さ方向に変位したときに可動部２の変位方向に対し逆方向に変位する脚部３ｂ，４ｂが設けられている。脚部３ｂ，４ｂが前記可動部と高さ方向にて対向する対向部３０の表面３０ａに当接した状態から撓んで、可動部２が対向部の表面から更に離れる方向に変位可能なように、脚部３ｂ，４ｂが弾性変形可能に形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォースセンサの小型化に伴い、外部からの荷重により支持部に機械的強度を越える応力が発生し、支持部が破壊する問題が発生した。
【解決手段】センサ基板とベース基板との間にストッパを設け、センサ基板の撓みを制限し、支持部に機械的強度を越える応力が発生することを防止した。よって、前記ストッパを設けることで、支持部が破壊することなく荷重を計測できる小型なフォースセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ（１）は、溝（１００ａ）と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部（１０１）と厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極（１０４）とが形成されたシリコンからなる基板（１００）と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極（１０３）と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層（１０２）と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、簡易な構造で、製造を容易にすることのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記基板から離隔して配置された可動部を含む複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部にそれぞれ隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記可動電極に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備え、前記複数の可動電極は、それぞれ内部応力を有する薄膜を含み、前記複数の可動電極の前記他端部は、それぞれ対向する前記固定電極と電気的に接触し、前記複数の可動電極の前記他端部は、印加される外力に応じて変位し、前記固定電極と電気的に非接触となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第１基板と、前記第１基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第２基板と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第１封止部材と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１封止部材の外周部において前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第２封止部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたＭＥＭＳセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】 対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。第１の金属層３１ａのはみ出し部３１ｃと対向する部分で、枠体部１４に凹部１８が形成され、はみ出し部３１ｃと凹部１８の底表面１８ｂとの間に空隙部１９ａが形成される。ＣＶＤ法などで成膜される保護絶縁層４１が空隙部１９ａを経て金属結合部３０ａの外側部に欠陥なく成膜されるようになり、第１の金属層３１ａまたは第２の金属層３２ａの腐食を防止しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ圧力センサ装置を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサ装置２０、６２が、基板構造２２、６４に形成されたキャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４、基板構造２４に形成された基準素子３６を有する基板構造２４を含む。検知素子４４は、基板構造２２、２４の間に配置され、基準素子３６から離間されている。検知素子４４は、基準素子３６及び基準素子３６に形成された複数の開口３８のうちの一つを介して外部環境４８に露出される。検知素子４４は、環境４８からの圧力刺激５４に応答して、基準素子３６に対して可動である。製造方法７６が、キャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４を形成すること７８、検知素子４４を含む基板構造２４を製造すること８４、基板構造を結合すること９２、次いで、基板構造２４に基準素子３６を形成すること９６を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜メンブレン構造体において、ヒータを含むセンサを搭載する際に、薄膜メンブレンの熱絶縁性をさらに向上させながら、薄膜メンブレンの保持性をさらに向上させることである。
【解決手段】薄膜メンブレン構造体１０は、薄膜メンブレン２０と、薄膜メンブレン２０を保持する保持基板３０とを備える。保持基板３０は、薄膜メンブレン２０の上下面のいずれか一方側の面を保持面として保持面の周縁部を保持する周壁部と、薄膜メンブレン２０の周縁部の内側である内側部の少なくとも１箇所で薄膜メンブレンの保持面を保持する内側保持部と、周壁部と内側保持部とを接続しながら薄膜メンブレンの保持面との間に空隙３１を有する接続部とを含む。 （もっと読む）

【課題】電気機械変換エレメント間の静電容量を低減して、エレメント間の信号のクロストークを低減することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置１０では、絶縁部７を介して対向する位置に設けられた第１電極３と第２電極６とを含む電気機械変換エレメント２が半導体基板１の一方の面に形成された絶縁層５上に複数形成されている。第１電極３とは絶縁されて絶縁層５上のエレメント２間に配設された導体配線４と、導体配線４に電圧を印加する第１電圧印加部１２と、導体配線４とは極性の異なる電圧を第１電極３に印加する第２電圧印加部１３が設けられている。半導体基板１の他方の面の一部は接地されている。 （もっと読む）

【課題】パッケージウェハの外面に形成された電気配線や端子などが破損するおそれのないウェハレベルパッケージ構造体の製造方法を実現する。
【解決手段】保持装置４によってパッケージウェハ１０を、保持装置２によってセンサウェハ２０をそれぞれ保持し、両ウェハを接合面１０ｂ，２０ｂ同士が相対向するように配置する（第１工程）。次に、パッケージウェハ１０およびセンサウェハ２０の各磁性層１０ａ，２０ａにおける磁化方向が同一となるようにコイル３によって各磁性層１０ａ，２０ａに磁界を印加し、磁化された各磁性層１０ａ，２０ａ間に作用する吸引力Ｆによってパッケージウェハ１０およびセンサウェハ２０の接合面１０ｂ，２０ｂ同士を接触させる（第２工程）。 （もっと読む）

【課題】 帯電による特性悪化を抑制し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 シリコン活性層、埋め込み絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ基板から形成され、ＳＯＩ基板の上面から下面へ貫通する窓部１０を有するフレーム部１１と、ＳＯＩ基板から形成され、窓部１０の内部に配置される可動電極４と、フレーム部１１のシリコン活性層と可動電極４のシリコン活性層とを連結し、フレーム部１１に対して可動電極を揺動可能に支持するビーム部４１，４２と、可動電極４と対向する面に可動電極４と離間して配置される固定電極２１，２２とを備え、可動電極４及びフレーム部１１が、それぞれシリコン活性層と支持基板とを電気的に接続するコンタクト部６１〜６３を備える。 （もっと読む）

【課題】より検出精度の向上を図ることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、絶縁基板２、３と、この絶縁基板２，３に接合されたシリコン基板４と、を備えている。このシリコン基板４には、絶縁基板２，３に接合されるフレーム部４０と、一面に開口する凹部５３，６３と凹部５３，６３を除く充実部５１，６１が一体に形成された錘部５，６と、当該錘部５，６を回動自在に支持する１対のビーム部９，１０、１１，１２と、フレーム部４０から離間配置されるアンカー部７，８と、が形成されている。そして、１対のビーム部９，１０、１１，１２のうち少なくともいずれか一方のビーム部９，１１がアンカー部７，８に連結されている。 （もっと読む）

【課題】 可動電極の貼り付きを防止し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 矩形平板状の可動電極４と、可動電極４が揺動可能なように、可動電極４の対向する２辺をそれぞれ支持する一対のビーム部４１，４２と、ビーム部４１，４２を互いに結ぶ直線を境界線とした可動電極４の表面の一方側及び他方側とそれぞれ対向して離間する面に、互いに離間して配置された固定電極２１，２２と、固定電極２１，２２の表面にそれぞれ形成され、アルミニウムより硬度の大きい硬質膜８１，８２とを備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＭＥＭＳ素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部（Ｒ５）を有するデバイス基板１０上に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子（１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，ＤＦ）を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜３により形成されるキャビティ９と、キャビティに面する表面が露出する電極８と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極１を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層６を形成し、犠牲層の上に振動膜３を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔１０を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極８を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極１２との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ９を形成する。エッチング孔１０から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣１７を低減する。 （もっと読む）

【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ２５を有する基台２０と、基台２０の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜３０と、を備える。センサ薄膜３０は、キャビティ２５に通ずるスリット３６を有している。キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）