【課題】被測定圧力以外の圧力変動をもたらす応力を抑制することができ、圧力センサの出力特性変化が生じがたい圧力センサを提供すること。
【解決手段】半導体基板１１、半導体基板１１の一面１１ａにおいて、その中央域αの内部に一面１１ａと略平行して広がる第一空隙部１２、第一空隙部１２の一方の側に位置する薄板化されたダイアフラム部１３、ダイアフラム１３上に配された感圧素子１４、及び半導体基板１１の一面１１ａにおいて、ダイアフラム部１３を除いた外縁域βに配され、感圧素子１４と電気的に接続されたバンプ１５を少なくとも備えた圧力センサであって、半導体基板１１の内部において外縁域βの少なくとも一部に配され、半導体基板１１の一面１１ａに対して閉じた第二空隙部１６が配されている。 （もっと読む）

【課題】被取付部材からダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制し得る圧力センサ素子およびその製造方法並びに圧力センサを提供する。
【解決手段】センサ素子４０は、基板４１の反取付面４０ｂに形成される開口部４２の開口側面４２ａから当該開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を備えている。この梁部４３内には、密閉状態である圧力基準室４４が形成されるとともに、この圧力基準室４４の圧力と圧力媒体の被測定圧力との圧力差に応じて変位するダイアフラム４５と、このダイアフラム４５上に設けられ当該ダイアフラム４５の変位に応じた信号を出力する圧力検出部４６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】接着剤側における対策によることなく、温度変化に伴うセンサエレメント部分の変形に起因した検出精度の低下を効果的に防止する。
【解決手段】支持基板８ａ上に絶縁層８ｂを介して単結晶シリコン層８ｃを有するＳＯＩ基板８に、溝や開口部８ｄを形成することにより、可動電極部１０及び左右の固定電極部１１，１２からなるセンサエレメント９を設ける。可動電極部１０は、支持基板８ａに片持ち状に支持される可動電極支持部１３を有し、固定電極部１１，１２は、支持基板８ａに片持ち状に支持される固定電極支持部１５，１７を夫々有し、それらを支持基板８ａ（ＳＯＩ基板８）の前辺部に並べて設ける。可動電極支持部１３の配線部１３ａ、固定電極支持部１５，１７の配線部１５ａ，１７ａを近接して設ける。 （もっと読む）

【課題】電極が腐食されるおそれのない圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１３が、圧力基準室２１内のダイアフラム側面１１ａ上に設けられており、上部電極１４が、その対向部１４ａにより圧力基準室２１内の厚肉部１２ａ上にて下部電極１３に対向して設けられている。貫通電極１８は、その一端が下部電極１３に電気的に接続され、その他端が絶縁膜１６、第１の基板１１、絶縁膜１６を貫通して非受圧面２４に露出している。貫通電極１９は、その一端が上部電極１４の室外部１４ｂに電気的に接続され、その他端が絶縁膜１６、段部１５、第１の基板１１、絶縁膜１６を貫通して非受圧面２４に露出している。 （もっと読む）

【課題】低背小型化しても実装後の検出感度を高く維持することができる加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、固定部１３の下面に開口部７ａを有するようにして固定部１３に設けられる孔部７と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が載置される主面１Ａを有する基板１と、基板１の主面１Ａと固定部下面の開口部７ａ周囲との間に介在され、一部が孔部７に埋入された状態でセンサ素子２０と基板１とを接合する接着剤８と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】複数のバンプ接合部の周辺のみを封止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム部材７０は、複数の絶縁用フィルム部材７１とこれら各絶縁用フィルム部材７１の周縁の一部がそれぞれミシン目７３を介して分断容易に連結される把持用フィルム部材７２とを有する。各絶縁用フィルム部材７１にそれぞれ貫通させた各バンプ６０と、各電極５２とが当接するようにセンサチップ２０と配線基板５０とを近接させる。そして、各バンプ６０と各電極５２とを電気的に接続する。そして、把持用フィルム部材７２を把持して各絶縁用フィルム部材７１から離間させることにより当該把持用フィルム部材７２と各絶縁用フィルム部材７１とをミシン目７３により形成される分断線に沿って分断する。そして、分断後の各絶縁用フィルム部材７１により各バンプ６０および各電極２３，５２との接合部であるバンプ接合部の周囲を封止する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、フレームからの応力影響を抑制することのできる加速度センサを提供する
【解決手段】半導体基板からなるフレーム１と、フレーム１の内側に配置され加速度の作用により変位する錘部２と、錘部２を片持ち梁構造でフレーム１の内側面に連結するビーム３と、ビーム３に形成され錘部２に加速度が作用したときの錘部２の変位によりビーム３に生じる応力を抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗４と、フレーム１に配置されピエゾ抵抗４からの信号を取り出す電極５と、を備える加速度センサにおいて、フレーム１とビーム３との間にビーム構造からなる応力緩和用ビーム６を形成するようになした。 （もっと読む）

【課題】パッケージへの実装時や実装後の温度変化に起因したセンサ素子への応力を低減することが可能で、且つ、センサ素子の厚み方向の両側それぞれに所望のギャップ長を確保することが可能なセンサモジュールを提供する。
【解決手段】一面が開放された箱状のパッケージ３と、パッケージ３の内底面３ａに固着されたセンサ素子１と、センサ素子１よりも平面サイズが大きくセンサ素子１と協働する半導体素子２とを備える。センサ素子１は、第１の仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所において、球状の第１のスペーサ５２を混合した第１の第１のダイボンド材５１からなる第１の接着部５によりパッケージ３の内底面３ａに固着され、半導体素子２は、第２の仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所において、球状の第２のスペーサ６２を混合した第２のダイボンド材６１からなる第２の接着部６によりセンサ素子１に固着される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に生じる応力を低減することが可能な半導体素子の実装構造を提供する。
【解決手段】半導体素子１は、当該半導体素子１の外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で接着剤（例えば、弾性率が１ＭＰａ以下のシリコーン樹脂などのシリコーン系樹脂など）からなる接着部２により基板に固着されている。ここにおいて、半導体素子１は、基板３側とは反対側の表面側（上記一表面側）において全てのパッド１９が１辺に沿って配置されており、当該１辺の両端の２箇所と、当該１辺に平行な辺上の１箇所との３箇所とに頂点を有する仮想三角形の各頂点に接着部２が位置しており、各パッド１９にボンディングワイヤを安定してボンディングすることができる。 （もっと読む）

【課題】外部応力によるセンサ出力の変動を抑制できるセンサ装置を提供する。
【解決手段】ベース部材上にピエゾ抵抗素子を一面側に有する回路チップが固定され、回路チップ上に一面に可動部を有するセンサチップが固定されたセンサ装置であって、センサチップは、可動部を回路チップのピエゾ抵抗素子形成面に対向させた状態で、可動部を取り囲むように配置された複数のバンプを介して回路チップに固定されている。また、回路チップは、ピエゾ抵抗素子形成面の裏面を対向面として、ベース部材に第１の接着部材を介して固定され、ピエゾ抵抗素子形成面におけるバンプによって取り囲まれた領域内に、ピエゾ抵抗素子が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 センサーチップに加わる外乱力に対して感度などの特性が変動しにくい加速度
センサーを実現する。
【解決手段】 支持枠部と可撓性の梁部を介して支持枠内に支持される錘部と、梁部に設
けられた半導体ピエゾ抵抗素子とそれらを接続する配線を有し、ピエゾ抵抗素子の抵抗変
化から加速度を検出する加速度センサーであって、梁部のピエゾ抵抗素子の形成部以外の
部分に応力緩衝部を形成する。応力緩衝部は梁部の略中央部に形成する。センサー素子に
外乱力がり梁部の長手方向に力が加わっても、応力緩衝部で外乱力を吸収する。梁部の長
手方向の応力が変化しにくいため、梁の変形しやすさも変化しにくくなり、外乱力の影響
による感度の変化を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 センサーチップに加わる外乱力に対して感度などの特性が変動しにくい加速度
センサーを実現する。
【解決手段】 支持枠部と可撓性の梁部を介して支持枠内に支持される錘部と、梁部に設
けられた半導体ピエゾ抵抗素子とそれらを接続する配線を有し、ピエゾ抵抗素子の抵抗変
化から加速度を検出する加速度センサーであって、梁部のピエゾ抵抗素子の形成部以外の
部分に応力緩衝部を形成する。応力緩衝部は梁部の略中央部に形成する。センサー素子に
外乱力がり梁部の長手方向に力が加わっても、応力緩衝部で外乱力を吸収する。梁部の長
手方向の応力が変化しにくいため、梁の変形しやすさも変化しにくくなり、外乱力の影響
による感度の変化を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム角部での応力集中、チップサイズの増大及びチップ強度の低下を抑制しつつ、チップ面積に対するダイアフラムの有効面積率を向上させる。
【解決手段】基板１０１の上面から底面まで貫通するように貫通孔１０２が形成されている。基板１０１上には貫通孔１０２を覆うように振動電極膜１０３が形成されている。貫通孔１０２上に位置する部分の振動電極膜１０３がダイアフラム１０４として機能する。基板１０１の上面における貫通孔１０２の開口形状は六角形である。 （もっと読む）

【課題】センサチップに熱歪が発生しても、半導体チップの特性変化を極力防止する。
【解決手段】センサチップ５のセンシング部９，１０の固定部１２に、歪補償用のＳｉＯ₂膜１９〜２２を蒸着などによって被着させる。温度上昇によりセンサチップ５が歪を生じても、その歪は熱膨張率の小なるＳｉＯ₂膜１９〜２２によって補償される。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極との間の変位量を検出する構成において、熱や外部歪の影響を極力防止することができる半導体力学量センサを提供する。
【解決手段】外部から力学量が印加すると、可動電極と固定電極８との間の距離が変化するので、その距離変化に応じて印加力学量を検出することができる。ここで、固定電極８において下側の絶縁層１１に支持された部位には複数の貫通孔２１が形成されているので、絶縁層１１による固定電極８の支持面積を極力小さくすることができる。従って、固定電極８に第１の半導体層９からの応力伝達が生じ難くなるので、第１の半導体層９から絶縁層１１を通じて固定電極８に外部応力或いは熱応力が作用してしまうことを極力防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ部側からの外部応力や残留応力に起因したセンサ部のセンサ特性の劣化を防止することが可能なチップサイズパッケージを提供する。
【解決手段】センサ部Ｅ１の周りを取り囲んでＩＣ部Ｅ２が形成されＩＣ部を取り囲んで接合用領域部Ｅ３が形成されたセンサ基板１と、貫通孔配線形成基板（第１のパッケージ用基板）２と、カバー基板（第１のパッケージ用基板）３を備える。センサ基板１は、接合用領域部Ｅ３の表面に第１の封止用金属層１８と第１の電気接続用金属層１９とが近接して形成され、貫通孔配線形成基板２は、第２の封止用金属層２８と第２の電気接続用金属層２９とが近接して形成され、センサ基板１と貫通孔配線形成基板２とは、封止用金属層１８，２８同士の活性化された接合表面同士が常温接合されるとともに、電気接続用金属層１９，２９同士の活性化された接合表面同士が常温接合されている。 （もっと読む）

【課題】キャップとセンサ基板との接合部位に作用する応力に起因してセンシング部に歪みが生じることを抑制するとともに、キャップ内への異物の侵入を抑制することが可能な半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】上部ガラスキャップ１２をカンチレバー１６が接続されたフレーム１４の一辺以外の辺に形成された金属薄膜２３を介してフレーム１４に陽極接合し、金属薄膜２３を介した陽極接合部以外における上部ガラスキャップ１２とフレーム１４との間に、上部ガラスキャップ１２とフレーム１４との間に形成される隙間を低減するための凸部２４を設ける。 （もっと読む）

マイクロフォン組立品は、キャリヤと、シリコンベースのトランスデューサと、導電素子と、アンダーフィル剤とを備える。キャリヤは、電気的接触要素を保持する第１の面を有している。シリコンベースのトランスデューサは、置換可能なダイアフラムおよび電気的接触要素を備える。トランスデューサは、キャリヤの第１の面上に一定間隔で配置される。導電材料は、キャリヤの電気的接触要素とシリコンベースのトランスデューサとの間に電気的接触を得るように配置される。アンダーフィル剤は、シリコンベースのトランスデューサとキャリヤとの間の空隙に配置される。アンダーフィル剤は、４０ｐｐｍ／℃を下回るアンダーフィル熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの残留応力を低減して応答性を高める。
【解決手段】半導体基板１及び該半導体基板１上に形成した支持層２に空洞孔３が形成されるとともに、該空洞孔３に架け渡された状態にダイヤフラム４が前記支持層２の上に支持された半導体センサにおいて、前記支持層２は、半導体基板１への接合面からダイヤフラム４への接合面にかけて厚さ方向に材料組成が変化し、ダイヤフラム４への接合面付近は該ダイヤフラム４の組成と同じか又はこれと近似した組成である。 （もっと読む）

【課題】実装基板との線膨張率差に起因して可撓性要素部に生じる応力をより緩和することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置たる加速度センサＡは、撓み部（可撓性要素部）１３を有するセンサ基板（機能基板）１と、センサ基板１と接合される第１のカバー基板２と、第１のカバー基板２との間にセンサ基板１を囲む形で第１のカバー基板２の一表面側に接合された第２のカバー基板３とを備える。第１のカバー基板２は、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い撓み部１３に発生する応力を緩和する溝部２０ｂが形成されており、第２の電気接続用金属層２９と当該第２の電気接続用金属層２９に電気的に接続された外部接続用電極２５との間に蛇腹状構造部２８が形成されるように一表面側の溝部２０ｂの形成位置と他表面側の溝部２０ｂの形成位置とをずらしてある。 （もっと読む）