説明

Fターム[4M113BC01]の内容

超電導デバイスとその製造方法 (1,906) | その他の製造方法 (78) | パターンの形成方法 (61)

Fターム[4M113BC01]の下位に属するFターム

Fターム[4M113BC01]に分類される特許

1 - 9 / 9


【課題】超伝導磁束量子ビット回路における超伝導磁束量子ビットのトンネルエネルギーを高速かつ安定に制御できるようにする。
【解決手段】第1磁束制御線107および第2磁束制御線108は、第1ループ101および第2ループ102を挟んで配置される。また、第1磁束制御線107は、第1ループ101の側に配置され、第2磁束制御線108は、第2ループ102の側に配置される。また、第2弱結合第2弱結合104は、上記共有部と第1磁束制御線107との間の第1ループ101に配置される。加えて、第1ループ101に比較して第2ループ102は、大きな面積に形成されている。 (もっと読む)


【課題】鉄ヒ素系超伝導体における固有ジョセフソン接合効果の発現を可能とする固有ジョセフソン接合素子を提供する。
【解決手段】超伝導層2及び絶縁層3がc軸方向に積層された結晶構造を有する鉄ヒ素系超伝導体の単結晶からなり、c軸方向に直交するab面に沿った任意の方向に離間して配置される第一電極部10及び第二電極部20と、これら第一電極部10と第二電極部20とを接続するブリッジ部30とから固有ジョセフソン接合素子1を構成する。ブリッジ部30には、第一スリット31と第二スリット32とによってc軸方向に直交するab面に沿った方向両側から挟まれたジョセフソン電流流通部33を形成する。 (もっと読む)


【課題】従来のHTS-SQUID2次元アレー作製方法では素子を構成するジョセフソン接合に
おける特性の不均一性に問題があった。
【構成】(1)Bi系高温超伝導単結晶を劈開し、清浄面を出す工程、(2)還元処理によ
り、該単結晶全体を絶縁体、常伝導体もしくは弱超伝導体にする工程、(3)酸化処理に
より、該絶縁体、常伝導体もしくは弱超伝導体の表面のみ超伝導を復活させ超伝導体層に
する工程、(4)フォトリソグラフィー加工で、(3)で作製した超伝導層のab面におけ
る全面積の40〜60%を、c軸方向に超伝導層が2〜40nm残るように直角に削り取り露出面を
形成する工程、(5)等方的な還元処理により、(4)で作製した超伝導層の露出面のみ
を絶縁体にし、絶縁体層を形成する工程、(6)方向性のある酸化処理により、(5)で
作製した絶縁体層のみを超伝導体層にする工程、からなることを特徴とする面内型ジョセ
フソン接合の形成法。 (もっと読む)


【課題】超伝導接合の製造方法において、高温超伝導薄膜を、希土類常伝導相を含む三層構造薄膜にする。そして、三層構造薄膜を部分溶融することより相分離させ、超伝導薄膜に常伝導層を形成し接合を作製する。
【解決手段】常伝導/超伝導/常伝導の三層構造薄膜を堆積する。エッチング等により傾斜を持つようにパターニングする。超伝導薄膜を部分溶融し、常伝導層を形成する。エッチングにより常伝導層の厚さを制御する。超伝導薄膜を堆積し上部電極とする。 (もっと読む)


【課題】単一光子検出の際に、より高い量子効率が得られる超伝導光検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導受光材料からなる細線(102)を、密に詰めるようにメアンダ形状で、結晶基板(101)の表面に配置するとともに、そのメアンダ形状の細線の隙間に対応する位置で、結晶基板の裏面あるいは絶縁膜を介した上層に、別のメアンダ形状の細線(103)を配置する。これにより、複数組のメアンダ形状の細線が互いにずらされて、ほぼ隙間のなく重ねて設置される。最初のメアンダ形状の細線(102)の隙間に照射された光子(104)は、次のメアンダ形状の細線(103)に照射されるため、すべての光子は必ずいずれかの細線に照射され、光照射域での光子の取りこぼしが無いので、量子効率が格段に向上する。 (もっと読む)


【課題】高いQ値の高温超伝導フィルタを実現可能とするNdBa2Cu37やLaBa2Cu37などの薄膜が、MgO基板の上に形成できるようにする。
【解決手段】酸化マグネシウム(MgO)基板101を用意する。MgO基板101は、主表面が(100)面とされたものであり、また、一辺が20mm程度の矩形の基板である。次に、MgO基板101を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、MgO基板101が600℃〜640℃の範囲に加熱された状態とし、例えば、ネオジウム(Nd),バリウム(Ba),及び銅(Cu)を蒸発源(蒸着源)とする分子線エピタキシー法により、MgO基板101の主表面にNd1Ba2Cu37-d(0≦d≦0.3)からなる高温超伝導体薄膜102が膜厚500nm程度に形成された状態とする。 (もっと読む)


【課題】 より高い動作温度で安定して動作し、量子計算機の実現に寄与できる量子ビットを提供する。
【解決手段】 この出願の発明の量子ビットは、銅酸化物高温超伝導体を用いて形成した固有ジョセフソン接合により構成されることを特徴とする。酸化物高温超伝導体としては、Bi(ビスマス)系銅酸化物高温超伝導体、Tl(タリウム)系銅酸化物高温超伝導体、Y(イットリウム)系銅酸化物高温超伝導体のいずれかを用いることができる。 (もっと読む)


【課題】 より高い周波数と出力強度を発生させることができる積層ジョセフソン接合を用いたテラヘルツ発振器を提供する。
【解決手段】 超伝導層と絶縁層との固有ジョセフソン接合が直列に積層されている積層ジョセフソン接合を有する超伝導体単結晶の素子を用いたテラヘルツ発振器において、前記ジョセフソン接合が、幅が狭く、奥行きが長い接合であり、狭い素子幅に磁界を印加して四角形に並んだ磁束格子を形成し、前記狭い素子幅による定在波の共鳴を起こさせるように構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】 ナノサイズの超伝導細線を簡便に作製する。
【構成】 炭素原子を含むタングステン有機金属ガスを収束イオンビームまたは電子線により分解し、タングステン金属を直接基板上に堆積させ、描画するとともに、その際に、タングステン有機金属ガス中の炭素原子をタングステン金属に含有させる。 (もっと読む)


1 - 9 / 9