【課題】光の利用効率が高く、感度の向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、光を受光して信号電荷を生成、蓄積する受光センサ部４ｂ、４ｇ、４ｒを基板１２ｂ、１２ｇ、１２ｒ内に有する半導体チップ１０ｂ、１０ｇ、１０ｒが積層された構成の画素部３を有するものである。画素部３を構成するこれらの複数の半導体チップ１０は、それぞれ異なる波長の光Ｌｂ、Ｌｇ，Ｌｒに応じて信号電荷を生成、蓄積するものである。 （もっと読む）

【課題】アナログフロントエンドでの消費電力を小さくすることにより、アナログフロントエンドからの発熱量を低減し、撮像装置の信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】第１レベルシフタ用半導体チップＬＳＣＨＰ１と、第２レベルシフタ用半導体チップＬＳＣＨＰ２は、ＡＦＥ用半導体チップＡＦＥＣＨＰの対向する辺に偏って配置されている。そして、例えば、レベルシフタ用第１パッドＬＰＤ１と電極端子ＬＥＴ１とを接続するワイヤＬＷ１が第１長辺ＬＳＤ１および第１辺ＳＤ１をまたぐように形成するだけでなく、レベルシフタ用第２パッドＬＰＤ２と電極端子ＬＥＴ２とを接続するワイヤＬＷ２も第１長辺ＬＳＤ１および第１辺ＳＤ１をまたぐように形成する。 （もっと読む）

【課題】 スライス数が異なっても部品を共通化して経済的な放射線検出装置及びこれを用いたマルチスライス型X線CT装置を提供する。
【解決手段】 32列×24行のマトリクス状のシンチレータアレイ13と、同じく32列×24行のフォトダイオードアレイ14とを各々2枚ずつ、隙間Gを設けてフォトダイオードアレイ保持基板15の上にスライス方向Aに沿って並べて配列し、前記フォトダイオードアレイの出力端子17を前記フォトダイオードアレイ保持基板15の電極パッド18に接続して64列×24行の放射線検出器モジュールを構成する。前記出力端子17は、前記電極パッド18の位置と同じ位置に配置され、該位置間の間隔は等間隔で、かつフォトダイオード素子の配列間隔以
上とする。前記電極パッド18と前記放射線検出器モジュールの出力を収集してディジタル信号に変換するデータ収集チップ42とを接続線43で接続して、64列のマルチスライス型放射線検出装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】二枚の基板上に形成された各画素配列が行方向にタイリングされた構成を備える固体撮像装置において、一フレームの撮像に要する時間を短縮する。
【解決手段】固体撮像装置１は、画素がＭ行ＮＡ列に配列されて成る画素配列１０Ａを有する半導体基板３Ａと、画素がＭ行ＮＢ列に配列されて成り、その第１列が画素配列１０Ａの第ＮＡ列に沿って配置された画素配列１０Ｂを有する半導体基板３Ｂと、信号出力部２０とを備える。信号出力部２０は、画素配列１０Ａの第１列から第ｎ列（２≦ｎ＜ＮＡ）までの各列に対応するディジタル値を、第ｎ列から第１列まで順次に出力するとともに、該出力と並行して、画素配列１０Ａの第（ｎ＋１）列から画素配列１０Ｂの第ＮＢ列までの各列に対応するディジタル値を、画素配列１０Ａの第１列ないし第ｎ列とは逆の順序で順次に出力する。 （もっと読む）

【課題】通信方式に関わらず、簡単な構成により可視光波長領域で通信が可能な汎用性のある光通信デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】可視光領域において異なる波長領域に対して受光感度を有する受光部が複数設けられた１チップのフォトダイオード２を備える。上記、フォトダイオード２の受光面が９つの区域に分けられ、同じ波長領域に対して受光感度を有する受光部群について夫々の受光部が各区域に離散的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 光源から発する光を効率良く受光すると共に長尺の読み取り領域であっても光源の照射効率や照射角度の精度を確保することが可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】 主走査方向に延在する光源２と、光源２で照射された原稿１の反射光を収束するレンズ４と、レンズ４で収束された光を受光する受光部５と、表面側の窪み部に光源２を載置する突起部８ａを有し、裏面側の端部に主走査方向に切り欠き部８ｂを形成し、切り欠き部８ｂと直交する立壁部８ｃを裏面側に設けた放熱板８と、放熱板８と光源２とを中空領域９ｂを設けて収納し、光源２の光の照射路を形成する側壁側に放熱板８の突起部８ａを当接させる当接部９ｃを設けると共に立壁部８ｃと貫通する複数のねじ穴部９ａを有する筐体９とを設け、ねじ１０を立壁部８ｃに突き当てて放熱板８の切り欠き部８ｂを筐体９の中空壁面に沿って副走査方向にスライドさせて締めつけるようにした。 （もっと読む）

【課題】 高い解像度を得ることができる機構を備えた受光素子アレイ、撮像装置およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 受光層３を含む受光素子１０が、複数個、共通の読出し制御回路の基板３０上に配置され、各受光素子は、隣接する受光素子から隔離され、各受光素子に設けられた対の電極のうち、第１導電側電極１２は、すべての受光素子にわたって電気的に共通に接続されており、他方の第２導電型領域６に設けられる第２導電側電極１１は、それぞれ読出し制御回路の読出し部３１に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】並列に出力する信号のチャンネル数が非常に多い場合であっても、従来よりも簡単な構造で、ＣＣＤチップとＡＦＥチップとを接続することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオード１１と、複数のフォトダイオード１１の各々で発生した電荷を転送する垂直電荷転送部１２と、垂直ＣＣＤ１１で転送された電荷に応じた信号に所定の信号処理を施す信号処理回路が内蔵されたＡＦＥチップ２とを備える固体撮像装置であって、垂直電荷転送部１２から転送されてきた電荷をその電荷量に応じた電圧に変換するＦＤＡ１３と、ＦＤＡ１３で変換された電圧を電流に変換するＶ−Ｉ変換トランジスタ１４と、Ｖ−Ｉ変換トランジスタ１４のドレイン−ソース電圧をＶ−Ｉ変換トランジスタ１４が３極管領域で動作するように一定に固定する電位固定回路２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】素子を形成するウエハサイズなどの制約に影響されない構造、および、検出面を大面積化しても静電容量を増大させない構造、をそれぞれ採用して大型の検出対象に適用可能な低消費電力・簡易構造の半導体型の放射線検出センサを提供する。さらに、このような放射線検出センサを複数用いてさらなる大型の検出対象に適用可能な半導体型の放射線検出センサユニットを提供する。
【解決手段】回路基板２の検出素子設置面の配線部２１とワイヤ配線部３との接続位置と、回路基板２の信号処理部設置面の配線部２１と信号処理部４との接続位置と、が回路基板２の表裏でそれぞれが略一致することで信号経路を短縮した放射線検出センサ１００とした。また、このような放射線検出センサ１００を搭載した放射線検出センサユニットとした。 （もっと読む）

【課題】長尺型ＣＣＤセンサの信頼性を向上するＣＣＤセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】長尺型のＣＣＤセンサ１０１において、千鳥状に配列され隣接する２つのＣＣＤ素子チップ２は、素子チップ位置合わせ部９をそれぞれ備える。素子チップ位置合わせ部は、各ＣＣＤ素子チップの画素列２ｃにおける画素素子同士を一直線上に配置させるように延在する溝にてなり、治具の係合によりＣＣＤ素子同士の位置ずれを防止する。 （もっと読む）

【課題】画像検出器に対する無駄な冷却を回避して省エネルギー化を図ることが可能な画像検出器及び画像撮影システムを提供する。
【解決手段】センサ基板３８における放射線Ｘの照射面又は背面に冷却パネル１３０を配置し、この冷却パネル１３０を構成する各冷却部１４２ａ〜１４２ｉのうち、センサ基板３８における放射線画像情報の記録領域（に応じた各画素）に対向する冷却部を駆動させて、前記記録領域を冷却する。これにより、センサ基板３８に対する無駄な冷却が回避されて、当該センサ基板３８を効率よく冷却することが可能となり、冷却パネル１３０を含む放射線固体検出器２６及び画像撮影システム全体の省エネルギー化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の性能を確保した上でチップサイズをシュリンクしたマルチチップ型イメージセンサを提供することを目的とする。
【解決手段】複数の受光要素２と、各受光要素２の信号を読み出すための第１のスイッチ１１と、複数の第１のスイッチ１１に対して１つ設けられ、第１のスイッチ１１からの信号を読み出す第２のスイッチ３と、を含む単位ブロックを複数有するセンサチップ１を複数有し、複数のセンサチップ１の受光要素２の信号が読み出される共通信号読み出し線を有する光電変換装置の駆動方法において、複数の単位ブロックに含まれる１の受光要素２の信号を、順次共通信号読み出し線に読み出した後に、同一センサチップ１の読み出されていない受光要素の信号を共通信号読み出し線に読み出す前に、その他のセンサチップの単位ブロックに含まれる受光要素２の信号を共通信号読み出し線に読み出す。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合容量を増やさずに画素間隔を狭める。
【解決手段】光電変換領域を構成する第一導電型の第一不純物領域１０２と、第一不純物領域に配された、信号取り出し領域を構成する第二導電型の第二不純物領域１０５とを含む画素を複数配置してなる光電変換装置において、各画素を分離するために各画素の周囲に、第一導電型の第三不純物領域１０３と、第一導電型の第四不純物領域１０４とが配置され、第四不純物領域は隣接する画素間にあり、第四不純物領域の不純物濃度は第三不純物領域の不純物濃度より低い。 （もっと読む）

【課題】光電変換部で取得した放射線画像にて光電変換基板間の継ぎ目が目立たない放射線検出器を提供する。
【解決手段】画素単位の光電変換素子14を配列した複数の光電変換基板12を、光電変換素子14が隣接するように貼り合わせて光電変換部13を形成する。光電変換部13は、画素単位間距離を一定として光電変換素子14を配設し、隣接する光電変換基板12に近づくほど光電変換素子14の面積を小さくする。光電変換基板12の継ぎ目に近づくほど感度を低下させ、光電変換基板12の継ぎ目部分の感度の差を小さくすることで、光電変換部13で取得する放射線画像にて、光電変換基板12の間の継ぎ目を目立たなくできる。 （もっと読む）

【課題】優れたイメージセンサを提供する。
【解決手段】バックライトを伴う二次元イメージセンサは光検出器配列（１２０）を備える。光源（１３５）からの光は、後方から配列（１２０）を通過して、撮像されるべき表面（１１０）に反射する。この場合、反射された光が配列（１２０）によって検出される。光検出器配列は不透明のシリコン基板（１９０）に形成されてもよく、その場合、撮像されるべき表面（１１０）へ向けて光が通過できるように、チャンネル（１８０）が基板を貫通してエッチングされる。センサは拡散層（１３０）とスペーサ層（１５０）とを更に備える。イメージセンサは、密に離間されたドットコーディングパターン（１１１、１１２）を撮像するのに適している。ＵＶ誘起赤外光エミッタがＵＶフィルタおよび光検出器配列の下側に配置された前方照明イメージセンサも開示される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減することができる密着型リニアセンサを提供する。
【解決手段】３個以上の固体撮像素子を備える密着型リニアセンサにおいて、第（ｎ＋１）番目の固体撮像素子が有する水平転送レジスタは、第ｎ番目の固体撮像素子に選択信号（ＶＲＳＥＬ）及び選択信号（ＶＯＳＥＬ）が印加されている期間及び第（ｎ＋１）番目の固体撮像素子に選択信号（ＶＯＳＥＬ）が印加されている期間のみ動作させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、列数を増やすことのできる放射線検出器、放射線検出システム及びＸ線ＣＴ装置を提供することにある。
【解決手段】本発明の放射線検出器は、表面側から入射するＸ線を光に変換するシンチレータ９と、変換された光を電気信号に変換するフォトダイオード３を備えたフォトダイオードチップ２と、フォトダイオード３から信号を読み出すトランジスタ５を備えたスイッチングチップ４と、読み出された信号を増幅し、ディジタル化するデータ収集チップ８とを有し、フォトダイオードチップ２と、スイッチングチップ４と、データ収集チップ８とは、リジッド多層配線板３０に共通に実装される。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子が占める面積の割合を高く維持し、製造歩留まりの向上が可能な光検出器および放射線検出装置を提供すること。
【解決手段】回路基板上に複数の放射線受線モジュールを有し、かかる放射線受線モジュールは、二次元シンチレータアレイ５４と、光電変換器とを有する。光電変換器は、基板５１と、基板５１上面に形成された溝部５２に埋め込まれたフォトダイオードアレイ５３とを備え、二次元シンチレータアレイ５４は、フォトダイオードアレイ５３が備えるフォトダイオード素子５５に対応して配置されたシンチレータ素子５９と、シンチレータ素子５９間に配置されたセパレータ６０とを備える。かかる構造を有することによって製造歩留まりを向上し、基板５１の上面において光電変換素子たるフォトダイオード素子５５の占有面積を向上させている。
【選択図】 図１６
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【課題】チップギャップの存在に起因する画像の乱れを生じないようにしたラインセンサ
を提供する。
【解決手段】ラインセンサ４は、複数の画素２１は、解像度に応じた個数を含み、直線状
に配列された前記複数の画素の中央部に設けられ、画素ピッチが、解像度から計算される
画素ピッチＰＳに応じた長さよりも短い第１の画素群と、中央部の両側部にそれぞれ設け
られ、画素ピッチが解像度から計算される画素ピッチＰＳに応じた長さよりも長い第２の
画素群と、を有する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ用ウェハレベルパッケージに、ロジック回路を低コスト且つイメージセンサチップのチップスケールで混載できる。
【解決手段】本発明の例のイメージセンサ用ウェハレベルパッケージは、入射した光を電気信号に変換するイメージセンサチップ１と、受動素子が形成される薄型回路基板２と、信号処理を行うロジック回路チップ３とを具備し、薄型回路基板２とロジック回路チップ３とが電気的に接続され、薄型回路基板２が、イメージセンサチップ１の裏面から、イメージセンサチップ１内に形成されるスルーホールビアＴＨ１を介して、イメージセンサチップの表面に形成される配線層６Ａ，７Ａと電気的に接続されることを備える。 （もっと読む）