【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】主に本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証を含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証を行い、これによりエピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換する。熱影像品質統合テスト検証を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整する。熱影像アレーモジュール雛形を継続して行い、インジウム柱接合方式を利用し、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成することができる。 （もっと読む）

【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】主に本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証を含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証を行い、これによりエピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換する。熱影像品質統合テスト検証を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整する。熱影像アレーモジュール雛形を継続して行い、インジウム柱接合方式を利用し、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成することができる。 （もっと読む）

【課題】波長が０．７μｍから３μｍ程度までの近赤外〜赤外域に、高感度で、高品位の受光信号を得ることができる受光装置等を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１の裏面において、画素に対応する領域ごとに位置するマイクロレンズ２１を備え、マイクロレンズが、波長０．７μｍ〜３μｍの光に対する透過率のレンジが２５％以下で、かつ該透過率が７０％以上である樹脂材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面から貫通孔絶縁層が後退した場合においても、半導体層と貫通電極との絶縁性を確保する。
【解決手段】貫通孔６には、貫通孔絶縁層７、８を介して貫通電極９が埋め込まれ、貫通孔絶縁層７、８は、半導体層３の表面から後退するようにして形成され、半導体層３と貫通電極９との間には、貫通孔絶縁層７、８の後退部分の対応した凹部１０が形成され、貫通電極９の側壁には、凹部１０に埋め込まれたサイドウォール絶縁膜１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化を実現するとともに、高感度、低混色及び高画質を実現することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光が入射する第１面、及び、第１面と反対側の第２面を有する層であって、第１面から入射した光を光電変換する複数のフォトダイオード２０３、複数のフォトダイオード２０３を分離する分離部２０４、及び、フォトダイオード２０３で生成された信号電荷を検出するトランジスタ２００を含む半導体層２０２と、第２面側に形成され、多層配線２０１を含む配線層２０１０と、第１面上に形成された層であって、分離部２０４に向けて入射してくる光を吸収する吸収部２０８を含む吸収層２０８０と、吸収層２０８０上に複数のフォトダイオード２０３のそれぞれに対応して形成され、隙間２０９によって隔てられたカラーフィルタ２１０ａ〜２１０ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に第１の微結晶半導体膜を形成し、第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件で第２の微結晶半導体膜を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ等と接続してハイブリッド型検出装置を形成するときオープン不良を生じにくい、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】化合物半導体の受光素子アレイは、ＣＭＯＳ等との接続のためにバンプが設けられた電極が複数配列されており、電極が配列された領域は、中心から距離に応じて領域Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３に分けられており、外側の領域の、領域面積当たりのバンプの占有面積が中心側の領域のそれより大きくなるように、外側の領域のバンプの個数の密度が、中心側の領域のそれより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン層に結晶欠陥が生じて画素特性が悪化を抑制する固体撮像装置とその製造方法並びにカメラを提供する。
【解決手段】半導体基板の複数の画素が集積されてなる受光面の画素ごとに区分されたフォトダイオードと、フォトダイオードに生成及び蓄積される信号電荷または信号電荷に応じた電圧を読み取る信号読み取り部を有し、フォトダイオードは、半導体基板１０に形成された第１導電型の第１半導体層１３と、第１半導体層上に半導体基板に対して凸状に形成され、半導体基板の表面と平行な面における断面の面積が半導体基板から遠くなるにつれて小さくなる形状を有する第１導電型の第２半導体層２４ａと、第２半導体層の表面に形成された第２導電型の第３半導体層２５とを有し、第２半導体層及び第３半導体層が信号読み取り部の転送ゲート電極２２ａから離間して形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、水分を高感度で検出することができる水分検出装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩＩＩ−Ｖ族半導体基板のバンドギャップエネルギより小さく、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有し、検出装置は波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、水分を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 既存の設備を用いて製造することができ、経済性に優れた、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】近赤外域に受光感度を持つ受光素子が複数配列された受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０とを備えた検出装置１００であって、受光素子は、化合物半導体のエピタキシャル積層体の表層からｐ型不純物を選択拡散して形成されたｐｎ接合１５を有し、非拡散領域によって隔てられており、ｐ型領域６は、読み出し回路の読み出し電極７１に、接合バンプ９を通じて電気的に接続されており、接合バンプ９が受光素子のオーミック電極を兼ねることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】物理長の異なる複数の伝送線路において、電気長を等しくする。
【解決手段】半導体基板１上の薄膜絶縁体上に形成された物理長の異なる複数の伝送線路Ａ、Ｂのうち、物理長の長いほうの伝送線路において、伝送線路を構成する信号線メタルと半導体基板１との間に低誘電率絶縁膜３を挟むことによって信号伝搬速度を速くした領域を設け、この低誘電率絶縁膜３を挟んだ領域の長さを伝送線路Ａの物理長に応じて調整することによって、すべての伝送線路の電気長を等しくする。 （もっと読む）

【課題】微細化が進んだ場合においても半導体基板の表層における素子分離拡散層の拡がりに起因した受光素子の飽和電子数の低減および混色が防止可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体層１１ａと、前記第１導電型の半導体層１１ａ上に設けられた第２導電型の半導体層１１ｂと、前記第２導電型の半導体層１１ｂ中に形成された受光素子と、前記受光素子を前記第２導電型の半導体層１１ｂの面内方向において取り囲むように形成された素子分離領域１５とを備え、前記素子分離領域１５は、前記第１導電型の半導体層に接続された第１導電型の第１の素子分離部１７と、前記第１の素子分離部１７上に形成された空洞１９ａと、前記空洞１９ａ上に形成された第１導電型の第２の素子分離部１９ａとを有する。 （もっと読む）

【解決手段】
電離放射線との相互作用で光子を放射するように構成されたシンチレーション層と、第１電極、光電性層、及びシンチレーション層の近傍に配置された光子透過性の第２電極を順番に含む光検出器とを有する放射線センサである。光電性層は、光子の一部との相互作用で電子正孔対を生成するように構成される。放射線センサは、第１電極に電気的に接続され、かつ光電性層内で生成された電子正孔対を示す撮像信号を測定するように構成された画素回路と、第１電極と画素回路の間において、画素回路上に、画素回路を含む平面の上方に第１電極が位置するように配置された平坦化層とを有する。第１電極と第２電極の少なくとも一方の電極の表面は、画素回路に少なくとも部分的に重なり、画素回路のフィーチャの上方に面屈曲を有する。面屈曲は、２分の１ミクロンを超える曲率半径を有する。 （もっと読む）

【課題】暗電流があっても高いＳＮ比の信号もしくは鮮明な画像を得ることができる、小型化された近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に形成され、受光層３を有する１つまたは複数の受光素子と、近赤外光の入射側に位置する変調部５０と、後ろ側に位置する信号処理部７０とを備え、受光層３のバンドギャップ波長が、１．２μｍ以上３μｍ以下であり、変調部５０は、シリコンを主成分とするＭＥＭＳで形成されて、１つまたは複数の受光素子をカバーして、該受光素子と一体化しており、そして信号処理部７０は、受光素子の信号を読み出す信号読み出し回路、および当該受光素子からの信号を検出する信号検出部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサ素子の感度を増強することができる背面照射光半導体デバイスを提供する。
【解決手段】デバイス100は、前面と背面を有する半導体基板110と、前記半導体基板110の前面に形成されるセンサ素子120と、前記センサ素子120の上部を覆って配置される光反射層（ＬＲＬ）130とを有する。このＬＲＬ130は、前記背面に向かいセンサ素子120を通り抜ける光を反射するために設けられている。 （もっと読む）

【課題】 小型化しながらＩｎバンプによる画素ごとの接続に伴う問題を解決し、かつフォトダイオードと読み出し回路の接続部周辺に高い応力を生じない、光検出装置を提供する。
【解決手段】 受光素子アレイ型センサーチップ５０には画素ごとに画素電極１１が設けられ、また、読み出し回路７０には、金属突起の読み出し電極７１が設けられ、受光素子アレイ型センサーチップの画素電極と読み出し回路の読み出し電極とを画素ごとに導電接続する異方性導電フィルム６０を備え、異方性導電フィルム６０が、受光素子アレイ型センサーチップと信号読み出し回路との間を充填して、受光素子アレイ型センサーチップと読み出し回路とを接着していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で、近赤外域の光を波長によらず一様に透過することができ、安定して高い製造歩留りを得ることができる、近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明の近赤外イメージセンサ１００は、波長１．２μｍ〜３μｍに受光感度をもつ受光素子アレイおよび信号読み出し回路のマルチプレクサを備え、筐体に収納されたセンサであって、真空封止されていて、筐体の本体部１の蓋部をなすリッド３が、波長１．２μｍ〜３μｍに透明な材料で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピニング層の不純物濃度分布を深さ方向に急峻に形成して、暗電流を十分に抑制することを可能にする。
【解決手段】第１基板１１上に堆積層からなるＰ型半導体層もしくはＮ型半導体層でピニング層１２を形成する工程と、前記ピニング層１２上に半導体層１３を形成する工程と、前記半導体層１３に入射光を光電変換して電気信号を得る光電変換部２１を形成する工程と、前記半導体層１３上に画素部のトランジスタと該画素部の周辺に配置される周辺回路部のトランジスタを形成した後、前記半導体層１３上に配線部１４を形成する工程と、前記配線部１４上に第２基板１５を張り合わせる工程と、前記第２基板を張り合わせた後に前記第１基板１１を除去する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、水分を高感度で検出することができる水分検出装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、検出装置は、波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、水分を検出することを特徴とする。 （もっと読む）