【課題】パッケージと半導体素子との熱膨張係数の違いによる応力の発生を低減し、且つ、半導体素子を収納するパッケージの外部応力や熱膨張などによる変形に対して安定して動作することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、内部にキャビティ（１０１ａ及び１０１ｂ）を有するパッケージ（下部容器１０１、スペーサ１１１及び上部蓋１１２）と、キャビティ（１０１ａ及び１０１ｂ）の何れかの面から突出する端子１０２と、キャビティ（１０１ａ及び１０１ｂ）の何れの面にも接触しないように、端子１０２に固定された半導体加速度センサチップ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 気密空間にリークを生じたり、検出体や基体が破壊されたりすることを防止できる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】 誘電体材料でなる基体３２と、該基体に重ねて固定されており、受ける圧力に応じて変形するように厚みを薄くして形成した検出体４１と、前記検出体の変形面４９と、前記基体とが互いに対向する対向面のいずれか一方の面に形成された放射状の電極指を有する第１の電極４４と、他方の面に形成され、前記第１の電極４４と所定の間隔を置いて重ならない位置に形成した第２の電極３６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 音圧センサチップ等の半導体チップを備える半導体装置において、半導体チップに備えるダイヤフラムの振動特性の変化を抑制できるようにする。
【解決手段】 シリコンから形成され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラム９ａを備えた半導体チップ９が、シリコンからなる集積回路基板７の表面７ａに実装されていることを特徴とする半導体装置１を提供する。また、前記半導体チップ９と前記集積回路基板７とが相互に電気接続されていることを特徴とする半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】 構造的強度を高め、正確な圧力測定を長期間にわたって維持できる圧力センサ
を提供する。
【解決手段】 圧力センサ１０は、タッチモード式静電容量型の圧力センサであって、一
方の表面に形成される第１電極６０と、第１電極６０の表面に成膜される誘電体膜７０と
、他方の表面に形成される第１接合電極３０と、を有する固定基板４０と、誘電体膜７０
に対向して形成されるダイヤフラム５１と、ダイヤフラム５１の表面に第１電極６０に対
向して設けられる第２電極８０と、を有する可動基板５０と、を備え、固定基板４０と可
動基板５０とが接合されてダイヤフラム５１と誘電体膜７０との間に形成される空間５５
の内外を連通する貫通孔４６を有する接続電極３３が固定基板４０に設けられ、固定基板
４０の表面４３に、貫通孔４６を密閉する絶縁性材料からなる台座基板２０がさらに接合
されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 接合に伴う面内歪みの低減がなされた圧力センサを提供すること。
【解決手段】 受圧基板１０に形成されたダイアフラム１１の対向面１０ａ側に可動電極１３が、対向基板２０における可動電極１３と対向する領域に対向電極２１が形成され、両基板１０，２０は、受圧基板１０の対向面１０ａに形成された導電膜１４ａ，１４ｃを介して陽極接合される。対向基板２０の対向面２０ａには導電膜１４ａとの接合領域に沿って、スリット２４が形成されている。スリット２４の周辺部は、変形のしやすい変形容易部として機能し、この変形容易部の変形によって対向基板２０側の面内歪みは吸収される。また、スリット２４によって接合面における受圧基板１０に対する追従性も良くなるので、受圧基板１０側の面内歪みも緩和される。 （もっと読む）

【課題】 パッケージへ伝達された熱に対して安定した動作が可能な半導体装置およびその製造方法、ならびにそれに使用される接着材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体加速度センサ装置１は、内部にキャビティ２１ｃを有し、下部容器２１と上部蓋２５とからなるパッケージと、半導体加速度センサチップ１０と、フレーク状の金属片である粒子３１ｂが添加されたシリコーン樹脂などの比較的低弾性率の樹脂３１ａよりなり、半導体加速度センサチップ１０をキャビティ２１ｃ内部に固着する接着部３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 パッケージへ伝達された熱や応力に対して安定した動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体加速度センサ装置１は、内部にキャビティ２１ｃを有し、下部容器２１と上部蓋２５とからなるパッケージと、半導体加速度センサチップ１０と、上面のチップ搭載領域３２ａに半導体加速度センサチップ１０が固着されたスペーサ３２と、スペーサ３２の下面におけるチップ搭載領域３２ａ下以外の領域（糊代３２ｂ、離間領域３２ｃ）とキャビティ２１ｃの底面２１ａとを接着する接着部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 小型で高い感度を有する３軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 加速度センサ１は、支持枠２と、支持枠２で囲まれた空間に、Ｘ軸方向に沿って順に配置された第２の錘５、第１の錘３および第３の錘４を備える。第１の錘３と第２の錘５とは第１接合部１１で連結され、第１の錘３と第３の錘４とは第２接合部１０で連結されている。第１接合部１１から＋Ｙ軸方向、−Ｙ軸方向にそれぞれ第１の梁６、第２の梁７が細長く延在して、第１接合部１１とそれが対向する支持枠部分２Ａ，２Ｂとを連結している。第２接合部１０から＋Ｙ軸方向、−Ｙ軸方向にそれぞれ第３の梁８、第４の梁９が細長く延在して、第２接合部１０とそれが対向する支持枠部分２Ａ，２Ｂとを連結している。第１乃至第４の梁６，７，８，９に梁の変形を表す信号を出力する複数のセンサ素子が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 従来の慣性力センサの電極パッド６とセンサ回路を接続する配線７は、枠１に埋め込まれ貫通し、固定した配線でセンサ回路を構成するセンサ内部の固定電極５やアンカ２とつながるため、温度変化に伴う枠１の応力変化がセンサ回路に伝わり、そのインピ−ダンスを大きく変化させていた。
【解決手段】 配線７を空中配線とし、バネ状の部位７Ｓを設け、温度変化に伴って枠１に生じる応力変化をバネ状の部位７Ｓに吸収させ、温度変化に対するセンサ回路のインピ−ダンス変化を抑止する。 （もっと読む）

【課題】周囲の温度が変化した場合に加速度センサチップに生ずる歪みを抑制し、検出精度が高い半導体加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】加速度センサチップを内部に収容する中空のパッケージであって、パッケージ内部の底面の所定領域内に凹部が形成されているパッケージと、凹部に充填されており、接着性を有する低弾性部材と、低弾性部材上に配置された加速度センサチップであって、低弾性部材と加速度センサチップとの接着面が底面よりも高い加速度センサチップと、からなる半導体加速度センサ装置。 （もっと読む）

【課題】センサ全体の薄型化を図りつつクラックなどの発生を防止することができる物理量センサを提供する。
【解決手段】矩形枠状のフレーム部１１の内側に配置される重り部１２が可撓性を有する４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持され各撓み部１３にゲージ抵抗が設けられたセンサ部１０と、センサ部１０の厚み方向の一表面側に配置され周部がフレーム部１１に固着された第１のカバー部２０と、センサ部１０の厚み方向の他表面側に配置され周部がフレーム部１１に固着された第２のカバー部３０とを具備するセンサ本体部Ｂを備えている。センサ本体部Ｂが矩形枠状の外側フレーム部Ｃの内側に配置されるとともにセンサ本体部Ｂが連結部Ｄを介して外側フレーム部Ｃに支持され、センサ本体部Ｂの周囲には連結部Ｄを除いて外側フレーム部Ｃとの間にスリットＥが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 外部からの応力による影響を小さくできるマイクロ構造体を提供する。
【解決手段】 半導体層１１に複数のビーム１１１〜１１４を介して重錘体１４を支持してセンサパッケージ１を構成し、センサパッケージ１を枠部材２の底面２２に配置し、底面２２に対面する支持基板層１３の底面を、底面形状の重心位置を中心として４分割した領域に分けて、そのうちの１つの領域でのみ、支持基板層１３の底面と枠部材２の底面２２とをダイボンディングペースト４で接合する。 （もっと読む）

【課題】 熱応力の影響が少なく検出精度が良好で、かつ生産性の高いセンサを提供することにある。
【解決手段】 矩形のセンサチップ１１１は、その四辺を構成するフレームの内フレーム１１７Ａの一辺のみが基板と接着して固定しており、センサチップ１１１の残りの三辺は基板と離れていて自由に動くことができ、接着剤１２１の硬化収縮や基板１１２とセンサチップ１１１の線膨張係数差によって発生する応力を緩和することができる。また、センサチップ１１１に設けた出力用の電極パッド１２２は基板１１２と固定されたフレーム１１７Ａ上に設置されており、ワイヤーボンディング時にワイヤーの接合強度が弱くなることもない。 （もっと読む）

【課題】 圧力検出素子に発生する非線形な外乱歪を軽減させることにより、より高精度で安価な圧力センサを実現する。
【解決手段】 センサチップに設けられこのセンサチップに起歪部たるダイアフラムを構成する凹部と、前記センサチップの起歪部に設けられた圧力検出素子と、前記センサチップの一面に一面が接続され前記凹部と圧力導入室を構成するチップ支持基板とを具備する圧力センサにおいて、
前記センサチップの他面に一面が接続され前記チップ支持基板と相対する位置に配置され略同一な形状を有する補償支持基板を具備したことを特徴とする圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】 ダイアフラムを有する半導体センサチップを接着剤を介してケースに取り付けてなる圧力センサにおいて、センサチップを直接ケースに接着する場合に、接着部からセンサチップに印加される応力の緩和と、センサチップのダイアフラムへの接着剤の付着防止とを、容易に実現する。
【解決手段】 半導体からなり圧力の印加により歪むダイアフラム２１を形成してなる圧力検出用のセンサチップ２０と、センサチップ２０が取り付けられたケース１０とを備え、センサチップ２０は、ダイアフラム２１の周囲部２３にてケース１０に対して接着剤３０を介して直接固定され、センサチップ２０においてダイアフラム２１の周囲部２３のうち接着剤３０による接着部とダイアフラム２１との間の部位に、当該接着部からダイアフラム２１に印加される応力を緩和するための溝４０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】生体内測定のための圧力センサ、特に、カテーテル先端光ファイバ圧力センサを提供する。
【解決手段】本発明は、小型の頑強な光ファイバ圧力センサを提供する。小型の光ファイバセンサは、光ファイバに結合されたファブリ・ペローチップを含む。本発明は、センサの水分に対する感受性を小さくするように、光ファイバをファブリ・ペローセンサに結合するのに必要な接着剤の量を低減した新しいセンサデザインを提供する。本発明はまた、エッチングに基づく方法及びエキシマレーザを用いることに基づく方法を含むセンサの製造方法を提供する。本発明はまた、チップの熱変化に対する感受性を小さくしたチップデザインを提供する。本発明はまた、センサ隔膜が十分に規定された厚みを有するチップデザインを提供する。本発明はまた、チップをエッチングから保護するチップデザインを提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板と支持体基板との接合部や接合部周辺に生ずる応力集中を低減することができる半導体圧力センサを実現することにある。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に形成されたダイアフラムが圧力によってたわみ、その歪みをダイアフラム上に形成された圧力検出素子が検出する半導体圧力センサに改良を加えたものである。本センサは、一方の面に圧力検出素子を有し、他方の面に凹部を形成してダイアフラム及び支持部が設けられる半導体基板と、この半導体基板の他方の面の支持部に接合され、この接合される接合部の外周の形状が円形である支持体基板とを有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、汎用性が高く、膜剥離、歪や基板の反りを防止できる積層薄膜電気配線板を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の積層薄膜電気配線板は、基板上に下部電気絶縁層と上部電気絶縁層を有し、下部電気絶縁層と上部電気絶縁層との間に電気配線層を有している。更に、本発明の積層薄膜電気配線板によれば、電気配線層に孔部を設けることに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】 静水圧による圧縮歪を改善して、耐圧性が向上された振動式圧力センサを実現する。
【解決手段】 測定圧が加えられるダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
前記振動梁の両端側にそれぞれ一端がほぼ直交して設けられ他端がダイアフラム面にほぼ直交して設けられた柱状の第１，第２の支持部を具備したことを特徴とする振動式圧力センサである。 （もっと読む）

加速度計は、基部（２）と、この基部（２）にしっかりと取着された平坦なリング状の外側支持フレーム（１７）と、基部（２）から離間し、外側支持フレーム（１７）と同一平面上にあるように、内側支持フレーム（１８）を外側フレーム（１７）に接続している装着部（１９）によって外側支持フレーム（１７）内に変形可能に支持された平坦なリング状の内側支持フレームとを有している。この内側支持フレームが変形可能に支持されていることによって、プルーフマス（３）を内側支持フレーム（１８）内に変形可能に装着している装着脚部（４）への圧縮力並びに/若しくは張力は減じられる。
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