【課題】外部からの機械的ストレスの影響に左右されず、安定した動作が可能な構造を有する小型の圧力センサ、および低コスト化を図るとともに、簡便な工程で安定して製造可能な圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧力センサ１Ａは、半導体基板からなる基体１３の一面において、その中央域αの内部に該一面と略平行して広がる第一空隙部１４、該第一空隙部１４上に位置する薄板化された領域からなるダイアフラム部１５、該ダイアフラム部１５に配された感圧素子１６、及び、前記基体１３の一面において、該ダイアフラム部１５を除いた外周域βに配され、該感圧素子１６と電気的に接続された導電部１７、を少なくとも備えた圧力センサであって、前記ダイアフラム部１５が配された前記一面とは反対側の前記基体１３の他面が、少なくとも一組以上の凹部１８と凸部１９を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ベース材の表面に接着されて加速度等の物理量を検出する半導体センサチップの特性変化を抑制し、ベース材に対する半導体センサチップの共振周波数が物理量の検出を阻害しないようにする。
【解決手段】平面視矩形環状に形成された板状の支持枠部２１と、その内縁２１ａに連結されて物理量を検出するセンサ部２２とを備える半導体センサチップ３において、支持枠部２１の一辺３１の幅寸法を他の辺３２〜３４の幅寸法ｗ１よりも大きく設定して一辺３１のうちその内縁２１ａから他の辺３２〜３４の幅寸法ｗ１分だけ差し引いた部分を延長部３５とし、延長部３５には支持枠部２１の外縁から支持枠部２１の面方向に窪む切欠部３７を形成する。半導体センサチップ３とベース材Ｐとは、その表面Ｐ１に対向する延長部３５の主面うち切欠部３７よりも一辺３１の内縁２１ａから離れた外側領域Ｓ１において、接着剤Ｇにより複数個所で点接着する。 （もっと読む）

センサモジュールは、キャリア（１）と、少なくとも一つのセンサチップ（３）と、前記センサチップ（３）に接続された少なくとも一つの評価チップ（４）と、を備える。前記キャリア（１）は、カットアウト（２）を備え、このカットアウトには、前記センサチップ（３）が少なくとも部分的に配置されている。評価チップ（４）は前記キャリア（１）上に配置されており、少なくとも部分的にはカットアウト（２）を覆っている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とキャップ部材との接合面に印加される応力により半導体装置の特性の精度が低下することを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１０のうちキャップ部材４０と接合される領域に形成された凹部１７、もしくはキャップ部材４０のうち半導体基板１０と接合される領域に形成された凹部４６、４７、もしくはキャップ部材４０のうち半導体基板１０と接合される領域と反対側の領域に形成された凹部４８の少なくとも一つの凹部１７、４６〜４８を備えて半導体装置を構成する。このような半導体装置では、凹部１７、４６〜４８が膨張・収縮が可能となり、応力を緩和することができるため、半導体装置の特性の精度が低下することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と実装基板との線膨張率差に起因して機能部に生じる応力をより緩和することができる半導体素子を提供することにある。
【解決手段】半導体素子１は、中央部に周部に比べて薄肉の撓み部１３が形成された半導体基板１０と、当該半導体基板１０の一表面側において撓み部１３に形成された回路部と、半導体基板１０の他表面側に設けられた外部接続電極１７と、半導体基板１０を厚み方向に貫通し上記回路部と外部接続電極１７との接続に用いられる貫通孔配線１８と、半導体基板１０の上記一表面側に設けられ貫通孔配線１８と上記回路部との接続用の接続部４３とを備え、さらに、半導体基板１０の上記他表面側において貫通孔配線１８よりも半導体基板１０の中央側に形成された第１の溝部３１と、半導体基板１０の上記一表面側において貫通孔配線１８よりも半導体基板１０の外周側に形成された第２の溝部３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】設計の自由度を高く維持しつつ、ＭＥＭＳに伝達される熱応力を効果的に抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳ部と、該ＭＥＭＳ部を支持するセンサ基板と、前記ＭＥＭＳ部に凹部が対向するように前記センサ基板に取り付けられるキャップ部と、を備える電子装置であって、前記キャップ部の壁面の一部には、前記センサ基板との接合部に比して厚みを薄くした凹凸構造の応力吸収部が形成されていることを特徴とする、電子装置。 （もっと読む）

【課題】 加速度の検出感度の低下、オフセット電圧の増加、温度ドリフトの悪化などが発生して電気的特性が劣化するのを抑制することができる加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】 加速度センサ装置５０は、加速度センサ素子１０と、加速度センサ素子１０が実装される実装面を有する基板２１と、加速度センサ素子１０と基板２１とを接続する接着剤４１とを備える。加速度センサ素子１０は、錘部１１と、錘部１１を囲繞する枠状の枠部１２と、枠部１２の下面に設けられる凸部１２ａと、一方端が錘部１１に、他方端が枠部１２にそれぞれ接続され、かつ可撓性を有する梁部１３と、梁部１３に設けられる抵抗素子１４とを有する。そして、前記接着剤４１は、前記凸部１２ａの下面と前記基板２１の実装面との間に介在され、加速度センサ素子１０と基板２１とを接続するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスのねじり懸垂のための取付けシステムを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスのための取付けシステムは、ＭＥＭＳデバイスが遭遇するひずみ変化に対する感度を最小化する、中央に配置された単一のアンカーマウントを使用して基板に選択的に結合されたプルーフマスを備えている。取付けシステムは、プルーフマス中に配置された分離切欠き部分を備えることができ、それにより所望の量のひずみ分離を有利に達成することができ、また、アンカーマウントから互いに逆方向に展開しているヒンジを製造することができる。単一のアンカーマウントは、共通の中心から距離を隔てて配置された複数のアンカーマウントを有する従来の取付けスキームと比較して、アンカーマウントの中心または重心からその周囲までの分離距離を短くするようになされている。 （もっと読む）

【課題】
製品基板への実装前後でセンサー出力のオフセット変化が小さい加速度センサーを実現する。
【解決手段】
支持枠部と支持枠部に可撓性を有する梁部を介して保持される錘部、梁部上に設けられたピエゾ抵抗素子とそれらをつなぐ配線を有し、ピエゾ抵抗素子の抵抗変化から少なくとも梁部の厚さ方向の加速度を検出できる加速度センサー素子を、保護パッケージ内に保持した加速度センサーであって、加速度センサー素子の梁部は、梁部の長手方向にかかる外力を吸収できる応力緩衝部と、支持枠部と応力緩衝部をつなぐ枠側梁部、錘部と応力緩衝部をつなぐ錘側梁部からなり、ピエゾ抵抗素子は枠側梁部および錘側梁部上に形成され、枠側梁部が錘側梁部よりも長くする。 （もっと読む）

【課題】
製品基板への実装前後でセンサー出力のオフセット変化が小さい加速度センサーを実現する。
【解決手段】
可撓性を有し錘部を支持する複数の梁部と、前記錘部の周囲を囲みそれぞれの梁部と接続する支持枠部と、前記梁部の上に複数設けられたピエゾ抵抗素子と、を有する加速度センサー素子と、この加速度センサー素子を内部に設けた保護パッケージ部と、を備えた加速度センサーにおいて、前記梁部の幅よりも広い幅を有する前記枠側接続部を有し、前記支持枠部は、前記枠側接続部を介して前記梁部と接続する。樹脂製の保護パッケージおよびそれを実装する製品基板の熱変形により加速度センサー素子が受ける外力に対して、錘部に近いピエゾ抵抗素子と梁部に近いピエゾ抵抗素子の横方向応力の変化の差を低減し、オフセット出力の変化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】組み立て時の応力に対して特性が安定した加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、可動電極１３と、第一、第二の固定電極１１、１２と、基板２０と、固定電極支持部位２５とを有している。第一、第二の固定電極１１、１２は可動電極１３と対向するように配置されている。基板２０は第一、第二の固定電極１１、１２を支持するためのものである。固定電極支持部位２５は基板２０に第一、第二の固定電極１１、１２を支持し、第一、第二の固定電極１１、１２に接する面積が第一、第二の固定電極１１、１２の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】 特に、シリコン基板に作用する応力を緩和できる物理量センサを提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコン基板２，３と、シリコン基板３に形成されたダイアフラムと、ピエゾ素子Ｂ〜Ｅと、シリコン基板３と接合されるインターポーザ１５と、を有する。インターポーザ１５は、支持基板１７と、支持基板１７の上面から下面にかけて形成される導通部１８と、を有する。インターポーザ１５とシリコン基板３間の接続領域４７には、第１有機絶縁膜４８と接続経路５０が設けられる。接続経路５０は平面方向に延びる延出部４３と、延出部４３と配線層１０間を高さ方向に繋ぐ第１接続端部５２と、延出部４３と導通部１８間を高さ方向に繋ぐ第２接続端部４６とを有する。延出部４３の導通部側接続位置αと、第１接続端部５２の素子側接続位置βとが、平面方向にずらされている。 （もっと読む）

ＭＥＭＳデバイスは、第１主表面とその反対面である第２主表面とを有する基板１０１と、前記基板１０１に形成された貫通孔１１０と、前記第１主表面の上側に前記貫通孔１１０を覆うように形成された振動膜１０５とを備えている。前記第１主表面及び前記第２主表面は共に（１１０）結晶面であり、前記第２主表面における前記貫通孔１１０の形状は実質的に菱形である。 （もっと読む）

【課題】 小型で温度安定性に優れた加速度センサー装置を提供する。
【解決手段】 可動部を有するＭＥＭＳチップとＭＥＭＳチップの少なくとも可動部を密
封するキャップチップとで形成されたＭＥＭＳ組立体を有し、配線基板と回路基板と前記
ＭＥＭＳ組立体を積層し、前記配線基板と前記回路基板の間を第１のダイアタッチフィル
ムで接続し、前記回路基板と前記ＭＥＭＳ組立体の間を第２のダイアタッチフィルムで接
続し、前記ＭＥＭＳチップと前記回路基板、前記回路基板と前記配線基板は、おのおの配
線で接続され、前記配線基板上において、前記回路基板、前記配線および前記ＭＥＭＳ組
立体が樹脂部材で封止されていることを特徴とする半導体センサー装置。 （もっと読む）

【課題】実装基板との線膨張率差に起因して機能素子に生じる応力をより緩和することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板１０を用いて形成され機能素子（センサ部Ｅ１、ＩＣ部Ｅ２）が集積化されたセンサ基板１と、第２の半導体基板２０を用いて形成されセンサ基板１の一表面側に封着された貫通孔配線形成基板２と、第３の半導体基板３０を用いて形成されセンサ基板１の他表面側に封着されたカバー基板３とを備え、貫通孔配線形成基板２におけるセンサ基板１側とは反対側の表面（第２の半導体基板２０の実装面側）に機能素子に電気的に接続された複数のパッド２５が形成されている。全てのパッド２５を内包する仮想円ＶＣの中心Ｍに対して相対的に近いパッド２５である内側パッド２５ａに比べて相対的に遠いパッド２５である外側パッド２５ｂの剛性を低くしてある。 （もっと読む）

【課題】パッケージへの実装時や実装後の温度変化に起因したセンサ素子への応力を低減することが可能で、且つ、センサ素子の厚み方向の両側それぞれに所望のギャップ長を確保することが可能で、且つ、接着剤がセンサ素子の性能に影響を及ぼすことを抑制可能なセンサモジュールを提供する。
【解決手段】センサ素子１は、第１の仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所において、球状の第１のスペーサを混合した第１のダイボンド材５１からなる第１の接着部によりパッケージの内底面に固着され、半導体素子は、第２の仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所において、球状の第２のスペーサを混合した第２のダイボンド材６ａからなる第２の接着部によりセンサ素子１に固着されている。センサ素子１の半導体素子側表面には、素子領域１２方向にダイボンド材６ａが流れ出すことを抑制する溝部４１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層と絶縁膜との間の応力集中を緩和することで機械的信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】支持基板９の上面上にｐ型不純物がドープされた酸化膜１０を介して形成されたシリコン層１１について当該シリコン層１１を第１幅Ｗ１の第１電極部分となる可動電極３ｄ、固定電極４ｂと、第１幅Ｗ１よりも広い第２幅Ｗ２の第２電極部分となるシリコン層１１（可動部３の一部）とを酸化膜１０の上面が露出するまで例えば異方性エッチング処理によって分断処理することで複数に加工する。次に、露出した酸化膜１０をシリコン層１１の下の中央寄りの支持部１０ｂを残留させながら支持部１０ｂ脇の酸化膜１０を例えば等方性エッチングにより除去する。 （もっと読む）

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）容量性センサ（５２）は、可動要素（５６）であって、可動要素（５６）の端部（８０，８４）の間で変位した回転軸（６８）を中心に旋回可能な、可動要素（５６）を含む。静的導電性層（５８）は、可動要素（５６）から離間し、電極要素（６２，６４）を含む。可動要素（５６）は、長さ（７８）を示す、回転軸（６８）と一方の端部（８０）との間のセクション（７４）を含む。可動要素（５６）は、さらに、セクション（７４）の長さ（７８）より短い長さ（８２）を示す、回転軸（６８）と他方の端部（８４）との間のセクション（７６）を含む。セクション（７４）は、端部（８０）から回転軸（６８）に向かって可動要素を貫通して延在する溝（８８）を含む。溝（８８）は、センサ性能を改善するために、パッケージ応力を補償する応力逃がしをセクション（７４）内に提供する。
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微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサ（５２）は、基板（６２）と、前記基板（６２）から離間する可動素子（５８）と、前記基板（６２）上に形成されるサスペンションアンカー（６６，６８，７０，７２）と、そして前記可動素子（５８）を前記サスペンションアンカー群に相互接続する従動部材群（７４）と、を含む。前記ＭＥＭＳセンサ（５２）は更に、固定フィンガ群（７６）と、そして前記固定フィンガ群（７６）を前記基板（６２）に取り付ける固定フィンガアンカー群（７８）と、を含む。前記可動素子（５８）は開口部群（６４）を含む。前記サスペンションアンカー群のうちの少なくとも１つのサスペンションアンカーが、前記複数の開口部（６４）のうちの少なくとも１つの開口部内に設けられ、そして複数ペア（９４）の前記固定フィンガ群（７６）が、他の複数の開口部（６４）内に設けられる。前記ＭＥＭＳセンサ（５２）は対称に形成され、そして前記固定フィンガアンカー群（７８）の位置によってアンカー領域（１０３）を画定し、このアンカー領域内に、前記サスペンションアンカー（６６，６８，７０，７２）が配置される。
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【課題】被測定圧力以外の圧力変動をもたらす応力を抑制することができ、圧力センサの出力特性変化が生じがたい圧力センサを提供すること。
【解決手段】半導体基板１１、半導体基板１１の一面１１ａにおいて、その中央域αの内部に一面１１ａと略平行して広がる第一空隙部１２、第一空隙部１２の一方の側に位置する薄板化されたダイアフラム部１３、ダイアフラム１３上に配された感圧素子１４、及び半導体基板１１の一面１１ａにおいて、ダイアフラム部１３を除いた外縁域βに配され、感圧素子１４と電気的に接続されたバンプ１５を少なくとも備えた圧力センサであって、半導体基板１１の内部において外縁域βの少なくとも一部に配され、半導体基板１１の一面１１ａに対して閉じた第二空隙部１６が配されている。 （もっと読む）