【課題】画素サイズの小さい場合においても、高精度の測距が可能となる固体撮像素を提供する。
【解決手段】主導波路１０１と、主導波路に導かれた光の射出側に設けられた副導波路１０４，１０５と、副導波路に導かれた光の射出側に設けられた光電変換部と、を備えた画素を有する固体撮像素子であって、主導波路は、第１の方向から入射した光と、それとは異なる第２の方向から入射した光を導波するように構成し、副導波路は、主導波路を導波する光と結合するように構成された第１と第２の副導波路と、を備え、第１の方向から入射して第１の副導波路に導かれて射出される光量が、第２の方向から入射して第１の副導波路に導かれて射出される光量よりも大きい光量が射出可能に構成し、第２の方向から入射して第２の副導波路に導かれて射出される光量が、第１の方向から入射して第２の副導波路に導かれて射出される光量よりも大きい光量が射出可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像装置の分解能を向上することができる赤外線イメージセンサ及び赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線イメージセンサ１１には、複数個の第１の画素１ａが配列した第１の赤外線検知層１と、第１の赤外線検知層１上方に形成され、複数個の第２の画素２ａが配列した第２の赤外線検知層２と、複数個の第１の画素１ａの各々から信号を出力する第１の出力部３と、複数個の第２の画素２ａの各々から信号を出力する第２の出力部４と、が設けられている。平面視で、複数個の第２の画素２ａの配列が、複数個の第１の画素１ａの配列からずれている。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、大面積化が可能な赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】遠赤外線〜中赤外線を透過し、近赤外線〜可視光を反射する反射部１と、反射部１を透過した遠赤外線〜中赤外線により電子が励起されて、光電流が生成される量子ドット構造を多重に積層した光電流生成部２と、光電流生成部２で生成された光電流の電子が注入されて、正孔と再結合させることにより、近赤外線〜可視光を放出する量子井戸構造を多重に積層した発光部３と、発光部３から放出された近赤外線〜可視光を検出すると共に、発光部３から放出されて、反射部１で反射された近赤外線〜可視光を検出する光検出部４とを有し、反射部１、光電流生成部２及び発光部３を、半導体の基板上に積層したIII−Ｖ族化合物半導体から構成する。 （もっと読む）

【課題】サポート板材を用いて半導体装置の構成基板の強度を確保しつつ、当該サポート板材の側への端子取り出しによって小型軽量化の実現を可能とし、しかもその場合であっても構成基板に端子取り出し加工の悪影響が及ばないようにする。
【解決手段】一面に電極パッド１５が配された半導体装置の構成基板１２を形成する基板形成工程と、前記構成基板１２を補強するためのサポート板材２１にヴィアホール２２を形成するとともに当該ヴィアホール２２に導電材２３を充填する板材形成工程と、前記構成基板１２における前記電極パッド１５と前記サポート板材２１の前記ヴィアホール２２に充填された前記導電材２３が電気的に接続するように当該構成基板１２と当該サポート板材２１とを接合する接合工程と、を含んで半導体装置の製造を行う。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子を組み込んだ光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が照射時間の経過に従って変化する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流変化を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

半導体撮像素子アレイを製造することと、前記素子を伸縮性インターコネクトに相互接続することと、プリストレインされたエラストマースタンプにより前記アレイを二次非平面表面に転写することと、を備える、撮像アレイ製造プロセス方法を提供するシステム、デバイス、及び方法が提示される。
（もっと読む）

【課題】光電変換層が劣化することを防止して、素子性能の低下を防止することができる光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板の上方に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上方に形成された光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂと、光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの上方に形成された上部電１４極とを含む光電変換素子１を有する画素が複数配列され、各画素の光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが上部電極１４で封止され、隣り合う画素の上部電極１４が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と、ホトダイオードの出力を半導体基板の一方の主面側から他方の主面側に導く導電性部材との間の電気絶縁性を確保することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板１０５には、隣接するｐ型不純物拡散領域１０９間に、一方の主面側から他方の主面側に貫通する貫通孔１０５ｃが形成されている。貫通孔１０５ｃは、ｐ型不純物拡散領域１０９それぞれに対応して設けられている。貫通孔１０５ｃを画成するｎ型半導体基板１０５の壁面上には、熱酸化膜１１３が形成されている。貫通孔１０５ｃ内には、熱酸化膜１１３の内側に導電性部材としての貫通配線１１５が設けられている。貫通配線１１５の一端側の部分は、電極配線１１７の一端側の部分に電気的に接続されている。電極配線１１７は、熱酸化膜１０７上に形成されており、その他端側の部分がｐ型不純物拡散領域１０９に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】使用環境における温度変化の影響を効率良く低減しつつ、小型化を図ることができる赤外線検出器を提供する。
【解決手段】ボロメータ素子１１及びリファレンス素子２１を有する赤外線検出器１において、基板１０の表面から離間して基板１０の表面上に支持されたボロメータ薄膜２２と、ボロメータ薄膜２２の基板１０側の表面に絶縁膜３１を介して形成された放熱用金属膜２３と、放熱用金属膜２３及び基板１０と熱的に接続された複数の金属柱２５とを備えることで、赤外線により発生した受光部２２ａの熱が絶縁膜３１、放熱用金属膜２３、金属柱２５、基板側放熱用金属膜２４を介して基板１０へ効率良く放熱されるので、使用環境の変化によって発生する温度変化のみを正確に測定することができ、使用環境における温度変化の影響を効率良く低減しつつ、小型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】工程数の削減を図りつつ、かつセンサ素子などが形成される非シリサイド領域の実質的な開口を狭めることなく、シリサイド領域のみにシリサイド層を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面側をセンサ領域１ｓとしての非シリサイド領域とシリサイド領域とに分離する。センサ領域１ｓを露出させる状態でシリコン基板１上にマスクパターン１９を形成する。マスクパターン１９から露出したセンサ領域１ｓにおけるシリコン基板１の表面に、選択的にシリサイドブロック膜２１を成膜する。マスクパターン１９を除去してシリサイドブロック膜２１が形成されたシリコン基板１上に金属膜２５を成膜した後、熱処理を行うことによりセンサ領域１ｓ以外のシリサイド領域におけるシリコン基板の表面層に選択的にシリサイド層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 固相反応を用いて微細なゲート長のショットキー電極、または微細な間隔のショットキー電極を形成する際、寸法精度良く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ショットキー電極を形成した後、半導体層表面を絶縁膜で被覆し、固相反応層を形成する熱処理を行う。半導体層表面を絶縁膜で被覆することによって、表面拡散が抑制され、主に深さ方向のみにショットキー電極を侵入させることが可能となっている。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板面内で均一にピンチオフ電圧差を形成し、半導体基板のダメージに起因する素子特性劣化がなく、電荷転送電極間の距離を微細化した電荷結合素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも上層半導体層とその直下に下層半導体層を備え、上層半導体層表面から侵入した第１の金属が下層半導体層にショットキー接触してバーチャルゲートショットキー電極を構成し、第１の電極の電荷取出電極側に接触するとともに、上層半導体層にショットキー接触してストレージゲートショットキー電極を構成する。 （もっと読む）

【課題】 ドライエッチングによるピンチオフ電圧差のバラツキや半導体基板のダメージに起因する素子特性の劣化をなくし、電荷転送電極間の距離を微細化した電荷結合素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ストレージゲートショットキー電極を形成する際、ＩｎＧａＰ層又はＩｎＡｌＧａＰ層からなる上層半導体層に電極金属膜となるＴｉを注入させて形成する。Ｔｉの侵入は、上層半導体直下のＧａＡｓ層でほぼ停止させることができる。一方バーチャルゲートショットキー電極は、上層半導体層とＧａＡｓ層の一部を選択除去した後、露出したＡｌＧａＡｓ層に所定の方向から電極金属膜を蒸着して形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テラヘルツ帯をはじめとする長波長光を、輻射熱揺らぎの影響を受けることなく、電気信号に変換し、おもに映像信号として出力する固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置を提供する。
【解決手段】セル部１０は、入射された電波を受信することにより電気信号を生成するアンテナ部１４２と、アンテナ部に電気的に接続され、電気信号に応じたジュール熱を生成することにより、セル部の温度を変化させる電気抵抗１２と、支持構造配線部１１１と電気的に接続されると共に、アンテナ部及び電気抵抗と電気的に絶縁され、かつ電気抵抗と熱的に接続され、セル部の温度変化を検出することにより、電気信号を生成する熱電変換素子３１とを有し、セル部のうち電波の入射面側は、遠赤外線を反射する材料によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】可視光画像の解像度が高く、赤外光画像の感度が高く、可視光撮像と赤外光撮像を同時に行なうことができ、冷却が不要であり、画素補間などの画像処理が不要な２波長イメージセンサを提供する。
【解決手段】この２波長イメージセンサでは、複数の可視光検出器１と複数の非冷却型赤外光検出器３を均一に分散配置し、１つの可視光検出器１で可視光検出用画素２を構成し、直列接続された４つの赤外光検出器３で熱赤外光検出用画素５を構成する。したがって、可視光画像の解像度は熱画像の解像度の４倍になる。また、赤外光画像の１画素当りの受光面積を４倍に高めることができ、熱赤外光画像の温度分解能が向上する。 （もっと読む）

【課題】高感度化および応答速度の高速化を図れ、且つ、支持部の応力に起因した支持部の変形を防止できる赤外線センサを提供する。
【解決手段】ベース基板１と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部３と、温度検知部３がベース基板１の一表面から離間して配置されるように温度検知部３を支持して温度検知部３とベース基板１とを熱絶縁する断熱部４とを備える。断熱部４は、ベース基板１の上記一表面から離間して配置されベース基板１側とは反対側に温度検知部３が形成される支持部４１と、支持部４１とベース基板１とを連結した脚部４２，４２とを有する。また、断熱部４は、支持部４１および脚部４２，４２が多孔質材料により形成されており、支持部４１に当該支持部４１の応力を緩和する応力緩和層４１ｂ，４１ｃが支持部４１を挟む形で積層されている。 （もっと読む）

【課題】梁が撓んだ場合に、梁や受光部が凹部に線接触するのを防止することができる赤外線検出素子の提供。
【解決手段】シリコン結晶の（１００）面を表面とし、（１１１）面の露出した凹部１ａが形成されたシリコン基板１と、赤外線を受光する受光部３と、一端が凹部１ａの周囲の基板１に固定されると共に他端が受光部３に固定され、受光部３を凹部１ａの上方に支持する梁４とを備える。そして、梁４に撓みが生じた際に凹部１ａに接触する突起５を、梁４に形成した。そのため、衝撃等が加わって梁４が撓んだ場合、突起５が凹部１ａに接触するので、梁４や受光部３が凹部１ａに線接触するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】オプティカルブラック領域の保護膜の下に遮光膜が配置されることに起因する暗電流の不均一性の問題を解決する。
【解決手段】固体撮像装置は、受光部１０２が形成された半導体部材１０１と、半導体部材１０１の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜１０８と、半導体部材１０１と保護膜１０８との間に配置された少なくとも２つの金属層１０５、１０７とを備える。半導体部材１０１と保護膜１０８との間に配置された各金属層１０５、１０７において、オプティカルブラック領域４００内のパターンの密度と有効画素領域３００内のパターンの密度とを略同一にする。 （もっと読む）

【課題】短波長化された光源に対しても受光感度が低下することなく、かつ応答速度が低下しない光検出素子を提供する。
【解決手段】強誘電体表面に遮光性を有する電極２１を設けて、所定の光強度の複数の単位領域と該複数の単位領域よりも光強度が小さい領域とに分割し、電極間にバイアス電圧を印加することで光強度の大きな部分においてのみ分極変化を起こすことで変位電流を生じさせる構成とすることで、高い受光感度を有した高い応答速度の光検出器とする。 （もっと読む）

半導体基板内に２次元状に配列された複数の受光手段と、前記受光手段に入射すべき波長の光のみを通過させる濾光手段と、入射光を遮断する遮光手段であって、前記複数の受光手段のそれぞれに対向する位置に開口を有する遮光手段とを備える固体撮像装置において、前記濾光手段は前記複数の受光手段と前記遮光手段との間に配設する。これによって、斜め光に起因する混色を防止する。
（もっと読む）