【課題】 いわゆる裏面照射型の増幅型固体撮像素子（ＣＭＯＳイメージセンサ）の作製時における各種の位置合わせを容易かつ適正に行い、製造効率および素子精度を改善する。
【解決手段】 裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサの製造工程において、ステッパ合わせを行うために、例えばＭＯＳトランジスタ作成工程で用いる活性領域またはゲート電極を流用してシリコン基板の配線面側に位置合わせマークを形成する。この位置合わせマークには、活性領域を用いたシリサイド膜を用いることもできる。この後、このような位置合わせマークを赤色光または近赤外光によって裏面側から読み取り、裏面（照射面）側のシリコン酸化膜に位置合わせマークを作成し、これによって色フィルタおよび前記マイクロレンズの位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】 製造工程で基板が帯電した場合でも、静電気によるデバイスの能力低下及び破壊が発生しない放射線撮像用基板及び放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板上に、マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板において、光電変換層を有する接続配線が画素エリア外に形成されており、接続配線は、バイアス線、ゲート線及び信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続する。 （もっと読む）

背面照射型イメージセンサ(14)の製造方法を開示する。本発明の方法は、第１および第２の表面(3,4)を有するウェハ(2)から出発し、第１表面(3)からウェハ(2)内に延在する感光性ピクセル領域(5)を設けるステップと、第１表面(3)を保護基板(7)に対向させて保護基板上にウェハ(2)を固定するステップとを具える。ウェハは、第１の材料の基板(8)と、光学透明層(9)と、半導体材料の層(10)とを具える。基板(8)を、光学透明層(9)を停止層として用いて、半導体材料の層から選択的に除去する。背面照射型イメージセンサでは、光は半導体層を透過して感光性ピクセル領域(5)に入射しなければならない。吸収損失を低減するために、半導体層(10)を比較的薄く均一に作製できると非常に有利である。半導体層の厚さを減少させると、感光性領域に入射する光が多くなり、このことがイメージセンサの効率改善につながる。 （もっと読む）

光検出装置パッケージと光検出装置のパッケージング方法が提供される。パッケージは、透明物質で形成された基板を有する組立体部分と少なくとも一つの光検出台を有した検出部を含む。組立体部分は、その前面領域に対して基板に配置された少なくとも一つの金属層、及び該金属層上に延長されるために形成された少なくとも一つのパッシベーション層から形成される。パッシベーション層は、金属層上の第１ソルダー可溶性パッドと少なくても一つの第２ソルダー可溶性パッドに対する第１及び第２アクセス開口を規定するためにパターン化される。夫々の第１パッドが検出部に形成されたソルダーバンプパッドに第１ソルダー結合部によって結合され、反面、第２パッドは、外部回路に第２ソルダー結合部によって結合される。 （もっと読む）

本発明は、半導体撮像素子のパッケージ構造に関し、そのパッケージ構造は、フリップチップバンピング方式により製造される。本発明は、第１実施形態により、金属接着層とめっき用金属層を形成する蒸着工程中に半導体撮像素子の表面温度を常温〜２００℃に維持し、第２実施形態により、応力遮断用ポリマー層により前記蒸着工程で発生する応力を吸収することにより、半導体撮像素子の表面に形成された機能性ポリマー層の特性低下と表面変形を抑制することができる。 （もっと読む）