【課題】半導体基板に形成した三次元構造体を封止する中空構造のサイズを小さく、かつ簡素化する。また、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等に起因する特性の変化を防止する。
【解決手段】半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。また、その製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となる。 （もっと読む）