【課題】
接続信頼性が高く、信号遅延による感度低下の少ないパッケージサイズが小さい裏面照射型固体撮像装置であって、外部装置と接続する電極の取り出し工程数の少ない裏面照射型固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体基板１０の表面側にフォトダイオード１４及び電極パッド１５等の電荷転送部を形成する工程と、半導体基板１０の表面側に第１の接着剤１８により支持基板１７を接着する工程と、半導体基板１０の裏面側を薄層化し、薄層化された半導体基板１０の裏面側にＡＲ層１９、カラーフィルタ２０等の光層を形成する工程と、半導体基板１０の裏面側へ第２の接着剤２３により保護基板２２を接着する工程と、半導体基板１０から支持基板１７を剥離する工程とにより接続信頼性が高く、信号遅延による感度低下の少ない、パッケージサイズの小さい裏面照射型固体撮像装置を製造可能にする。 （もっと読む）

【課題】低ノイズで高画質な画像を取得可能なＸ線平面検出器を提供すること。
【解決手段】Ｘ線を検出する複数の有効画素と有効画素領域の周辺に配置されＸ線に依存しない電気信号を発生する複数のダミー画素とから成る検出手段と、各画素から電気信号を読み出す信号線２６と、各画素を走査するための走査線２７と、信号線２６に帯電する静電気を分散させる第１の静電気用配線２９１と、走査線２７に帯電する静電気を分散させる第２の静電気用配線と、を具備するＸ線平面検出器である。複数のダミー画素は、信号線２６に重畳するノイズを除去するためのダミー画素Ａ領域と走査線２７に重畳するノイズを除去するためのダミー画素Ｂ領域に分割されており、第１の静電気用配線２９１及び第２の静電気用配線２９１は検出手段の外形に沿って設けられダミー画素Ａ領域とダミー画素Ｂ領域との間で物理的に切断されている。 （もっと読む）

【課題】
表面側と裏面側のアライメントのズレを解消し、工程数の少ない高精度で安価な固体撮像素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
表面側にアライメントマーク１１が形成された半導体基板１０の表面側へ、可視光域での光透過性が高い素材で形成されたサポート基板１９を、同じく可視光域での光透過性が高い素材で形成された接着剤１８により貼着し、裏面側へ構成要素を形成する際、表面側に形成されたアライメントマーク１１を認識装置１２Ａにより認識してアライメントを行う。 （もっと読む）

【課題】遮光膜に均等に所定電圧を印加できるようにして撮像素子の信頼性向上を図る。
【解決手段】半導体基板の表面部に二次元アレイ状に形成された複数の光電変換素子２と、前記表面部の上に積層され各光電変換素子２の光入射側に夫々開口が設けられた導電性遮光膜１６と、半導体基板に形成され所定電圧が外部から印加される接続パッド２０と、接続パッド２０と導電性遮光膜１６とを接続する配線とを備える固体撮像素子において、前記配線が１本の場合の時定数に対して該時定数を小さくする配線構造、例えば、遮光膜１６の周囲に形成された枠形状の第１配線３１ａと、第１配線３１ａと接続パッド２０―１とを接続する第２配線３１ｂと、遮光膜１６の周囲に設けられた複数の接続点と第１配線３１ａとを夫々接続する複数の第３配線３１ｃとを備える構造とする。 （もっと読む）

【課題】 パッドを有する配線構造において、配線面積を小さくし、素子の高集積化を図ることのできる配線構造及び該配線構造を有する集積回路並びに該配線構造を有する固体撮像素子、さらには該固体撮像素子を有する撮影装置を提供する。
【解決手段】 複数本の配線が平面上に並列されてなり、前記配線は、左右方向に一定間隔で配置された複数のパッドと、隣り合うパッド同士を接続する該パッドよりも細幅の導線とからなり、一のパッドから互いに反対方向且つ平行に二本の導線が延出し、該二本の導線において、一の導線の上辺は該一のパッドの最上端部と同一直線上にあり、他の導線の下辺は該一のパッドの最下端部と同一直線上にあり、一の配線における全パッドの重心を結ぶ線は前記導線の延出方向と非平行な直線をなし、前記重心を結ぶ線同士は互いに平行であり、隣り合う配線同士が最小配線間隔以上であることを特徴とする配線構造である。 （もっと読む）

【課題】 高精度の距離検出を行うことが可能な裏面入射型測距センサ及び測距装置を提供する。
【解決手段】 裏面入射型測距センサ１は、二次元状に配列した複数の画素Ｐ（ｍ，ｎ）からなる撮像領域１Ｂを有する半導体基板１Ａを備えている。各画素Ｐ（ｍ，ｎ）からは、上述の距離情報を有する信号ｄ’（ｍ，ｎ）として２つの電荷量（Ｑ１，Ｑ２）が出力される。各画素Ｐ（ｍ，ｎ）は微小測距センサとして対象物Ｈまでの距離に応じた信号ｄ’（ｍ，ｎ）を出力するので、対象物Ｈからの反射光を、撮像領域１Ｂに結像すれば、対象物Ｈ上の各点までの距離情報の集合体としての対象物の距離画像を得ることができる。可視光励起キャリア再結合領域１Ｃにおいて不要キャリアが消滅し、フォトゲート電極ＰＧの直下領域にまで至らないため好ましく、また、近赤外光は１０μｍ以上１００μｍ以下の深さの領域で吸収される。 （もっと読む）

【課題】実装精度の低下や工程増加、コスト増大などを招くことなく、受光感度などの性能を低下させずに、耐熱性を向上させて、リフロー半田による基板実装が可能な固体撮像素子を得る。
【解決手段】オンチップレンズ材料を、クラック発生基点である保護層１４の開口部周辺の端縁部上にダミーパターン１５Ａを配置することにより、樹脂層１６の耐熱強度を向上させることができる。この固体撮像素子は、耐熱性に優れているため、リフロー半田により基板に実装させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ回路とフォトダイオードの垂直型集積を実現するイメージセンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは、半導体基板の上に段差部を有するように形成されたピクセル領域及び周辺回路領域と、上記ピクセル領域と周辺回路領域との上に形成されたＣＭＯＳ回路と、上記ＣＭＯＳ回路を含む前記ピクセル領域及び周辺回路領域の上に形成された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜を貫通して形成された金属配線及びパッドと、上記ピクセル領域の層間絶縁膜の上に形成されたフォトダイオードとを含み、上記フォトダイオードは、上記周辺回路領域の層間絶縁膜の表面と同一な高さで形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導体基板の撮像領域の周辺領域に形成されたパッドを備え、該パッドが形成された開口部にカラーフィルタ等の形成用の塗布液が入ることを防止できる撮像素子及び撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の撮像素子は、半導体基板の裏面側から入射した光に応じて信号電荷を生成し、表面側から信号電荷を読み出す構成であって、半導体基板に形成されたセンサ領域と、センサ領域の周辺領域に形成された開口部１８から表面に露出し、外部と電気的に接続可能な導電性の端子２１とを備え、半導体基板の表面側に支持基板３１が貼り合わされ、支持基板３１には、表面側から開口部１８に連通する支持基板側開口部３２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電荷転送劣化の原因となる波形なまりを改善できて、より安定した良好な電荷転送効率により信号電荷を電荷転送し、デバイスの低背化を図り、製造工程を簡略化する。
【解決手段】電荷転送電極２，３にそれぞれ駆動パルスφＨ１、φＨ２をそれぞれ印加するメタル配線４、５の途中（第１配線層４ａ、５ａ）から引き出して、一方の引出部としての第２配線層４ｂを、他方の引出部としての第２配線層５ｂとボンディングパッド８の外側を迂回して通し、単層の金属配線層で第１配線層４ａ、５ａおよび第２配線層４ｂ、５ｂをそれぞれ構成することができる。 （もっと読む）

【課題】無機物でハードマイクロレンズを形成することで、後続のパッケージング及びバンピングなどの工程によるマイクロレンズの損傷を防止できるイメージセンサの製造方法とする。
【解決手段】複数の単位画素が形成された半導体基板上に、パッドを含む層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜上にカラーフィルタアレイを形成するステップと、カラーフィルタアレイ上にマイクロレンズを形成するステップと、マイクロレンズを含む半導体基板上にキャッピング膜を形成するステップと、キャッピング膜上にパッドマスクを形成するステップと、パッドを露出させるステップとを含むイメージセンサの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】耐湿性に優れ、強度低下を防止することができ、小型、薄型で高品質な光学デバイスを提供する。
【解決手段】固体撮像素子１１の主面に、撮像領域１６と、撮像領域１６の周辺に位置する周辺回路領域２２と、周辺回路領域２２に複数の検査用電極１８とが備えられ、固体撮像素子１１の主面とは反対側の裏面に、周辺回路領域２２と電気的に接続された外部接続電極１５が備えられ、固体撮像素子１１の主面に、透明接着剤１３で接着された透明部材１２が備えられ、透明部材１２および透明接着剤１３が、撮像領域１６の全域および周辺回路領域２２とを覆い封止している。 （もっと読む）

【課題】光電変換層の配向を高度に制御した有機光電変換素子の製造方法、及び該有機光電変換素子を組み込んだ撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極の間に、光導電性を有する有機化合物を含有する層を配置した有機光電変換素子の製造方法において、該光導電性を有する有機化合物を含有する層の一部、または全てを基板温度６０℃〜２５０℃に制御しながら気相成長させる、また該有機化合物は分子の配向性を高めたキナクリドン系色素である。 （もっと読む）

【課題】ギャップレス形態のマイクロレンズを形成して集光率を向上させることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、画素を含む半導体基板１０と、該半導体基板１０上に形成されて金属配線を含む層間絶縁膜１１と、該層間絶縁膜１１上に形成されたカラーフィルタ層３０及び平坦化層４０と、該平坦化層４０上に形成されたシードマイクロレンズを含んで、前記シードマイクロレンズは隣合うシードマイクロレンズと離隔または接するように形成されることを含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズ保護パターンを有する撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子は半導体基板に設けられた複数のフォトダイオードを備える。前記フォトダイオード上に平らな上部表面を有する絶縁膜が配置される。前記絶縁膜上に設けられて前記フォトダイオードの上部にそれぞれ配置した複数のマイクロレンズを提供する。前記マイクロレンズは保護パターンにより覆われている。前記保護パターンはオキサイド系感光性ポリマー膜またはナイトライド系感光性ポリマー膜とすることができる。前記保護パターンは平らな上部表面を有する。 （もっと読む）

【課題】スミア特性がより改善された固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１１上に複数の光電変換素子１３がマトリクス状に配置され、光電変換素子１３により変換された電荷信号を転送する転送レジスタ１４などの転送路と、転送路に対向する配置の転送電極１６と、転送電極１６を覆って光電変換素子１３を囲むように形成された金属遮光膜１８とを有した固体撮像装置において、金属遮光膜１８の側壁部に光吸収膜たる第一のブラックフィルタ層２５が形成され、金属遮光膜１８の上方に前記光電変換素子を囲むように第二のブラックフィルタ層２６が形成される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の入射光方向の膜厚を薄くして、集光効率の劣化を防ぎ、製造コストを上昇させない固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１にフォトダイオード３を有する画素セルが配列された画素領域と、下層配線に接続されたパッド１４が形成されたパッド領域と、フォトダイオード３からの信号を転送する周辺回路領域とを備え、画素領域は、フォトダイオードの周辺部に遮光膜１３ａを有し、画素領域、パッド領域及び周辺回路領域は、半導体基板１の上部に形成された多層配線６、１３ａ、１３ｂを有する。パッド１４および遮光膜１３ａは、多層配線の最上層により形成される。 （もっと読む）

【課題】光を照射して検査を行う必要のあるデバイスを平面的に配置して一度に検査することができる受光手段を備える半導体装置、該半導体装置の検査方法及び半導体装置検査装置の提供。
【解決手段】半導体装置１１０の表面に、受光手段１１１ａと、受光手段１１１ａに電気的に接続され受光手段１１１ａの動作を検査する検査情報処理手段１１１ｃと、検査情報処理手段１１１ｃに電気的に接続されている複数の検査用電極パッド１１３とを備えており、検査用電極パッド１１３は、半導体装置１１０上の対向する一組の辺の外縁部であり、かつ上記一組の辺のそれぞれに一組ずつ設けられている。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子が形成された半導体ウェハに対して品質の劣化させることなく効率的に電気的テストを行うことを可能にする。
【解決手段】 半導体基板１の主面側に撮像素子５及び主面側電極３を備えると共に、接着樹脂４を介して撮像素子５の受光可能な周波数範囲の光を透過可能な補強板２が貼り付けられている。半導体基板１は、裏面側が研磨された後に、主面側電極３の表面が露出するように形成されたスルーホール６内に導電性材料を形成し、当該導電性材料を介して主面側電極３と電気的に接続を有する裏面側電極８を裏面側に形成する。このように構成される半導体ウェハに対し、主面側からテスト用の対象光を照射し、裏面側から測定用プローブを接触させる。 （もっと読む）

【課題】
リーク電流が生じない固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】
ＥＳＤ保護回路１０を接着面７Ａと対応する位置から外れた位置に形成することにより、ｐウェル層１１の反転を防ぎ、リーク電流の発生を防止する。 （もっと読む）