【課題】ＦＩＴ型ＣＣＤ撮像装置では、蓄積部全体がキャパシタであり、垂直転送時には大きな容量を持つ蓄積部を常時駆動することになるため、消費電力が大きくなる。
【解決手段】動画／静止画兼用のＦＩＴ型ＣＣＤ撮像装置１０において、動画撮像モードでは蓄積部１２を非動作状態にするとともに、画素アレイ部１１の各受光部２１で光電変換された信号電荷を含む第１の電荷と当該信号電荷を含まない第２の電荷とを、垂直ＣＣＤ２２および第１の水平ＣＣＤ１３によって別々に転送し、電荷検出部１５で電圧に変換した後、動画用信号処理回路１７でそれらの差をとる駆動を行い、静止画撮像モードでは画素アレイ部１１の各受光部２１で光電変換された信号電荷を動画撮像時よりも高速に蓄積部１２に転送した後、第２の水平ＣＣＤ１４を介して読み出す駆動を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子においてリセット時のＦＤの電位低下を軽減させながら、フォトダイオードが受光する開口を広くする。
【解決手段】 撮像素子の撮像面の第１画素２０_i、_jは第１ＰＤ２１_i、第１ＦＤ２２_i、第１転送トランジスタ２３_i、第１リセットトランジスタ２４_i、および第１増幅トランジスタ２５_iを備える。第１転送トランジスタ２３_iを第１ＰＤ２１_iと第１ＦＤ２２_iの間に接続する。第１リセットトランジスタ２４_iを第１ＦＤ２２_iと第１増幅トランジスタ２５_iとの間に接続する。第１増幅トランジスタ２５_iへの電圧印加のオン／オフの切替え可能なアンプ電源Ｖ_DAを第１増幅トランジスタ２５_iに接続する。第１リセットトランジスタ２４_iによる第１ＦＤ２２_iの電位のリセット後に、アンプ電源Ｖ_DAによる第１増幅トランジスタ２５_iへの電圧印加をオンにする。 （もっと読む）

画素セルであって、シリコン基板の中のフォトセンサと、前記フォトセンサの上に備えられ且つ前記シリコン基板との格子界面を有する酸化層と、を有する。および格子界面を有する画素セルを製作する方法。
（もっと読む）

【課題】 低消費電力化及び高画質化を図ることを目的とする。
【解決手段】 二次元マトリックス状に配列された複数の画素を構成する光電変換素子２，２‥‥と、この光電変換素子２，２‥‥から読み出された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直ＣＣＤレジスタ３，３‥‥と、この信号電荷の垂直方向転送終了後に、電荷−電圧変換を行うフローティングディフュージョンアンプ４，４‥‥と、このフローティングディフュージョンアンプ４，４‥‥で電圧に変換された信号を水平走査する水平走査回路７と、この信号を増幅する出力回路９，９ａとを有し、このフローティングディフュージョンアンプ４，４‥‥の出力側に複数段のソースフォロワ回路５，５‥‥を接続したものである。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置において、光電変換部の開口率向上と光電変換セルの面積縮小とを実現する。
【解決手段】 固体撮像装置は、行列を成すように配列され且つ光電変換を行なう光電変換部１０１ａ及び１０１ｂ等を有する光電変換セルを備える。同一の行に含まれ且つ隣接する複数の光電変換セルからセルグループＣＧ１等が形成され、例えばセルグループＣＧ１中の２つの光電変換セルは、光電変換部１０１ａ及び１０１ｂから電荷が転送されるフローティングディフュージョン（ＦＤ）部１１１と、光電変換部１０１ａ及び１０１ｂからＦＤ部１１１に電荷を転送する転送トランジスタ１２１ａ及び１２１ｂと、転送トランジスタ１２１ａ及び１２１ｂを制御する読み出しパルス線１３１ａ及び１３１ｂと、ＦＤ部１１１の電位を検出して信号を出力する画素アンプトランジスタ１２３と、画素アンプトランジスタ１２３が信号を出力する信号線１３２とを共有する。 （もっと読む）

【課題】 対数変換型画素構造において、フォトダイオードの暗電流を大幅に低下させて対数変換可能な光電流の下限を拡大し、感度の向上とダイナミックレンジの拡大を図る。
【解決手段】 光電変換するフォトダイオード１と、フォトダイオード１の光電流を対数変換する第一ＭＯＳトランジスタ２と、フォトダイオード１の光電流を第一ＭＯＳトランジスタ２で変換した信号を読み出す第二ＭＯＳトランジスタ３とを備えた対数変換型画素構造において、第一ＭＯＳトランジスタ２のゲートを、電源電位と接地電位ＧＮＤとの間の電位に固定する。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置において、受光素子の占有面積拡大に有効な単位画素の素子構造を提供する。
【解決手段】 本発明の固体撮像装置は、複数の単位画素を半導体基板に形成する。この単位画素は、入射光に応じて信号電荷を生成する受光素子と、受光素子で生成された信号電荷を取り込み、信号電荷に応じた画素信号を出力するＪＦＥＴ（接合型電界効果トランジスタ）とを備える。特に、このＪＦＥＴは、縦型ＪＦＥＴであり、半導体基板の基板深さ方向に電流経路を形成するチャネル領域と、このチャネル領域を挟み込むように深さ方向に形成され、信号電荷によってチャネル領域のチャネル幅を制御するゲート領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、埋込型フォトダイオードを備えるとともに、低雑音、高感度で広ダイナミックレンジを備える固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 転送ゲートＴＧに与える信号φＴＸの電圧値によってＭＯＳトランジスタＴ１をサブスレッショルド領域で動作させる。そして、埋込型フォトダイオードＰＤで線形的又は自然対数的に変化したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに転送し、ＭＯＳトランジスタＴ３，Ｔ４を通じて映像信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】
電荷検出部への電荷転送のタイミングを変更することができる固体撮像装置、電荷転送装置及び電荷転送装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】
イメージセンサは、フォトダイオード列にて光電変換された電荷を転送する第１及び第２のレジスタ列１１０、１２０と、ＯＵＴＰＵＴゲート１５１と、合成電荷出力部１５０とを有する。高解像度駆動モードでは、レジスタ列１１０、１２０の構成する複数のレジスタに駆動パルスが印加され２相駆動される。一方、低解像度駆動モード時には、ＯＵＴＰＵＴゲート１５１を介して電荷出力部１５０に接続するレジスタの最終ゲートのうち、一方の最終ゲート１２１が一定電位にされ、その前段のゲート１２２及び他方の最終ゲート１１１にバスライン１１０Ｂからロウレベルの駆動パルスが印加されると、前段のゲート１２２からＯＵＴＰＵＴゲートにかけて電荷を転送するポテンシャル勾配が形成される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、セルピッチを小さくして、基板変調型センサの微細化を実現できる。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、変調用ウェルに保持された前記光発生電荷によってチャネルの閾値電圧が制御され、前記光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。さらに、隣り合う１組の光電変換領域毎に１組設けられ、１組の光電変換領域のそれぞれの蓄積ウェル４と、対応する変調用ウェルとの間の光発生電荷転送経路の電位障壁を変化させ、光発生電荷の転送を制御する複数の転送制御素子Ｔｒとを有する。 （もっと読む）

撮像装置は、別個の行デコーダにより制御され得る、ピクセルの２つのパネル（即ち、撮像装置のピクセルの行が２つのパネルに分割されている）を有する。このデュアルパネル構造は、撮像装置のフレーム率を改善するために、ピクセル読み出し及び列読み出しの動作をパイプライン化することを可能にする。このデュアルパネル構造は、標準ピクセル構成、共有列構成及び／又は共有行及び列構成を用いることが出来る。
（もっと読む）

【課題】 ２次元格子状に配列されている画素の水平方向の集積度を向上させる。
【解決手段】 ２次元的に垂直方向並びに水平方向に所定ピッチで配置された画素ＰＤと、この画素ＰＤからの出力信号を出力する出力回路ＯＵＴを有し、垂直方向に隣接する複数の画素ＰＤからなる画素対の出力信号を共通の出力回路ＯＵＴにて読み出すＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記出力回路ＯＵＴは垂直方向に配置されているＰＤ画素対間に配置されていることを特徴とする （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、高解像度にする場合でも、駆動能力の不均一性の問題を改善できるようにする。
【解決手段】駆動制御線の各端の何れからも駆動することなく、駆動制御線の任意の内分点の一例として、配線上のスキュー抑制対象範囲の両側の端点からそれぞれ全長に対して１／４の２箇所の内分点を被駆動原点に設定する。被駆動原点からの最遠点の時定数は、従来の非内分両端駆動法の場合に対して１／４、従来の非内分片端駆動法の場合に対して１／１６となる。スキュー低減の理論的限界を、それぞれ１／１６，１／４にまで伸ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、感度が高く、高い色分離能を有し、人間の目の分光感度に近い受像素子、及びその受像素子を用いた撮像素子を提供である。
【解決手段】 単一の半導体基板内に、第１導電型の領域と、前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型の領域とを交互に複数積層してなり、前記第１導電型及び第２導電型の領域の各接合面を、主に青色と赤色の波長帯域の光を光電変換するためにそれぞれ適した深さに形成してなる受光素子であって、前記半導体基板の光入射側の外部に、第１の光電変換部と第２の光電変換部とを積層してなり、前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部とが、異なる２つの波長領域の光を検出し、かつ第１の光電変換部及び第２の光電変換部の検出波長が、各々独立に、前記青色の波長帯域の中心波長よりも長く、前記赤色の波長帯域の中心波長よりも短いことを特徴とする受光素子。 （もっと読む）

【課題】電子シャッター動作におけるフォトダイオードから蓄積部への電荷の漏れ込み等の影響を排除する。
【解決手段】被写体からの光の量に応じた信号電荷を発生し、蓄積するフォトダイオード１０１と、フォトダイオードから出力される信号電荷を増幅して外部に出力する増幅部２０４，２０５と、信号電荷を一時的に蓄える蓄積部２０８と、フォトダイオードから出力される信号電荷を、増幅部を経由して蓄積部に転送する転送部２０２，２０７とを具備する。 （もっと読む）

光変換デバイスと、少なくとも１つの構造体とを有する画素セルは、光変換デバイスに隣接する重水素化材料を含む。
（もっと読む）

【課題】 素子分離領域の広がりによる素子形成領域間の拡大等の改善を図る。
【解決手段】 半導体基体１１に、素子分離領域１６が、所定の濃度をもって第１導電型不純物が導入された第１の選択的不純物導入領域１７と、第１の選択的不純物導入領域１７に比し低い所定の不純物濃度の第２導電型不純物が選択的に導入された第２の選択的不純物導入領域１８とによって構成され、第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 （もっと読む）

第一のトランジスタ（Ｔ１）または第一のダイオード（Ｄ１）を介して、第一の電位（Ｖ_{ｒｅｓｅｔ}、Ｖ_{ｒｅｓｅｔ１}）に接続可能な、少なくとも１つのフォトダイオード（１）を具備する光電センサを開示する。前記フォトダイオード（１）は、第二のトランジスタ（Ｔ２）を介して読み出し増幅器（Ｔ３）の入力に接続可能である。第三のトランジスタ（Ｔ５）を介して、読み出し増幅器（Ｔ３）の入力は、第二のトランジスタ（Ｔ２）と読み出し増幅器（Ｔ３）の入力の間に配列されている第二の電位（Ｖ_{ｒｅｓｅｔ}、Ｖ_{ｒｅｓｅｔ２}）に接続可能である。改良された光電センサは、読み出し時間まで積分信号値を一時的に保つための手段（Ｃ）を具備し、それによって大きなダイナミックレンジを有する改良された光電センサを提供、すなわち、感度を小信号では増加する一方で感度を大信号では低下させ、さらに前記光電センサは、追加的に次の積分の読み出し時間まで信号値をピクセルに保つこともできる（グローバルシャッタ露光制御）。
（もっと読む）

【課題】 受光センサ部内に狭い角度範囲の光のみが入射する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 受光センサ部３上の絶縁層８中に導波路１６が形成され、導波路１６の外周に反射防止層１７が形成されている固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】固定パターンノイズの発生を防止する
【解決手段】 入射光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、前記光電変換素子に隣り合う領域に配置された変調トランジスタであって、前記光発生電荷の電荷量に応じた信号を生成する前記変調トランジスタと、含む固体撮像装置において、前記変調トランジスタは、環状ゲート４と、前記環状ゲートの内側に形成されたソース領域５と、前記環状ゲートの外側に形成されたドレイン領域と、前記ソース領域と前記光電変換素子との間に位置する前記環状ゲートの下方に形成されたキャリアポケットであって、前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させる前記キャリアポケット７と、前記キャリアポケットが形成されていない前記環状ゲートの下方に、前記キャリアポケットとの間に電位障壁を介して配置された制御ポケット９と、を含む。 （もっと読む）