固体撮像システムは、一方の一続きの画素が、他方の一続きの画素に関してずらされ、即ち互い違いにされている第1および第2の一続きの画素（191、192、193）を有する少なくとも1つのCMOS撮像装置（190）を有する。複数の撮像装置が端から端へと配列され、ジャンパ線（48）が画素出力導体または各々を接続し、それによって画素は各々の一続きに対する共通出力増幅器（160、161）へ入り、チップ間オフセット電圧を最小にする。画素は相互から斜めにずらしてよく、カラーリボンフィルタが画像区域を斜めに横切って配列されるカラー撮像装置を構築することができる。この配列はカラーのクロストークを最小にする。マイクロレンズのアレイ（200、210、210'、211）は、各々のマイクロレンズが複数の画素を覆うように置かれる。各マイクロレンズの下側の画素は、斜行部分に沿って整列することができる。同じマイクロレンズの下側の異なる画素は異なる積分時間を有することができ、撮像装置のダイナミックレンジを拡大する。

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【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、上記電荷を収集する収集電極、収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量および蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチを有する多数の画素と多数の走査線と多数のデータ線とを備えた検出層とが積層され、蓄積容量が、ＴＦＴスイッチのドレイン電極に接続される蓄積容量電極とそのドレイン電極が属するＴＦＴスイッチに隣接するＴＦＴスイッチに接続される走査線との間で構成されるとともに、ＴＦＴスイッチのアレイが上下に２分割されて駆動されデータ線が上下に２分割された放射線画像検出器において、分割境界部の画素についても蓄積容量を構成し、分割境界部の画像段差を目立たなくする。
【解決手段】ＴＦＴスイッチ３のアレイの上下の分割境界部に、分割境界部に配置された画素の蓄積容量４を構成するダミー配線３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得易い光電変換デバイスの製造方法、及び長尺化しても信頼性の高いものを得易い光電変換デバイスを提供すること。
【解決手段】透明基板５と、透明基板上５に形成された複数の光電変換素子ＰＥと、透明基板５に実装されて複数の光電変換素子ＰＦの各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段３０と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線２５と、複数の第１配線２５それぞれの一端に１つずつ接続されて前記一端と信号生成手段との間に介在するパッド２７と、透明基板上に形成されて信号生成手段３０と外部回路とを接続する複数の第２配線３７とを備えた光電変換デバイス１Ａを製造するにあたり、少なくとも１層からなる導電層をパターニングしてパッドと第２配線３５とを形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子と駆動回路との接続本法を減らし、高ＳＮ比で情報を読み取ることができる信頼性に優れたイメージセンサを提供すること。
【解決手段】一対の陽極と陰極との間に狭持され有機化合物層からなる光電変換層によって構成される光電変換素子がアレイ状に配置された複数の光電変換素子アレイ３と、光電変換素子が光電変換した信号電荷を検知し、その信号電荷を読み出すＩＣチップ４と、をガラス基板２上に備えるイメージセンサであって、光電変換素子アレイ３を構成する各光電変換素子のＩＴＯ陽極５ａは、ＩＣチップ４と１対１で接続される配線５ｂと一体的に形成されるとともに、光電変換素子アレイ３中の各光電変換素子を構成する陰極は、２つ以上の光電変換素子に共通接続されたパターンを有する配線６によって光電変換素子アレイ３上に形成される。 （もっと読む）

【課題】光源装置を基板に対して適切に取り付けることが可能なイメージセンサモジュールを提供すること。
【解決手段】主走査方向ｘに延びる長矩形状の基板１と、光源装置２と、主走査方向ｘに延びており、光源装置２に正対する光入射面、および上記光入射面から入射した光を主走査方向に延びる線状光として読取対象に対して出射する光出射面を有する導光体と、基板１上に主走査方向ｘに沿って配列されており、上記読取対象からの反射光を受光する複数のセンサＩＣチップ３と、を備えたイメージセンサモジュールＡ１であって、光源装置２は、光源基板２０と、この光源基板２０に実装された光源とを備えており、光源基板２０と基板１とは、複数のリード７を介して固定されている。 （もっと読む）

【課題】光源装置を基板に対して適切に取り付けることが可能なイメージセンサモジュールを提供すること。
【解決手段】基板１と、光源装置２と、導光体４と、複数のセンサＩＣチップ３と、を備えたイメージセンサモジュールＡ１であって、光源装置２は、主走査方向ｘおよび副走査方向ｙのいずれにも直角である方向に延びる部分を有する複数の端子２２を有しており、基板１には、その主走査方向ｘ一端から突出する複数ののリード７が固定されており、各端子２２と各リード７とは、互いに接合されている。 （もっと読む）

【課題】ＲＣレシーバデバイスと周辺光フォトセンサデバイスを省スペースで電子機器に組み込むことが可能な複合アセンブリを提供すること。
【解決手段】ＲＣレシーバデバイスと周辺光フォトセンサ（ＡＬＰＳ）デバイスを単一のマウンティングデバイス（例えば、回路基板やリードフレーム基板）上に取り付け、それらが単一の複合アセンブリの一部を形成するようにする。その結果、アセンブリを電子機器に組み込んだときに消費される空間の量を低減することができ、電子機器のサイズを小型化することが可能になる。また、ＲＣレシーバデバイスとＡＬＰＳデバイスを単一の複合アセンブリ上で実施することで、複合アセンブリの製造、組み立て、及び出荷に関するコストも低減される。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の出力に含まれるオフセット出力を均一化することのできる光電変換センサを得ること。
【解決手段】光電変換部３は、３つの光電変換素子ａ，ｂ，ｃの列「ａ，ａ’，ａ”」「ｂ，ｂ’，ｂ”」「ｃ，ｃ’，ｃ”」で構成されるが、各光電変換素子は同じ素子面積であり同じ容量値Ｃ_１を有している。光電変換素子ａ，ｂ，ｃを出力回路４に接続する配線５は、全て同じ形状・長さであり配線容量値Ｃ_２は全ての配線５において同じである。出力回路４内の各駆動回路７で用いる電荷蓄積用の容量素子の値Ｃ_３は全ての容量素子において同じである。比α｛α＝（Ｃ_１＋Ｃ_２）／Ｃ_３｝は、全ての光電変換素子においてほぼ等しくなり各光電変換素子のオフセット出力は均一化される。出力回路４ではＡ／Ｄ変換範囲の基準レベルを統一した共通のＡ／Ｄ変換回路８を使用することができる。 （もっと読む）

本発明による画像システム(imaging system)は、第１の行に存在する第１の画素と、前記第１の行に存在する第２の画素と、第２の行に存在する第３の画素と、ゲートドライバと、前記ゲートドライバから延びた第１の電気信号ラインと、前記第１の画素が接続された第２の電気信号ラインと、前記第３の画素が接続された第３の電気信号ラインとを備える。前記第３の画素と前記第１の画素は第１の列に存在する。前記第１の画素および第２の画素は前記第１の電気信号ラインに接続される。
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【課題】受光可能範囲を拡大することが可能な受光モジュールを提供すること。
【解決手段】受光素子２Ａと、受光素子２Ａを封止し、かつ受光素子２Ａの正面に位置するレンズ４Ａａが形成された樹脂パッケージ４Ａと、を備える受光モジュールＡ１であって、受光素子２Ｂと、受光素子２Ｂを封止し、かつ受光素子２Ｂの正面に位置するレンズ４Ｂａが形成された樹脂パッケージ４Ｂと、屈曲させられた状態で受光素子２Ｂおよび樹脂パッケージ４Ｂを樹脂パッケージ４Ａに対して保持可能である連結部１３と、をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子が形成された半導体層と、固体撮像素子を制御するロジック回路が形成された半導体層の双方の内部応力を打ち消すことで、双方の半導体層を張り合わせてなる基板の歪みを緩和することを可能とする。
【解決手段】固体撮像素子２０が形成された第１半導体層１１と、前記固体撮像素子を制御するロジック回路４０が形成されたもので前記第１半導体層１１と異なる結晶方位を有する第２半導体層３１とを備え、前記第１半導体層１１と前記第２半導体層３１とが前記第１半導体層１１と前記第２半導体層３１との双方の内部応力を打ち消すように張り合わされている。 （もっと読む）

【課題】低コストの下に短時間で製造することができ、かつ画像データを得ることができる光電変換装置を提供すること。
【解決手段】可視領域および紫外領域および赤外領域の波長の光を感知し電気信号に変換する光電変換装置であって、透明基板２上に、透明電極７と有機光電変換部と背面電極とを有する有機光電変換素子を複数配置すると共に、当該透明基板２上に、前記複数の有機光電変換素子に複数の読み出し配線１５により接続された信号読み出し部１８を配置して、光電変換素子から発生された電気信号を各画素ごとに選択的に読み出す構成とした。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子を含んだ複数の半導体素子を積層して搭載するイメージセンサ用半導体装置の放熱性能を高め、また半導体素子間の電気的な相互干渉を緩和する。
【解決手段】外部回路と接続するための導体１が設けられた凹状のパッケージ２内に、光半導体素子４，半導体素子３が積層して搭載され、パッケージ２の開口が光透過性蓋体６で封止されたイメージセンサ用半導体装置において、パッケージ２の内外に露出する熱伝導体８を備え、半導体素子４，半導体素子３間に熱伝導性板体９が配置され、熱伝導性板体９と熱伝導体８とが接続された構造とする。これにより、半導体素子３と光半導体素子４の双方から熱伝導性板体９と熱伝導体８とに順次に伝熱する、という高熱伝導率の伝熱経路が確保される。 （もっと読む）

【課題】大面積で、かつ、最適な成膜条件で作製される放射線有感層を有する放射線検出素子アレイを、低コストで提供する。
【解決手段】表裏両面もしくは裏面のみに電極３を形成したＳｉ等の硬質導電性平板１の表面上に、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、ＨｇＩ２ 等の半絶縁性化合物半導体膜４を、ＣＶＤ、もしくは、蒸着等の気相成膜法を用いて形成する。次に、前記半絶縁性化合物半導体膜上に、複数個の信号取り出し電極５を形成し、所定のサイズに切り出して放射線検出素子アレイチップ６とする。 （もっと読む）

【課題】パッド部開口のためのエッチング除去工程と同一の工程でスクライブライン領域に沿ってエッチング除去を行なってもパッド部でのワイヤボンディング強度を確保でき、エッチング除去したパッド部の化合物の再付着を抑制して外観不良を低減する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１２０１中に複数の半導体装置領域１１０２が形成され、各半導体装置領域１１０２の分割ライン領域であるスクライブライン領域１２０５に沿ってダイシングされる。このスクライブライン領域１２０５上の少なくとも一部には、スクライブライン領域１２０５を横切ってポリシリコン膜１０１が形成されている。半導体装置領域１１０２内には、ＭＯＳトランジスタが配置され、ＭＯＳトランジスタのゲート電極１２０７とポリシリコン膜１０１がともに半導体基板１１０２から同一のゲート絶縁膜を介して配置される。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子の出力である画像信号を平坦な波形とし、精度の高い画像情報の取り込みを可能とするイメージセンサをを提供する。
【解決手段】 本発明のイメージセンサは、入力する光信号を明度レベルに対応した電圧の電気信号に変換する光電変換素子と、光電変換素子に対応して設けられ、各光電変換素子の電気信号の出力部と共通出力線との間をオン／オフする選択スイッチと、入力されるパルスに従い、順次前記選択スイッチをオン／オフ制御する走査回路と、一方の入力端子から入力される前記電気信号と、他方の入力端子から入力される基準電圧との差電圧を増幅する差動増幅器と、電気信号が入力される、差動増幅器の一方の入力端子に一端が接続され、他端に基準電圧が入力された抵抗と
を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の放射線検出素子を基板上に隙間なく並設することができ、放射線検出のデッドスペースの発生を抑えて、分解能の高い放射線画像の検出可能にする。
【解決手段】第１の電極面２３とこの第１の電極面２３の反対側に位置する第２の電極面４０とを有する放射線検出素子２１が基板２２上に搭載され、放射線検出素子２１の第１の電極面２３に導電性接着剤３６を介して導電性シート３７が接着され、この導電性シート３７を介して、前記第１の電極面が前記基板３２上の電気回路に接続されている。 （もっと読む）

【課題】放射線検出素子に対し、集積回路素子がはみ出さないような形態にモジュール化可能にし、放射線検出素子の隙間のない配列による画像の高解像度化、および大画面表示を実現可能にする。
【解決手段】放射線検出素子１１と集積回路素子１２を電気的に接続してなる放射線画像検出モジュールＭであって、集積回路素子１１における前記電気的な接続面側から該接続面側とは反対側の裏面側へ、電源供給用および信号引出し用の回路１８を垂直方向に引き出す構成である。 （もっと読む）

【課題】放射線検出エリアの拡大および放射線画像の高解像度化を実現可能にする。
【解決手段】集積回路素子１２の表面に位置する信号引出し用パッド１６を、集積回路素子１２と放射線検出素子１１とがオーバラップする領域内に形成する。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子と放射線検出素子とから構成される放射線画像検出モジュールを、基板上において前後左右の４辺方向に隙間なく連設可能にする。
【解決手段】信号処理回路１９の配置エリア上に位置する信号処理側ピクセル電極パッド１５を、信号処理回路１９の配置エリア外の集積回路素子１２上に延設される配線２０を介して、該集積回路素子１２における各ピクセル対応のピクセル信号処理回路２１に出力する。 （もっと読む）