【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】可動ゲート電極の変位を制御可能な可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１７とドレイン電極１８との上に導電シールド電極２０が配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。そして導電シールド電極２０の電位を固定することとした。導電シールド電極２０が配置されることにより、可動ゲート１５とドレイン電極１８またはソース電極１７との間に発生する静電力を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基準圧室としての空洞を基板の内部に設けることにより、低コスト化かつ小型化を実現可能な圧力センサを提供すること。
【解決手段】この圧力センサ１は、シリコン基板２を備えている。シリコン基板２の内部には、シリコン基板２の主面に平行な方向に平たい扁平空間４が形成されており、この扁平空間４とシリコン基板２の表面２１との間には貫通孔６が形成されている。貫通孔６にアルミニウム充填体８が充填されて埋め込まれることにより、扁平空間４は、基準圧室として密閉されている。そして、扁平空間４に対してシリコン基板２の表面２１側には、シリコン基板２におけるその表面２１と扁平空間４との間の部分（ダイヤフラム５）の歪み変形により電気抵抗が変化するピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、二重固体電極を有するＭＥＭＳマイクロフォンの改善された製造方法と、改善された性質を有するマイクロフォンを提供する。 （もっと読む）

【課題】引き出し電極の抵抗値が小さく、引き出し電極の周りで寄生容量が形成され難い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなるベース基板Ｂ４であって、絶縁分離された複数個のベース半導体領域Ｂｓが上面の表層部の所定領域Ｒ１に形成されてなるベース基板Ｂ４と、シリコンからなるキャップ基板Ｃ４であって、ベース基板Ｂ４の所定領域Ｒ１において、下面がベース基板Ｂ４の上面に貼り合わされるキャップ基板Ｃ４とを有してなる半導体装置１００において、下面が所定のベース半導体領域Ｂｓに接続し、キャップ基板Ｃ４を貫通するようにして、上面がキャップ基板Ｃ４の上面まで伸びる、金属４０で構成された引き出し電極Ｄｅ１が、当該引き出し電極Ｄｅ１の周りにおいて、キャップ基板Ｃ４との間に溝３５を有するように形成されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子の形成位置の精度を高め、加速度センサの歩留まりを向上させる。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板の表層に不純物を導入することによってピエゾ抵抗部を形成し、非原型領域のうち、可撓部Ｆの原型領域の第三端および第四端に隣接し前記第三端と第四端とからそれぞれ一定距離の幅を有する側壁形成領域において、前記基板の表面に、前記基板に対するエッチング選択性を有する側壁１４ａを形成し、可撓部Ｆの原型領域および錘部Ｍの原型領域および枠部Ｓの原型領域を保護する保護部と、側壁１４ａとをマスクに用いて前記基板を異方性エッチングすることにより、枠部Ｓと錘部Ｍと可撓部Ｆとを形成するとともに、前記ピエゾ抵抗部からピエゾ抵抗素子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の領域分割基板と較べて部分領域を引き出し導電領域として利用した場合の抵抗値が小さく、導電性、半導電性または絶縁性の任意の基板材料を用いることができ、適用制限の少ない領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅに分割され、トレンチ３１ａによって形成された部分領域Ｃｅの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、導電層３５を介して、トレンチ３１ａ内に絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ１０とする。 （もっと読む）

メンブレン（２）はキャリア基板（３）上に配置され、キャリア基板（３）内の開口（３２）上に延在する。圧力センサ（１）は、媒体との直接的な接触からメンブレン（２）を保護するために保護層（４）を有する。保護層（４）は開口（３２）内側の第１領域（２８）および開口（３２）外側の第２領域（２９）におけるメンブレン（２）を被覆する。さらに、保護層（４）がエッチング処理のためのエッチストップを形成する、圧力センサ（１）の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】性能が改善された面内微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）加速度計デバイスを提供する。
【解決手段】一実施例のＭＥＭＳデバイスは、主要面に対して垂直な磁束場を生成するための１つまたは複数の構成要素を含む。このデバイスは、また、基板と、プルーフマス（４４）と、プルーフマスを基板に曲げやすく結合する蝶番要素（４８−１、４８−２）であって、主要面がプルーフマスの主要面に一致する蝶番要素と、磁束場に近接したプルーフマス上の位置に配置された複数の導電性リード（４６−１、４６−２、４６−３）と、それぞれが、対応する１つの導電性リードに電気的に接続された複数の導電性ばね（５０−１、５０−２、５０−３）と、基板および導電性ばねのうちの１つに接続された複数のアンカーパッド（６０−１、６０−２、６０−３）とを備える。分離トレンチは、他のリードに隣接したリードの外端またはプルーフマス材料に直接結合される。リードおよびばねは複数の溝（８６、９０）を含む。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの一例であるシリコンマイク１は、開口５が貫通して形成されたシリコン基板２と、開口５に対向して設けられ、その対向方向に振動可能な振動膜６と、振動膜６に形成された圧電素子９とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】平面矩形をなすダイヤフラムエッジの各辺上に配置した互いに対向する一対の第１及び第３の感応抵抗素子と互いに対向する一対の第２及び第４の感応抵抗素子によるブリッジ回路のオフセット電圧を調整でき、かつ、該オフセット電圧の温度特性変動を抑える半導体圧力センサ及びその製造方法を得る。
【解決手段】ブリッジ回路内に、第１ないし第４の感応抵抗素子にそれぞれ直列接続した補正抵抗を設け、この補正抵抗の抵抗温度係数を第１及び第３の感応抵抗素子側と第２及び第４の感応抵抗素子側で異ならせた。 （もっと読む）

【課題】 加速度センサにおいて、検出対象の加速度に対する応答性を改善する。
【解決手段】 支持部と、前記支持部に一端が結合している板ばね形の可撓部と、前記可撓部の他端が結合している錘部と、前記可撓部の歪みを検出する歪み検出手段と、を備え、前記錘部に、前記可撓部の厚さ方向と平行でない面を有する凹部および凸部が形成され、前記支持部に、前記錘部に形成された凹部の内側において当該凹部と対向する凸部と、前記錘部に形成された凸部と内側において対向する凹部とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 強い衝撃を受けても破損しにくい加速度センサを提供する。
【解決手段】 枠部（Ｓ）と、前記枠部の内側に一端が結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の他端が結合している錘部（Ｍ）と、前記可撓部の歪みを検出する第一歪み検出手段（Ｐ１〜Ｐ４）と、前記枠部および前記可撓部および前記錘部のいずれかに設けられ前記錘部が予め設計された所定範囲より大きく変位することを抑制するダンパであって、前記錘部の運動方向に撓む板ばね形のダンパ（４０，４１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に達する溝により、半導体層に可動部が区画されるとともに、溝を通じて可動部直下の絶縁層が除去されてなる半導体力学量センサにおいて、可動部直下に設ける突起部の突起先端と可動部との厚み方向の間隔ばらつきを抑制すること。
【解決手段】単結晶シリコンからなり、表面が（１００）面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いＰ導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。半導体層を異方性エッチングし、絶縁層に達する溝を形成して可動部を区画する。溝を通じて絶縁層をエッチングし、溝を半導体基板に達するものとするとともに、横方向において可動部直下における絶縁層の幅を可動部の幅よりも狭くする。上記溝を通じて半導体基板をアルカリエッチングし、突起先端が絶縁層と接する突起部を、可動部直下における半導体基板の表面に形成する。可動部直下に位置する絶縁層を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ周縁部にフォトレジストを形成することなく半導体ウェハ周縁部の半導体層に不純物イオンが注入されるのを防止し、電解エッチング処理の際に半導体ウェハの表面側と裏面側で電気的に短絡するのを防止する。
【解決手段】半導体ウェハ１の周縁部に、後工程のイオン注入工程でＮ型領域５に注入されるＰ型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜１３を形成する。半導体ウェハ１の主表面上にＰ型不純物イオンの注入領域を画定するためにフォトレジスト１７を形成する。イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。フォトレジスト１７を除去し、半導体ウェハ１の主表面に配線処理を行なった後、半導体ウェハ１のＰ型シリコン基板３に対して電解エッチング処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】外力に対して出力が変化しにくく、高い感度と耐衝撃性を両立できる加速度センサーを実現する。
【解決手段】錘部と、錘部を取り囲む支持枠部と、錘部を支持枠部に接続して保持する可撓性を有する複数の梁部と、梁部上に設けられたピエゾ抵抗素子とそれらをつなぐ配線を有し、支持枠部とともに錘部の周囲を囲む上蓋と下蓋が支持枠部の表裏面に接合され、ピエゾ抵抗素子の抵抗変化から、接合厚さ方向の第１軸と、それに垂直な平面内の第２軸および前記平面内で第２軸に垂直な第３軸の３つの軸方向、あるいはそれらのいずれかの軸方向の加速度を検出する蓋付き加速度センサー素子であって、支持枠部は分離溝によって内枠と外枠とに分離され、上蓋および下蓋は外枠に接合され、内枠は可撓性を有する複数の内枠支持部により外枠に接続され、前記梁部は第２軸と第３軸に沿って錘部の両側に接続し、内枠支持部は第２軸と第３軸から略４５度回転した方向で内枠の両側に接続する蓋付き加速度センサー素子を構成する。 （もっと読む）