【課題】静電容量センサのダイヤフラムとプレートの応力を最適化する。
【解決手段】可動電極を形成するダイヤフラムとなる膜を堆積し、前記ダイヤフラムとなる膜を第一の温度に加熱し、前記ダイヤフラムとなる膜を加熱した後に、前記可動電極に対する静止電極を形成するプレートとなる膜を堆積する、ことを含む静電容量センサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】コンデンサマイクロホンの感度を全周波数領域域で向上させフラットな特性に近づける。
【解決手段】コンデンサマイクロホンは、静止電極と、開口を形成しているストッパプレートと、前記静止電極に対する振動電極を形成しているダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの前記ストッパプレートと反対側の面の前記ダイヤフラムの外周より内側に密着した膜からなり前記ダイヤフラムが架設されている環状の架設部と、を備え、前記ダイヤフラムの内部応力によって、前記ダイヤフラムの前記架設部に密着している領域より外側の外周部が前記ストッパプレートに接近した形状に変形した結果、前記外周部が前記ストッパプレートの前記開口の周囲領域に付着し、前記ストッパプレートの前記開口のある空間と、前記ダイヤフラムによって前記開口のある空間と仕切られているキャビティと、を連絡している音響抵抗通路が前記ダイヤフラムの前記外周部と前記ストッパプレートの前記周囲領域との非付着部分によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】検出方向に変位する変位部を有するセンサ素子を、素子用樹脂部材を介して基板上に接合してなる加速度センサ装置において、温度変化によるセンサ素子の反りによって検出精度が悪化するのを極力抑制する。
【解決手段】センサ素子３０のうち変位部３１の直下、および変位部３１から検出方向Ｙと平行に延びる部位の直下には、素子用樹脂部材４０を存在させずに、センサ素子３０のうち検出方向Ｙと直交する方向Ｘにて対向する両端部３０ｂの直下に、素子用樹脂部材４０を配置し、当該両端部３０ｂを、素子用樹脂部材４０を介して基板１０、２０に接合した。 （もっと読む）

【課題】金属ダイヤフラムと単結晶半導体より成るセンサチップとを組み合わせることにより高圧力を検出可能な構成とする場合において、線膨張係数差に起因した熱応力による悪影響を排除して検出誤差の低減を図ること。
【解決手段】金属製ダイヤフラム１ｂの上面には、平面形状が正八角形のセンサチップ２が接合される。このセンサチップ２は、面方位がほぼ（１００）の単結晶シリコンより成るもので、その上面には、チップ中心Ｏと直交した状態の２本の＜１１０＞軸上に、４個の歪みゲージ抵抗３ａ〜３ｄがチップ中心Ｏを挟んで点対称配置状に形成されている。これら歪みゲージ抵抗３ａ〜３ｄは、信号取出用のホイートストンブリッジを構成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ部側からの外部応力に起因したセンサ部の出力特性の劣化を防止することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ装置１は、半導体基板であるＳＯＩウェハを用いて形成されており、センサ装置１のセンサ部Ｅ１は、矩形枠状のフレーム部１１を備え、フレーム部１１の内側に配置される重り部１２が一表面側において可撓性を有する４つの短冊状の撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。センサ部Ｅ１は、重り部１２と各撓み部１３とで可動部を構成しており、可動部にセンシング部としてのピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４が形成されている。センサ装置１は、センサ部Ｅ１と協働するＩＣ部Ｅ２がセンサ部Ｅ１の周りを取り囲んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板からなる力学量測定装置の大きなひずみによる破壊を防止する。
【解決手段】ひずみ検出部を有する半導体単結晶基板からなるセンサチップの裏面にひずみ測定用の実装板を設ける。
【効果】被測定物に大きなひずみが発生した場合でも、実装板により半導体単結晶基板に生じるひずみを制御することが可能であるため、半導体単結晶基板が破壊することが無く、信頼性の高い力学量測定装置が提供することができる。 （もっと読む）

【課題】機械的応力が制御された弱い引張応力を持ち、かつ、導通化された薄膜構造体を形成するための方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ等の基板３２の上にポリシリコン薄膜からなる下層膜３５を形成した後、下層膜３５にＰ等の不純物をドープして熱拡散させることにより下層膜３５を導通化させる。ついで、下層膜３５の上に、成膜されただけで導通化されていないポリシリコン薄膜からなる上層膜３６を成膜する。上層膜３６は、下層膜３５の圧縮応力と同程度の引張応力を有しており、下層膜３５及び上層膜３６からなる薄膜構造体Ａは全体として弱い引張応力を有するように調整されている。 （もっと読む）

【課題】機構ダイおよびパッケージを備えるマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）慣性センサ装置用の分離応力離隔装置を提供すること。
【解決手段】容量性装置機構が、機構ダイとパッケージ基板の間に位置付けられた基板層内に形成される。分離応力離隔構造が、同じ基板層内に形成されるが、容量性装置機構からは物理的に離隔される。分離応力離隔構造は、機構ダイとパッケージ基板の間に置かれ、それらの間に機械的電気的結合を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高性能のLSIの性能を維持しながら、応力制御したMEMS構造体を形成し、両者を1チップ上に集積化することにあり、さらにMEMS構造体を電気的・化学的に保護し、かつ、MEMS可動部全体を低応力化することにある。
【解決手段】MEMS構造体に、低温成膜可能な金属シリコン化合物膜を用い、成膜時の温度T1を、成膜以降の製造プロセスで必須となる、高性能LSIの特性を劣化させない熱処理温度T2と、偽結晶化温度T3に照らし合わせて、任意に選択することにより、MEMS構造体の完成時点での残留応力を制御する。 （もっと読む）

本発明は、ベースチップ上に構成されており容量的に動作するＭＥＭＳセンサに関する。当該のＭＥＭＳセンサは、ベースチップ上に被着されパターニングされた層構造体を有する。当該の層構造体には切欠が形成されており、当該の切欠内に可動電極、例えばメンブレインが配置されている。当該の切欠はカバー層によって覆われており、当該のカバー層は層構造体上で切欠の周囲に載置され、内部に後面電極を含んでいる。
（もっと読む）

【課題】半導体素子外部及び半導体素子内部に発生する熱膨張による歪みが半導体素子の電気的特性に与える影響を抑制することができる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】開口部を有する固定部１２と、固定部１２に対して変位可能な錘部１４と、一方の端が錘部１４に連結され且つ他方の端が固定部１２に連結された可撓性の梁部１３と、固定部１２の底面に固定された複数の支持基板５０と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】回路基板への実装面積をより小さくすることができ且つ実装基板や回路基板からセンサ素子へ伝達される応力を低減することができるセンサモジュールを提供する。
【解決手段】センサモジュールは、加速度センサエレメントからなるセンサ素子Ａと、センサ素子Ａがフリップチップ実装される実装基板５とを備える。センサ素子Ａは、一表面側に複数の外部接続用電極２５を有し、実装基板５は、各外部接続用電極２５それぞれが電気的に接続される複数のセンサ接続用電極５３を有する。センサ素子Ａと実装基板５とは、接続関係が規定された外部接続用電極２５とセンサ接続用電極５３との組ごとに実装基板５の厚み方向において重なる複数のバンプ９ａ，９ｂを介して接合されている。 （もっと読む）

【課題】センサチップの厚み方向の加速度に対応する出力電圧におけるオフセット電圧の温度変動を抑制できる加速度センサを提供することにある。
【解決手段】加速度センサは、フレーム部１０と、フレーム部１０の内側に配置される重り部１１と、重り部１１の四方からそれぞれ延設されて、重り部１１をフレーム部１０に揺動自在に支持させる４つの撓み部１２とを備えて半導体基板から形成されるセンサチップ１を有し、該センサチップ１には、センサチップ１の厚み方向の加速度検出に用いられる厚み方向用圧電素子である４つのピエゾ抵抗Ｒｚ１〜Ｒｚ４と、前記厚み方向に直交する方向の加速度検出に用いられる各４つのピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４とが設けられ、これらピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４は、センサチップ１の撓み部１２において重り部１１側の端部Ｐに形成されている。 （もっと読む）

【課題】センサ素子のセンサ特性の変動を抑制することができ、且つ、実装基板とセンサ素子およびＩＣチップとの接続信頼性を高めることができるセンサモジュールの製造方法、センサモジュールを提供する。
【解決手段】実装基板５のセンサ接続用電極５３上に第１のＡｕバンプ９を形成し、実装基板５の外底面５ｂ側にアンダーフィル用樹脂材８１を貼着し、ＩＣチップ４を位置合わせしてから、ＩＣチップ４に対して加熱および荷重の印加を行うことでＩＣチップ４のパッド４１上の第２のＡｕバンプ７をＩＣ接続用電極５４に熱圧着するのと同時にアンダーフィル用樹脂材８１を熱硬化させることでアンダーフィル８を形成する。次に、センサ素子である加速度センサエレメントＡの外部接続用電極２５と実装基板５の内底面側のセンサ接続用電極５３とを第１のＡｕバンプ９を介して常温接合する。 （もっと読む）

【課題】センサウェハとパッケージウェハとの接合時に発生する残留応力の低減が可能なセンサエレメントを提供する。
【解決手段】センシング部を有するセンサ基板（センサ本体）１を複数形成したセンサウェハ１０と貫通孔配線形成基板（第１のパッケージ用基板部）２を複数形成した第１のパッケージウェハ２０およびカバー基板（第２のパッケージ用基板部）３を複数形成した第２のパッケージウェハ３０とをウェハレベルで常温接合することで形成したウェハレベルパッケージ構造体１００から所定のサイズに切断することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体よりなるセンサチップを接着フィルムを介してパッケージ上に搭載してなる半導体力学量センサ装置において、接着フィルムの熱応力緩和機能を発揮させつつ、接着フィルムを半導体ウェハに貼り付けた状態でダイシングカットしセンサチップと一緒にパッケージ上に搭載できるようにする。
【解決手段】接着フィルム４０として、第１の層４１と第２の層４２とからなり且つ第１の層４１が第２の層４２よりも低い弾性を有するとともに第２の層４２が第１の層４１よりも吸水性が小さいものを用い、これを、半導体ウェハ２００側から第１の層４１、第２の層４２となるように、半導体ウェハ２００に貼り付け、続いて、半導体ウェハ２００を接着フィルム４０とともにダイシングカットし、しかる後、接着フィルム４０が貼り付けられたセンサチップをパッケージ上に搭載し、第２の層４２にて接着する。 （もっと読む）

【課題】マイクロマシニング型の圧力センサであって、基板の表側が、媒体に面しており、センサ領域を備えたセンサダイヤフラムが、表側に配置された形式のものに関して、パッシベーションゲルを使用することなしに、電気的なコンタクティング部が媒体にさらされないようにする。
【解決手段】センサ領域と裏側との間の電気的なコンタクティング部を、少なくとも１つのコンタクトホールを裏側から基板に加工することにより、センサ領域が、裏側に電気的にコンタクティングされているようにした。 （もっと読む）

【課題】 内部応力が高精度に制御されたダイヤフラム及びその製造方法並びにそのダイヤフラムを用いたコンデンサマイクロホンを提供する。
【解決手段】 第一の薄膜を堆積により形成し、前記第一の薄膜と内部応力が異なる第二の薄膜を形成することにより前記第一の薄膜と前記第二の薄膜とを有する複層膜からなるダイヤフラムの内部応力を調整する、ことを含むダイヤフラムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗特性の不釣合いを誘引するような構造を改善し、残留応力の影響の小さいＭＥＭＳ加速度センサを実現する。
【解決手段】ＭＥＭＳ加速度センサは、枠形状のフレーム部１２と、上記フレーム部の枠内に配置される錘部１１とを、複数の可撓性の梁部１３にて接続する構成とする。梁部１３におけるフレーム部１２との接続側では、長さＵのノッチ部１２Ａがフレーム部１２において形成され、梁部１３における錘部１１との接続側では、長さＵｐのノッチ部１１Ａが錘部１１において形成される。 （もっと読む）

【課題】パッケージと半導体素子との熱膨張係数の違いによる応力の発生を低減し、且つ、半導体素子を収納するパッケージの外部応力や熱膨張などによる変形に対して安定して動作することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、内部にキャビティ（１０１ａ及び１０１ｂ）を有するパッケージ（下部容器１０１、スペーサ１１１及び上部蓋１１２）と、キャビティ（１０１ａ及び１０１ｂ）の何れかの面から突出する端子１０２と、キャビティ（１０１ａ及び１０１ｂ）の何れの面にも接触しないように、端子１０２に固定された半導体加速度センサチップ１０とを有する。 （もっと読む）