【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１００とキャップ部３００との積層方向において配線部１２０、１２２が形成された階層とは異なる階層であるキャップ部３００の他面３０２にクロス配線３２２を配置している。また、第１貫通電極３０６によってクロス配線３２２と配線部１２０とを接続し、第２貫通電極３０７によってクロス配線３２２と配線部１２２とを接続している。このため、キャップ部３００の他面３０２にはクロス配線３２２を迂回させる構造がないので、クロス配線３２２のレイアウトを簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性能が高く薄いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部と、前記支持部に結合している梁形の可撓部と、前記可撓部に結合し前記支持部に対して運動することによって前記可撓部を変形させる錘部と、前記錘部の運動範囲を制限するストッパ部とを備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、単結晶シリコンからなるベース層の表面に導電型が前記ベース層と異なるエピタキシャル結晶層からなる犠牲層を形成し、前記犠牲層をエッチングすることによって前記犠牲層から前記ベース層を一部露出させ、前記犠牲層と前記ベース層の表面に導電型が前記ベース層と一致するエピタキシャル結晶層からなる非平坦層を形成し、前記ストッパ部と前記錘部との間に空隙を形成し、前記空隙を形成することによって、前記錘部の運動範囲を制限する前記ストッパ部としての機能を前記非平坦層に顕在化する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】新たな原理の加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】加速度センサ素子３は、固定部９と、一端部が固定部９に連結された梁部７と、梁部７の他端部に連結され、梁部７の延びる方向に見て、重心Ｇが梁部７に対して偏心している重り部５とを有する。また、加速度センサ素子３は、梁部７に設けられ、梁部７の捩り変形に伴って比抵抗が変化するピエゾ抵抗部１１を有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの可撓部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを連結し前記錘部の運動にともなって変形する可撓部と、が形成されている積層構造体を備え、前記積層構造体は、前記可撓部を構成し下面が平坦である単結晶シリコン層１０と、前記単結晶シリコン層上に積層され前記単結晶シリコン層と異質のＣＭＰストッパ層３０と、を含み、前記ストッパ層の下面と前記単結晶シリコン層の下面とは同一平面に含まれるか、前記ストッパ層の下面は前記単結晶シリコン層の下面から突出している、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で加圧点の位置を検出できる接触センサを提供する。
【解決手段】梁部と、前記梁部の両端を支持する支持部と、前記梁部の両端近傍に設けられた一対の抵抗素子と、前記抵抗素子を可変抵抗とするブリッジ回路を有し、前記ブリッジ回路の出力電圧に相関する信号を前記梁部の加圧点の位置に対応する信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】感度を維持しつつ小型化が可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】下方に開口した凹部２１を有する重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられ、梁部１２の撓みに伴い抵抗値が変わる抵抗素子１５と、重り部１１の材料より比重の大きい材料からなり、且つ凹部２１に埋入される重り部材１１と、凹部２１の開口部を塞いだ状態で重り部１１に固着される蓋部材１６と、を有したセンサ素子２０とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、環状の錘部と、前記錘部の内周面に結合し前記錘部を貫通し上端部が前記錘部の上面から突出している連結部と、前記連結部の上端部に一端が結合し、前記支持部に他端が結合し、空隙を挟んで底面が前記錘部の上面と対向し、前記錘部の運動に伴って変形する可撓部と、前記錘部の運動に伴う前記可撓部の変形を検出する検出手段と、を備え、前記錘部の底面の内側に露出している前記連結部の底面の表層と前記錘部の前記底面の表層とは互いに異なる材料からなる、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接する環状溝を前記積層構造体とは別体のウエハの上面に異方性エッチングにより形成し、前記ウエハの上面に前記環状溝を埋める犠牲膜を形成し、前記ウエハの上面が露出するまで前記犠牲膜の表層を除去し、前記ウエハの前記犠牲膜で埋められた前記環状溝の内側領域を前記連結部の底面に接合し、少なくとも前記犠牲膜が露出するまで前記ウエハの底面を後退させることによって前記錘部の厚さを調整し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記犠牲膜を除去する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む （もっと読む）

【課題】新たな外力付与方法を適用可能な半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】半導体加速度センサ１は、重り部９、重り部９を囲繞する枠状の固定部１３、及び、一方端が重り部９に連結され、他方端が固定部１３に連結された梁部１１を有するセンサ素子３を有する。また、加速度センサ１は、固定部１３の開口方向の一方側においてセンサ素子３に対向する第１規制板５と、固定部１３の開口方向の他方側においてセンサ素子３に対向する第２規制板７とを有する。そして、第１規制板５には、第１規制板５とセンサ素子３との対向方向に見て、重り部９に重なり、重り部９よりも小さい孔部５ｈが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的はセンサ特性の低下を抑え、かつ簡単な構成で加速度センサの耐衝撃性を向上させることにある。。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、フレーム部と、前記フレーム部の内側に位置する錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する可撓部と、前記可撓部及び／又は前記フレーム部に配置された複数の歪検出部と、前記フレーム部上に配置された複数の電極パッドと、前記可撓部及び前記フレーム部上に配置され、前記歪検出部同士の間または前記歪検出部と前記電極パッドとの間を接続する配線部と、を備え、前記歪検出部と前記電極パッドの間を接続する配線部のいずれかは、第１の折返し部と第２の折返し部とを含む複数回の折返し形状を有し、前記第１の折返し部は前記フレーム部上に位置し、前記第２の折返し部は前記可撓部上に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱拡散法を用いて半導体に拡散される不純物の濃度を低濃度に制御しながら半導体素子を形成する。
【解決手段】開口を有するマスクを半導体基板に形成し、前記開口により露出する前記半導体基板を不純物源に曝して不純物拡散層を形成し、前記不純物拡散層の酸化により不純物含有酸化物層を形成し、前記不純物含有酸化物層の少なくとも一部を除去し、
前記不純物含有酸化物層の除去後の前記不純物拡散層の不純物を前記半導体基板の内部に拡散してピエゾ抵抗素子を形成する拡散領域を形成し、前記ピエゾ抵抗素子を含む可撓部と、前記可撓部に連結したフレーム部と、を形成して半導体センサを製造する。 （もっと読む）

【課題】
製品基板への実装前後でセンサー出力のオフセット変化が小さい加速度センサーを実現する。
【解決手段】
可撓性を有し錘部を支持する複数の梁部と、前記錘部の周囲を囲みそれぞれの梁部と接続する支持枠部と、前記梁部の上に複数設けられたピエゾ抵抗素子と、を有する加速度センサー素子と、この加速度センサー素子を内部に設けた保護パッケージ部と、を備えた加速度センサーにおいて、前記梁部の幅よりも広い幅を有する前記枠側接続部を有し、前記支持枠部は、前記枠側接続部を介して前記梁部と接続する。樹脂製の保護パッケージおよびそれを実装する製品基板の熱変形により加速度センサー素子が受ける外力に対して、錘部に近いピエゾ抵抗素子と梁部に近いピエゾ抵抗素子の横方向応力の変化の差を低減し、オフセット出力の変化を抑制できる。 （もっと読む）

【目的】センサそのものでゼロ点温度ドリフトを補償できる可動ゲート電界効果トランジスタ型の加速度および角加速度センサを提供する。
【構成】加速度および角加速度の一方または両方に対して変位量が異なる可動ゲート電極の長手方向における複数の領域に対応させて、それぞれのチャンネル領域が配備され、それぞれの可動ゲート電界効果トランジスタが構成されている。図1では、可動ゲート電極として中央部を固定部43でシリコン基板１のゲート酸化膜13上に固定された一対の片持ち梁（左可動部41および右可動部42）をなす可動電極4cを有し、これの長手方向に4つ可動ゲート電界効果トランジスタ（それぞれに固定電極6および７、固定電極6aおよび7a、固定電極6bおよび7b、固定電極6cおよび7cが対応）が配備されている。 （もっと読む）

【課題】感度を維持しつつ小型化が可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】センサ素子２０は、凹部１１ａを有する重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、重り部１１の材料より比重の大きい材料からなり、且つ凹部１１ａに埋入される重り部材２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】 最終的なパッケージ封止後であってもピエゾ抵抗素子のブリッジ回路の温度補償を容易に行うことができ高感度のセンサ機能を安定して発現するセンサを提供する。
【解決手段】 センサを、枠部と、この枠部から内側方向に突出する複数の梁部と、梁により支持される錘部と、梁部に配設されたピエゾ抵抗素子と、ピエゾ抵抗素子により構成されたブリッジ回路を有する検出部とを備えたものとし、ピエゾ抵抗素子を直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各軸方向の物理量を検出するように少なくとも４個づつ配設し、ブリッジ回路の４辺の少なくとも１つの辺にはピエゾ抵抗素子と直列に温度補償回路を接続し、この温度補償回路を、ピエゾ抵抗素子と直列に接続された少なくとも１個の温度補償用抵抗と、各温度補償用抵抗と並列に接続された調整用配線と、各調整用配線に接続された複数の調整用パッドからなるものとする。 （もっと読む）

【課題】３次元のベクトルを測定するためのＭＥＭＳを小型化し製造コストを低減する。
【解決手段】ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を直交座標系の３軸とするとき、ｙ方向長さがｘ方向長さより短い支持部と、ｙ方向に並び互いに平行に前記支持部に対してｘ方向に架設されｙ方向長さがｘ方向長さより短い膜状の２つの梁部と、２つの前記梁部のそれぞれの中央に架設されている一体の錘部と、２つの前記梁部のそれぞれに複数設けられ、前記梁部の変形に応じた歪みを検出することにより前記錘部に作用する力に対応するベクトルのｘｙｚ成分を測定するための歪み検出手段と、を備え、前記錘部は、２つの前記梁部に架設されている結合部と、２つの前記梁部の間において前記結合部から互いに逆向きに突出する２つの凸部とを有するとともにｙ方向長さがｘ方向長さより短い、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】 規格化された高さのゲージ部を有する力検知素子を簡易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 力検知素子１００は、基部層２と絶縁層４と半導体層６が積層された積層基板７を有している。一対の電極１０ａ、１０ｂ間を所定高さで伸びているゲージ部１４が、半導体層６に設けられている。力検知素子１００の製造方法は、ゲージ部１４の所定高さよりも厚い半導体層６を有する積層基板７を用意し、半導体層６の表面からゲージ部１４の所定高さだけエッチングして第１溝１５を形成し、第１溝１５の側方に凸状のゲージ部１４を形成する第１エッチング工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上しつつ、圧力検出部を取替え可能な圧力検出機能一体型の燃料噴射装置を提供する。
【解決手段】インジェクタ２は、アクチュエータボデー（インジェクタボデー）１５１とは別体形成されるとともに当該アクチュエータボデー１５１に対して取替え可能に一体的に固定されるとともに、内部にダイアフラム部１８ｎと圧力センサチップ１８ｆなどからなる圧力検出部８０を有するヘッドボデー９０を備える。この場合、インジェクタボデーに固定する前に、ヘッドボデー９０単体で圧力検出部８０の動作チェックを行なうことができる。従って、正常と判断されたものをインジェクタボデーに固定することができるため、インジェクタ２を完成させる前に、圧力検出部８０が原因となるインジェクタ２の歩留まり低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】被測定圧力以外の圧力変動をもたらす応力を抑制することができ、圧力センサの出力特性変化が生じがたい圧力センサを提供すること。
【解決手段】半導体基板１１、半導体基板１１の一面１１ａにおいて、その中央域αの内部に一面１１ａと略平行して広がる第一空隙部１２、第一空隙部１２の一方の側に位置する薄板化されたダイアフラム部１３、ダイアフラム１３上に配された感圧素子１４、及び半導体基板１１の一面１１ａにおいて、ダイアフラム部１３を除いた外縁域βに配され、感圧素子１４と電気的に接続されたバンプ１５を少なくとも備えた圧力センサであって、半導体基板１１の内部において外縁域βの少なくとも一部に配され、半導体基板１１の一面１１ａに対して閉じた第二空隙部１６が配されている。 （もっと読む）