【課題】加速度センサの位置ずれを抑制した加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】
本発明にかかる加速度センサ装置１００は、固定部１３と、固定部１３に対し変位可能な重り部１１と、一端が固定部１１に、他端が重り部１１にそれぞれ連結され、重り部１１の変位に伴って撓む梁部１２と、を備えた加速度センサ２０と、固定部１３の底面と対向配置される主面１Ａを有し、加速度センサ２０が収容される凹部２を有する基体１と、加速度センサ２０と基体１とを接合する接着材４と、を備え、固定部１３は、底面の外周辺に少なくとも一部に面取り部５を有し、接着材４は、面取り部５と主面１Ａとの間に介在するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】重り部の強度を維持しつつ梁部を長くすることが可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】加速度センサ素子１は、開口部１３が形成された固定部３と、開口部１３内に配置される重り部７と、一方端が重り部７に連結され、他方端が固定部３に連結される梁部５と、梁部５に設けられ、梁部５の変形に伴って抵抗値が変化する抵抗素子９とを有する。重り部７は、梁部５の一方端が連結される主部１５と、主部１５に連結され、梁部５の重り部７側の端部よりも固定部３側に突出する付属部１７とを有する。付属部１７（非重なり部１９）は、開口部１３の開口方向に見て梁部５と重ならない位置において主部１５に連結されている。さらに、付属部１７（重なり部２１）は、梁部５よりも第２主面Ｓｂ側、且つ、開口方向に見て梁部５と重なる位置において主部１５に連結されている。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】
固定部と、前記固定部に対して変位可能な錘部と、第１端が前記固定部に、第２端が前記錘部に接続される梁部と、前記梁部に配置され、前記梁部の撓みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、前記抵抗素子の抵抗値を外部回路に接続するための導体層であって、前記抵抗素子に電気的に接続され、前記錘部の変位によりかかる応力が前記抵抗素子よりも小さい位置に配置された接続部と、前記接続部から延び、前記抵抗素子と異なる厚み位置に広がる面に配置される配線部と、を有する導体層と、を含む加速度センサ。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳチップとシリコン製キャップチップを接合したＭＥＭＳ組立体を樹脂
モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接
触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。
【解決手段】 シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェッ
トエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき
、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や
線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性を向上させた加速度センサ及び加速度センサ装置。
【解決手段】
固定部５０と、固定部５０に対して変位可能な重り部７と、固定部５０および重り部７を連結するとともに重り部７の変位に伴って撓む梁部５と、を含み、固定部５０および重り部７は、少なくとも一方の側面の梁部５との連結部１２外周に、梁部５の長手方向に沿って断面視凹曲線の内面６を有した溝部４を備えたことによって、耐衝撃性を向上させた加速度センサ及び加速度センサ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】プロセスの簡略化および静電引力の対策をともに行って、安価でありかつ高性能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の長方形状のソース部・ドレイン部の中央を分断するように溝部１７を設け、この溝部１７の両側の側壁１７ａ，１７ｂに第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。この構造では第１，第２の半導体層１３，１４が底面方向に薄く、可動ゲート電極１５の底面方向の厚みも減らして溝部１７の底面方向隙間１７ｆを確保し、可動ゲート電極１５に対する底面方向への静電引力の影響を受けにくくしている。また、可動ゲート電極１５に対する側壁間方向の静電引力も相殺している。従って可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 生産性が高く、信頼性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】
固定部と、前記固定部に対して変位可能な錘部と、一方端が前記錘部に、他方端が前記固定部に接続された梁部と、前記錘部の変位に応じた信号を出力する変位検出手段と、を有する加速度センサ素子と、平面視で、前記加速度センサ素子の前記錘部が配置される第１領域と、前記第１領域に隣接し、前記加速度センサ素子を外部回路に接続するための配線層を有する第２領域と、を有する基板と、前記加速度センサ素子を空隙を介して封止するように、前記基板の上面に固定されたキャップ型の封止部材と、有する加速度センサである。 （もっと読む）

【課題】 生産性が高く小型な加速度センサ素子及び加速度センサを提供する。
【解決手段】
錘部と、平面視で外形が矩形状であり、前記錘部を囲繞する枠状の固定部と、一方端が前記錘部に、他方端が前記固定部に接続された梁部と、前記梁部に設けられ、前記梁部の撓みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、平面視で前記錘部に重なるように配置され、前記固定部の一主面側の辺上に固定された規制板と、を有する加速度センサ素子。 （もっと読む）

【課題】厚みが薄く、しかも、その厚みのばらつきが少ないダイヤフラムを備えた半導体圧力センサと、その製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の第１主表面上には、ポリシリコン膜５５からなるダイヤフラム５が形成され、そのダイヤフラム５の上面には、４つのゲージ抵抗７が形成されている。シリコン基板１には、ダイヤフラム５の裏面を露出する貫通穴３０が形成されている。ダイヤフラム５とシリコン基板１との間には、ダイヤフラム５をシリコン基板１に据え付けるためのアンカー部２０が、貫通穴３０の第１主表面側の開口端を周方向から取り囲むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高精度にエッチングすることができるとともに複数の基板をエッチングする際のエッチングのバラツキを低減することのできる加速度センサの製造方法及びその製造方法で製造された加速度センサを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の上下両面において各固定電極２０ａ〜２０ｄと各可動電極４０，４１との間の距離を規定する深さ寸法の第１の凹所１０１ａ、及び各可動電極４０，４１の変位スペースを確保するための第２の凹所１０１ｂに該当する箇所を除いた箇所にマスク材料１００を形成する工程と、第１の凹所１０１ａ及び第２の凹所１０１ｂに該当する箇所に不純物をドーピングして高濃度不純物層１０４を形成する工程と、高濃度不純物層１０４を選択エッチングにより除去する工程を経て第１の凹所１０１ａ及び第２の凹所１０１ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】被覆体の縁部が基板の一面から剥がれることを防止することができるセンサ装置の製造方法を提供する
【解決手段】基板１０１の一面上の複数の触覚センサ２００を取り囲むように、基板１０１の一面上にエラストマからなる枠部材１１１を接着剤により接着する。複数の触覚センサ２００を被覆するように、基板１０１上の枠部材１１１の内側の空間に流動性のエラストマを充填し、硬化させる。それにより、枠部材１１１の内側に複数の触覚センサ２００を被覆するエラストマからなる被覆層１１２が形成される。枠部材１１１と被覆層１１２とは被覆体１１０として一体化される。 （もっと読む）

【課題】温度補償を高精度で行なうことができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体圧力センサは、シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成された第１のダイヤフラム２５および第１のゲージ抵抗７を有するアクティブゲージ抵抗形成部１０１と、基板１上に形成された第２のダイヤフラム２６および第２のゲージ抵抗７を有する温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２とを備えている。
アクティブゲージ抵抗形成部１０１の第１のダイヤフラム２５および温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２の第２のダイヤフラム２６が共通のポリシリコン膜５より形成されている。ポリシリコン膜５は基板１に接続するために基板１側に延びるアンカー部２１を有している。第１および第２のダイヤフラム２５、２６が互いに同一または対称の構造を有し、かつ第１および第２のゲージ抵抗７が互いに同一または対称の構造を有している。 （もっと読む）

感知素子が加圧媒体から電気的及び物理的に隔離されたような圧力センサを提供する。絶対圧力センサは、真空又は零圧力にあって感知素子を包囲する基準空洞を有する。基準空洞は、微細加工ダイヤフラムを有するゲージウエハに、凹みキャップウエハを結合させることにより形成される。感知素子は、ダイヤフラムの第１の側部に配置される。加圧媒体は、感知素子が配置されている第１の側部とは反対側のダイヤフラムの第２の側部に接近する。ゲージウエハの構造的支持及び応力除去のために、スペーサーウエハを使用することができる。一実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、垂直ウエハ貫通導電性ビアが使用される。別の実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、ゲージウエハ上の周辺結合パッドが使用される。 （もっと読む）

【課題】付属部をより大きくして感度を向上させることができる加速度センサ素子を提供することにある。
【解決手段】加速度センサ素子１は、開口部１３が形成された固定部３と、開口部１３内に配置される重り部７と、一方端が重り部７に連結され、他方端が固定部３に連結される梁部５と、梁部５に設けられ、梁部５の変形に伴って抵抗値が変化する抵抗素子９とを有する。重り部７は、梁部５の一方端が連結される主部１５と、主部１５に連結され、梁部５の一方端（主部１５側の端部）よりも他方端側へ突出する付属部１７とを有する。付属部１７は、開口部１３の開口方向の一方側（第１主面Ｓａ側）へ開口する第１溝部２５によって梁部５と隔てられ、梁部５よりも開口方向の他方側（第２主面Ｓｂ側）へ厚い基部１９を有する。また、付属部１７は、梁部５よりも第２主面Ｓｂ側の位置にて基部１９から梁部５側へ張り出した張出部２１を有する。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で、特性のばらつきが少ない高精度なＭＥＭＳを製造する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の第一の主面の環状領域に複数の凹部を形成し、前記基板を非酸化性雰囲気中で熱処理することによって、前記複数の凹部から前記基板内に環状の空洞を形成するとともに、前記空洞によって隔てられた薄肉部と厚肉部と、前記空洞に囲まれ前記薄肉部と前記厚肉部とを連結している支柱部とを形成し、前記第一の主面の裏面に相当する前記基板の第二の主面から、前記空洞に到達する環状溝を形成することによって、前記環状溝の外側に位置し前記薄肉部と結合する枠部と前記環状溝の内側に位置し前記支柱部に結合する錘部とに前記厚肉部を分割する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】検出精度の高く生産性の高い加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を加工して、基板の一主面側に比べて他主面側で水平方向における断面積が小さくなるように支持部に対向する内壁面が傾斜する傾斜領域を有する傾斜壁部を有する固定部を形成するＡ工程と、錘部材を傾斜壁部の傾斜領域に当接させた状態で支持部に固定するＢ工程と、傾斜壁部の傾斜領域の表面をエッチングにより除去して、錘部材と傾斜壁部との間に間隙を設けるＣ工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】３軸方向の加速度を検出することが可能でかつ容易に製造可能であるとともに小型化、低コスト化および周波数応答性の向上が可能な加速度センサを提供する。
【解決手段】 加速度センサ３００は、複数のセンサ素子２０１，２０２，２０３，２０４により構成されるセンサ素子群２００を含む。センサ素子２０１，２０２，２０３，２０４は共通の基板１０１上に異なる向きに形成される。センサ素子２０１，２０２，２０３，２０４はピエゾ抵抗素子を有するカンチレバーＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４を含む。カンチレバーＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４は基板１０１の一面から斜め上方に湾曲する。基板１０１は基台１１０上に取り付けられる。基板１０１上に空間が確保されるように基台１１０にケーシング１２０が取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】 小型化に適した電気的および機械的に安定なピエゾ抵抗素子型加速度センサー
を提供する。
【解決手段】 枠部と、可撓部と、該可撓部を介して枠部に保持される錘部と、可撓部に
設けられたピエゾ抵抗素子と枠部に設けられたチップ端子とを接続する金属配線および高
濃度拡散層を構成要素に持ち、直交する３つの加速度検出軸毎に前記ピエゾ抵抗素子と金
属配線と高濃度拡散層で構成されるブリッジ回路を有する加速度センサー素子を有するピ
エゾ抵抗素子型３軸加速度センサーあって、ピエゾ抵抗素子上に第２の絶縁膜を介してシ
ールド配線が配置されており、該シールド配線は前記金属配線の一部としてブリッジ回路
の一部を構成している。 （もっと読む）

【課題】小さい電圧で自己診断を行う加速度検出装置を提供する。
【解決手段】加速度検出装置１は、可撓部を有する基板５と、基板５に接続され、金属からなる導電部を有する重り部７と、を有し、可撓部の撓みに応じて加速度を検出する加速度検出素子３と、重り部７と所定の間隔を隔てて設けられた固定電極２０と、を備え、
貫通導体６を介して重り部７に電圧を印加することにより、重り部７と固定電極２０との間に静電引力が働くようにして自己診断をおこなう。 （もっと読む）

【課題】面方位が（１１０）面あるいはこれと等価な面であるシリコン層上に形成する酸化膜厚の制御を行うことのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】面方位が（１１０）面あるいはこれと等価な面であるシリコン基板１表面の一部に、リンのイオン注入を行って、端部の不純物濃度が連続的に変化した第１の不純物領域２Ａを形成する工程と、熱酸化を行って、シリコン基板１上に端部の厚さが連続的に変化したシリコン酸化膜３を形成する工程と、を含むこと、を特徴とする。 （もっと読む）