【課題】 ピエゾ抵抗型半導体装置において、ダイヤフラムの形成領域を増加させることなしに、検出感度の向上及び出力の直線性の向上を図る。
【解決手段】
ダイヤフラム３と、ダイヤフラム３の外周に接続してダイヤフラム３を支持しダイヤフラム３よりも相対的に厚く形成された支持枠１と、ダイヤフラム３に垂直な方向の加速度や圧力を印加したことによるダイヤフラム３の変形により歪むことで発生する応力を検出するピエゾ抵抗型応力検出部４ａ，４ｂとを備えたピエゾ抵抗型半導体装置１０において、ピエゾ抵抗型応力検出部４ａに接する位置においてダイヤフラム３の少なくとも一部が除去されて溝９が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】 静水圧による圧縮歪を改善して、耐圧性が向上された振動式圧力センサを実現する。
【解決手段】 測定圧が加えられるダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
前記振動梁の両端側にそれぞれ一端がほぼ直交して設けられ他端がダイアフラム面にほぼ直交して設けられた柱状の第１，第２の支持部を具備したことを特徴とする振動式圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のうち互いに対向する２つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう方向と平行な部分の、ダイヤフラム３の内側でのダイヤフラム３のエッジからの距離ＬX≦２０μｍとなるように、ダイヤフラム３の内側と外側とに跨って、かつ、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう向きと平行に配置されている。 （もっと読む）

【解決手段】 一対のカバープレートの間に感知機構を可撓的に懸架するための装置及び方法であり、本装置は、結晶シリコン基板に形成された感知機構と、結晶シリコン基板に形成された一対のカバープレートと、感知機構とカバープレートの内の第１のカバープレートとの間に固定された関係にある第１の複数の相補形の境界面と、感知機構とカバープレートの内の第２のカバープレートとの間に可撓的に懸架される第２の複数の相補形の境界面であって、可撓的に懸架される境界面の内の１つ又はそれ以上は、相補形の雄型と雌型の境界面である、第２の複数の相補形の境界面と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサは、圧力に応じて変形する上部電極が形成された第１の基板と、下部電極が形成された第２の基板とが誘電体膜を介して対向配置され、ダイアフラムの押圧により変化する第１の基板と第２の基板とで形成される静電容量の変化に応じて圧力を検出する静電容量型圧力センサであって、下部電極が、第２の基板に形成された溝を導電性材料で埋めて形成され、かつ形成された下部電極の表面が第２の基板の表面と同じ高さを有することで第１の基板と第２の基板の接合性を高めることができるので、測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサを提供することができる。 （もっと読む）