【課題】 半導体基板に対する放射状抵抗素子の形成に工夫を凝らし、適切な検出出力を確保し得るようにした圧力センサ及び圧力検出装置を提供する。
【解決手段】 抵抗素子６０は、面方位（１１０）を有する半導体基板５０の結晶軸方向＜１００＞及び結晶軸方向＜１１０＞の双方に沿うように、半導体基板５０上にて十字形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】厳環境で用いられることが可能な圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサが、キャップ基材にシリコン溶融結合された底部基材を含んでおり、底部基材とキャップ基材との間にチャンバが配設されている。底部基材及びキャップ基材の各々はシリコンを含んでいる。底部基材は、空洞を画定する壁と、空洞を覆うように配置された隔膜部とを含んでおり、空洞は検知対象の環境に対して開放されている。チャンバは環境から気密封止されている。 （もっと読む）

【課題】 枠体内にビームを介して塊体が変位自在に支持されて成るセンサ基板を上下一対の封止板で気密に封止し、その塊体の可動量を検出することで、加速度や角速度などを検出するようにしたＭＥＭＳデバイスにおいて、気密性を劣化させないようにする。
【解決手段】 塊体６への駆動信号の供給や前記塊体６の可動量に対応した検出信号を取出すための電極１２が設けられる側の封止板２１に半導体基板を用い、このことを利用して、完全に孔を形成せず、デバイス外部側から電極１２側へ凹部２３を形成し、その凹部２１の内壁を不純物の拡散によって低抵抗領域２４として導電性を持たせ、その低抵抗領域２４を外部電極とする。したがって、貫通孔を形成しないので、ガラス基板で生じるようなチッピングが生じず、気密性を劣化させない配線構造を実現することができるとともに、導電不良を抑えることもでき、信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 超音波の振動によるＭＥＭＳ素子の損傷を防ぎ、容易に製造することのできるチップサイズパッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品のパッケージング１００は、ＭＥＭＳ素子として加速度センサ１０１を有するセンサ基板１と、センサ基板１を封止する封止基板２とが、第１接着層２２を介して、互いに接着されている。さらに、第１接着層２２は、センサ基板１と封止基板２との間に、エアダンピング効果が得られる程度の空隙Ｇが形成されている。また、加速度センサ１０１は、互いに対向する封止基板２とシリコン基板２０との間に挟持され、シリコン基板２０と加速度センサ１０１とは、第２接着層２１により接着されている。 （もっと読む）

【課題】精度や信頼性がより高い、絶対圧測定用の静電容量型圧力センサ及びその真空室の真空度を評価する評価方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤフラム３の圧力により変位する可動電極６と、該可動電極６に対向して設けられた固定電極５とを真空室内４に備え、該可動電極６と該固定電極５との間の静電容量を計測することにより、ダイヤフラム内の圧力を計測する静電容量型圧力センサにおいて、前記真空室内４に外部に端子が引き出される一対の真空度計測用端子７ｃ、７ｄを設けた。真空度計測用端子７ｃ、７ｄの一方に高電圧を印可し、他方の電極から放電電流を計測することにより、真空室４内の真空度を計測して真空度を評価する。 （もっと読む）

【課題】機械・電気変換器を超小型にしても感度がよく、感度の調整幅が広く耐久性もよいものにする。
【解決手段】枠状の支持部１０によって支持される細片状の梁部２６によって錘部１２を支え、その梁部２６に機械的変動を電気的変動に変換する変換素子としてピエゾ抵抗素子２０を設け、そのピエゾ抵抗素子２０に錘部１２の機械的変動を梁部２６を介して伝達するように構成する。そして、その梁部２６をシリコン窒化膜１６と樹脂膜１８とを積層して構成する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内でのレイアウトを容易にし、なおかつ検出感度が良好な加速度センサチップ。
【解決手段】加速度センサチップ１０は、フレーム体部１２ｃ、突起部１２ｄを有するフレーム部１２と、合計４つの梁部１６により可動に支持されている中心錘部１４ａ、４つの直方体形状の突出錘部１４ｂを有している可動構造体１４と、突出錘部とは非接触として、当該突出錘部上に延在させて設けられている複数のストッパ１９とを具えている。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムの受けた振動を電気信号に変換する変換部をより容易且つ強靱に固定することのできる半導体センサを提供する。
【解決手段】外部から伝搬された音波を直接受圧して振動可能に配設されるダイアフラム１１と、そのダイアフラム１１の振動を電気信号に変換する平行平板型コンデンサを構成する可動電極１３および固定電極１４とを、半導体基板１０上の異なる部位に形成する。そしてダイアフラム１１と可動電極１３とを、半導体基板１０の上面から離間した状態で配設された振動伝達部材１５によって連結する。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子とコンタクトホール内の配線との電気的接続箇所における剥離や分離等のコンタクト不良を防止する。
【解決手段】ピエゾ抵抗型３軸加速度センサは、錘部と、この錘部の周辺に配置された台座部５１と、この台座部５１上に固定された周辺固定部４２と、錘部を周辺固定部４２に可撓的に連結する梁部４４とを備えている。梁部４４と周辺固定部４２との境界線Ｐ１１を跨ぐ位置に、一方のピエゾ抵抗素子４５−１が設けられ、梁部４４と錘部との境界線を跨ぐ位置に、他方のピエゾ抵抗素子が設けられている。各ピエゾ抵抗素子４５−１の両端部には、接合部４６−１，４６−２がそれぞれ形成され、この接合部４６−１，４６−２と、この上層に複数個直列に配列されたコンタクトホール４７ａ内の配線４８とが、電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法で耐衝撃性等を向上させる。
【解決手段】加速度センサは、錘固定部１３を可撓的に支持する周辺固定部１２と、錘固定部１３に固定された錘部２３と、この錘部２３をパッケージ底部６１等のセンサ搭載部から所定の間隔をおいて配置するために周辺固定部１２を前記センサ搭載部に固定する台座部２１と、前記センサ搭載部に対向する位置に配設され、錘部２３の変位を制限するストッパ部１５とを備えている。そして、ストッパ部１５上等に直接、硬化性の弾性接着剤（例えば、液体から弾性体に硬化するシリコン系ゴム５０等）をディスペンサ等を用いて一定量塗布している。これにより、ストッパ部１５に加わる衝撃力等を弾性接着剤により吸収及び抑制でき、ストッパ部１５を補強して耐衝撃性等の機械的強度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】ＸＹＺの３軸の出力差を小さくして省電力化を図る。
【解決手段】ピエゾ抵抗型３軸加速度センサは、外枠部１１と、この外枠部１１内に配置された質量部１３と、この重量部１３を可撓的に支持する梁部材１４−１ａ，１４−１ｂ，１４−２ａ，１４−２ｂと、この梁部材１４−１ａ，１４−１ｂ，１４−２ａ，１４−２ｂ上に形成されたＸ、Ｙ、Ｚ軸用ピエゾ抵抗体１５−１ａ，１５−１ｂ〜１５−６ａ，１５−６ｂとを備えている。Ｚ軸用ピエゾ抵抗体１５−５ａ，１５−５ｂ，１５−６ａ，１５−６ｂの長さＬ２は、Ｘ軸用ピエゾ抵抗体１５−１ａ，１５−１ｂ，１５−２ａ，１５−２ｂ及びＹ軸用ピエゾ抵抗体１５−３ａ，１５−３ｂ，１５−４ａ，１５−４ｂの長さＬ１よりも長くして、感度を低下させている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高温の雰囲気内においても長期に亘り良好な検出精度を維持する圧力センサを提供する。
【解決手段】 抵抗素子３０は、支持基板１０上に形成した酸化膜２０上に形成されている。当該抵抗素子３０は、ピエゾ抵抗体３１、リード３２及び両パッド３３でもって構成されており、ピエゾ抵抗体３１及びリード３２は、半導体材料にボロンを注入して形成されている。ここで、当該ボロンの濃度は、ピエゾ抵抗体３１及びリード３２の各深さ方向において略一定となっている。 （もっと読む）

【課題】 歪み抵抗素子と同等の熱影響を受ける位置であって応力の影響を受けない位置に温度補償用抵抗素子を設け、高精度な応力検出を行える多軸力センサ用チップと多軸力センサを提供する。
【解決手段】 多軸力センサ用チップは、外力作用領域部４Ａと非変形領域部４ｂを有する作用部４と、作用部を支持する支持部３と、作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄとを備える半導体基板２と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓyb1〜Ｓyb3と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子１１とを備えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 耐食性、耐熱性等の耐久性に優れ、構造が簡単で微細加工ができ、しかも安価に製造することができるダイアフラムチップとそれを用いた圧力センサ及びダイアフラムチップの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイアフラムチップ１５は、Ｓｉ基板１２の表面１２ａに断面矩形状の凹部１３が形成され、この凹部１３の上方かつ表面１２ａ上に、膜厚が０．０５μｍ以上かつ５０μｍ以下のＳｉＣ薄膜１４が形成され、このＳｉＣ薄膜１４の凹部１３上の領域がダイアフラム部１４ａとされたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ，Ｙ，Ｚ軸の出力差を減らすため、Ｚ軸の感度を下げてＸ，Ｙ軸の感度に合
わる方式では、感度を下げて使用することになり高感度化ができない。また、Ｘ，Ｙ，Ｚ
軸の出力差が大きいと、出力増幅率が異なる増幅器を各軸毎に準備する必要があるため高
価となる。
【解決手段】 ピエゾ抵抗素子が設けられた部位ｂの断面積、ピエゾ抵抗素子がない部位
ａの断面積の比ｂ／ａが１．１以上３．５未満、より好ましくは１．５以上２．５以下と
、可撓部のピエゾ抵抗素子がない部位の断面積を小さくすることで、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸の感度
差を小さくすることができるとともに、耐衝撃性も確保できる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子を用いたセンサーにおいて、製造工程においてコストが高くなるという課題があった。
【解決手段】機械的に可動な可動子片に機械的変動を電気的変動に変換する素子と、くびれ部を有する錘部と、錘部を支える梁部と、錘部と梁部とが接する錘接続基部とを有する。その製造方法は、梁部と錘部との形成工程を融合し、３つの特性の異なるエッチング工程である、異方性の第２のエッチング工程と等方性の第３のエッチング工程と異方性の第４の異方性エッチング工程とを適切に用い、さらに材料の選択を行って、少ない工程で梁部と錘部を同時に形成でき、製造工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に可動電極およびこれに対向する固定電極を形成してなる容量式の角速度センサにおいて、犠牲層である埋め込み酸化膜の厚さを厚くすることなく、可動電極とシリコン基板との間の異物の混入による歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】 シリコン基板１１上に埋め込み酸化膜１３を介して積層されたＳＯＩ層１２に対して、可動電極３２、４０および固定電極６０、７０、８０を形成してなる角速度センサ１００において、可動電極２５とシリコン基板１１との連結部である検出梁リード５０の表面には圧縮応力を発生する圧縮応力層９０が形成され、この圧縮応力によって検出梁リード５０がシリコン基板１１から離れる方向へ反ることにより、可動電極３２、４０は、固定電極６０〜８０よりもシリコン基板１１から離れる方向へ位置した状態で固定電極６０〜８０とずれて対向している。 （もっと読む）

【課題】 小型化を達成し得る半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】 ピエゾ抵抗効果を有する感圧素子Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄによってブリッジ回路を構成するとともに、薄肉のダイアフラム部を有する半導体センサ４の電圧変化によって、被測定媒体の圧力と温度とを検出する圧力温度検出装置（半導体センサ装置）Ａに関して、半導体センサ４に定電流を供給するための定電流供給回路５１と、半導体センサ４からの前記圧力に関する出力電圧を増幅するとともに温度補正可能とする圧力検出回路５２と、半導体センサ４からの前記温度に関する出力電圧を増幅するとともに温度補正可能とする温度検出回路５３と、を一体に備えた出力調整用ＩＣ（集積回路）５ａを有している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、より高精度の温度補償が可能で、取り付け後の較正が容易な静電型圧力センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 所定圧力に設定された圧力基準室と圧力測定室とを隔てる第１のダイヤフラムに対向して測定電極が設けられ、第１のダイヤフラム及び測定電極間の第１の静電容量から圧力測定室の圧力を求める静電容量型圧力センサにおいて、環境温度変化に対する温度補償を行うための参照電極及びこれに対向する第２のダイヤフラムを設け、該第２のダイヤフラムを挟む参照電極側の第１の空間及び反対側の第２の空間の圧力を実質的に同一とし、前記第１の静電容量を前記参照電極と前記第２のダイヤフラム間の第２の静電容量により補正して前記圧力測定室の圧力を求める構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ピエゾ抵抗型半導体装置において、ダイヤフラムの形成領域を増加させることなしに、検出感度の向上及び出力の直線性の向上を図る。
【解決手段】
ダイヤフラム３と、ダイヤフラム３の外周に接続してダイヤフラム３を支持しダイヤフラム３よりも相対的に厚く形成された支持枠１と、ダイヤフラム３に垂直な方向の加速度や圧力を印加したことによるダイヤフラム３の変形により歪むことで発生する応力を検出するピエゾ抵抗型応力検出部４ａ，４ｂとを備えたピエゾ抵抗型半導体装置１０において、ピエゾ抵抗型応力検出部４ａに接する位置においてダイヤフラム３の少なくとも一部が除去されて溝９が形成されるようにする。 （もっと読む）