【課題】
透光性基板の剛性を高め、透光性基板の湾曲を防ぎ、搬送性を良くするとともに、透光性基板表面のクリーン度保つ固体撮像素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
カバーガラス４と固体撮像素子チップ２がスペーサ５を介して接合されている固体撮像装置１の製造方法において、固体撮像素子ウェーハ２０へ透光性基板１０を接合する際に透光性基板１０の溝１１が形成された面とは反対側の面へ、支持体１２を接合させる。 （もっと読む）

【課題】光導波路を設けてもより簡単な工程で製造可能な固体撮像装置とその製造方法並びにカメラを提供する。
【解決手段】半導体基板（１０）の受光面となる画素領域Ｒ_ＰＸにおいて画素ごとに区分されたフォトダイオードＰＤとこれに生成及び蓄積される信号電荷または信号電荷に応じた電圧を読み取る信号読み取り部が形成されており、フォトダイオードを被覆して半導体基板上に絶縁膜（１５〜１７，２０〜２２，２５〜２７，３０，３１，３３）が形成され、フォトダイオードの上方部分において絶縁膜に凹部Ｈが形成されており、パッド電極領域Ｒ_ＰＡＤにおいて絶縁膜の上層にパッド電極３２が形成されており、凹部の内壁を被覆してパッド電極よりも上層に高屈折率のパッシベーション膜３６が形成され、パッシベーション膜の上層において凹部に埋め込まれて高屈折率の埋め込み層３７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】共通電極の高抵抗化を抑制することができる放射線検出器を提供する
【解決手段】放射線検出器１は、結晶性中間層３０の結晶粒径が光導電層１７の結晶粒径よりも小さいため、結晶性中間層３０の前面３０ａにおける凹凸の度合いが、光導電層１７の前面１７ａにおける凹凸の度合いに対して緩和される。よって、光導電層１７の前面１７ａに結晶性中間層３０を形成して当該結晶性中間層３０の前面３０ａに共通電極１８を形成することにより、共通電極１８が不連続に形成されるのを防止する。 （もっと読む）

本発明は、薄型半導体基板上での電子回路の製造に関する。薄型基板の背面上に接続パッドを形成する手順は、以下の通りである。非薄型基板上に、専らパッドを接続するための多結晶シリコン層（１８）の一部分が設けられた集積回路を形成する。この回路を搬送基板（３０）上に搬送し、次いでその背面を薄層化する。薄層化された半導体層（１２）にバイアを開口することにより、多結晶シリコンへのアクセスを得る；アルミニウム（８０）を堆積させ、この層をエッチングすることにより、多結晶シリコンを経由して集積回路の内部インターコネクトに接触するパッドを画定する。薄層化された画像センサへの適用。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定周波数のミリ波・サブミリ波のみを選択的かつ高感度に検出できる、簡便で安価な電磁波センサ、撮像素子及び撮像装置を提供する。
【解決手段】複数のアンテナ要素間の間隙における間隔は、赤外光の波長より小さくなるように形成され、かつ複数のアンテナ要素間の間隙によって電気的に形成されるコンデンサと、電気抵抗部とは、アンテナ部に電気的に結合される並列回路を形成し、所定の周波数を有する電磁波に対しては、アンテナ部と並列回路とのインピーダンス整合が取れ、所定の周波数を有する電磁波の高調波に対しては、インピーダンス整合が取れなくなるように、複数のアンテナ要素が形成された。 （もっと読む）

【課題】電極パッドへの応力集中による断線等のダメージが防止される固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光センサーを配列してなる撮像エリアＳと撮像エリアＳの周縁に設けられた電極パッド１２とを表面に備えた半導体基板１１と、半導体基板１１の表面に封止剤２１を介して接合された透明基板２２と、半導体基板１１を貫通する状態で、電極パッド１２から半導体基板１１の裏面１１ａに達する裏面配線１６とを備えた固体撮像装置１において、半導体基板１１と封止剤２１との間に、少なくとも電極パッド１２を覆う状態で、無機系の絶縁材料からなる保護膜３１が設けられている （もっと読む）

【課題】パッド部のボンディング性が良好で、マイクロレンズには表面荒れが発生しない固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】１）平坦化層３４を形成する工程、２）カラーフィルタ層３３を形成する工程、３）レンズ材層３５を形成する工程、４）レンズ母型２０を形成する工程、５）Ｏ₂ ガスによるドライエッチングを行い、レンズ母型パターンを転写し、レンズ材層３５をマイクロレンズ３９とする工程を具備し、Ｏ₂ ガスによるドライエッチングを、ＲＦパワー１４０Ｗ〜８０Ｗ、バイアス１４０Ｗ〜８０Ｗ、圧力０．２Ｐａ〜０．１Ｐａ、酸素流量１２ｓｃｃｍ〜８ｓｃｃｍの条件で行うこと。 （もっと読む）

【課題】複数のＣＣＤセンサの検査を迅速かつ効率的に行う。
【解決手段】プローブカード１１の回路基板２１には、複数の開口部２１ａが形成される。回路基板２１の下面には、多数の垂直型のプローブピン２０が接合される。回路基板２１の下面には、ガイド基板２２が設けられ、ガイド基板２２の各ガイド孔２２ａに各プローブピン２０が挿入される。ガイド基板２２は、透明のガラス基板により形成されている。検査時には、テストヘッドから発光された検査用の光が回路基板２１の開口部２１ａを通過し、ガイド基板２２を透過して、基板Ｗの複数のＣＣＤセンサＳに照射される。この場合、検査用の光を妨げることなく、多数のプローブピン２０を狭ピッチで配置できるので、基板Ｗ上の隣り合うＣＣＤセンサＳの検査を同時に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低電気的クロストーク、低ノイズ、及び高光学性能を伴う高性能画像機器に用いられる画像センサー半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】画像センサー半導体装置は、第1ドーパントを有する半導体基板、ドーパントの第1タイプとは異なる第2のタイプのドーパントを有し、半導体基板の上に配置された半導体層、及び、半導体層中に形成された画像センサーを含む。半導体層の膜厚は、好ましくは約1μm〜約20μmの範囲であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 パッケージの成形精度に依存することなく、固体撮像素子と光学素子との離間距離の寸法精度を高めることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】 開口部２１を有する多層配線基板２と、導電性膜３２で被覆され、多層配線基板２の開口部２１内に露出した基準電位電極に導電性膜３２を面接触した状態で多層配線基板２に固定されるスペーサ３と、スペーサ３の導電性膜３２に面接触した状態でスペーサ３に固定され、開口部２１内に配置される固体撮像素子４と、スペーサ３を介して固体撮像素子４と対向する位置に固定され、光を開口部内に透過する光学素子５と、を備える固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】素子の感度を向上させ、製造歩留まりを向上させることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るイメージセンサは、フォトダイオードと配線が備えられた下部構造物と、下部物の上に形成された保護膜と、保護膜の上に形成された熱硬化性樹脂膜と、熱硬化性樹脂膜の上に形成されたカラーフィルタアレイと、カラーフィルタアレイの上に形成されたマイクロレンズアレイと、マイクロレンズアレイの上に形成されたＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜と、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得易い光電変換デバイスの製造方法、及び長尺化しても信頼性の高いものを得易い光電変換デバイスを提供すること。
【解決手段】透明基板５と、透明基板上５に形成された複数の光電変換素子ＰＥと、透明基板５に実装されて複数の光電変換素子ＰＦの各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段３０と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線２５と、複数の第１配線２５それぞれの一端に１つずつ接続されて前記一端と信号生成手段との間に介在するパッド２７と、透明基板上に形成されて信号生成手段３０と外部回路とを接続する複数の第２配線３７とを備えた光電変換デバイス１Ａを製造するにあたり、少なくとも１層からなる導電層をパターニングしてパッドと第２配線３５とを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易な光電変換装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板２と、この透明基板２上に配置された複数の有機光電変換素子７とを有する光電変換装置２０を作製するにあたって、複数の有機光電変換素子それぞれの構成を、透明基板２上に配置された透明電極３と、この透明電極上にインクジェット方式により形成された有機光電変換部４と、この該有機光電変換部４上に配置された背面電極６とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 透明カバーと撮像面の間に配置される材料に起因する難点を防止できると共に、当該材料の配置作業と透明カバーの接着作業も容易である固体撮像装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 撮像面２５を持つ固体撮像素子１０との間に隙間を介在させて、撮像面２５の全面を覆うようにガラスカバー（透明カバー）６０を形成する。前記隙間には、無機系または無機・有機ハイブリッドの透明ＳＯＧ材料膜（例えば透明ナノポーラスＳＯＧ材料膜５０）を配置する。ガラスカバー６０はこの透明ＳＯＧ材料膜に接合される。透明ＳＯＧ材料膜は、例えばナノポアを含むあるいは含まない透明な非晶質シリカ膜や非晶質シリケート膜、または、無機・有機ハイブリッド材料の膜とされる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の製造コストの増大を抑制し、しかも、電気特性不良や接合剥離不良を防止する。
【解決手段】複数の半導体素子が形成された半導体基板の上に無機材料層８ａ，８ｂが形成され、無機材料層８ｂの上に有機材料層１６が形成され、無機材料層８ａ，８ｂ内に半導体素子に接続される複数の電極パッド４が形成される固体撮像素子の製造方法において、複数の電極パッド４の各々の表面をそれぞれ第１部分領域，第２部分領域に分け、無機材料層８ｂの形成後に第１部分領域に達する第１開口２１を開け露出した電極パッド４を用いて半導体素子のプローブ検査を行い、該検査後に有機材料層１６を形成し、有機材料層１６の形成後に第２部分領域に達する第２開口２２を開けて電極パッド４に外部接続を行う。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置のカラーフィルタは、従来、有効画素領域にのみ形成されていた。それ故、カラーフィルタが形成された有効画素領域と、カラーフィルタが形成されない周辺領域との間に、カラーフィルタの厚み分の段差が生じ、後続の工程でレジストをスピンコートする際に塗布むらが生じていた。
【解決手段】まず、有効画素領域上に緑色（Ｇ）のカラーフィルタが形成される。次に、有効画素領域上に青色（Ｂ）のカラーフィルタを形成するのと同時に、周辺領域の一部である周辺回路上にも青色（Ｂ）のカラーフィルタを形成する。また、有効画素領域上に赤色（Ｒ）のカラーフィルタを形成するのと同時に、周辺領域におけるボンディングパッド上に、赤色（Ｒ）のカラーフィルタを形成する。 （もっと読む）

【課題】高感度かつ低雑音の温度センサおよびそれを用いた赤外線固体撮像装置を提供する。
【解決手段】温度センサ１０３は、半導体層１０と、半導体層１０に形成された互いに接するｐ型不純物領域１２およびｎ型不純物領域１１をそれぞれが有する複数のダイオード１０５とを備える。ｐ型不純物領域１２とｎ型不純物領域１１との接合部であるｐｎ接合は、ｐ型不純物領域１２がｎ型不純物領域１１側へ突き出した部分の先端部のｐｎ接合部分と、ｎ型不純物領域１１がｐ型不純物領域１２側へ突き出した部分の先端部のｐｎ接合部分とを有している。 （もっと読む）

背面照射型フォトダイオードを用いたイメージセンサ及びその製造方法が提供される。本発明によれば、背面照射型フォトダイオードの表面が安定に処理されるため、暗電流が少なく、ブルー光に対する感度があらゆるフォトダイオードに対して一定であり、高感度の背面照射型フォトダイオードを製造できる。また、フォトダイオードとロジック回路とが互いに異なる基板に別個に形成される３次元構造を適用することによって、高密度のイメージセンサを製造できる。
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【課題】製造プロセスにおけるゲート電極への帯電に起因するチャージアップを防ぐことが可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成されたｎ型の不純物からなるソース領域４と、半導体基板内に形成されたｎ型の不純物からなるドレイン領域５と、ソース領域４及びドレイン領域５間の半導体基板上にゲート絶縁膜３を介して形成されたゲート電極６とを含むＭＯＳトランジスタを有する半導体素子であって、半導体基板内に形成されたｎ型の不純物領域７と、半導体基板内に形成されたｐ型の不純物領域１０と、ｎ型の不純物領域７及びｐ型の不純物領域１１の各々とゲート電極６とを接続するために設けられた配線Ｈ１及びＨ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードなどの光電変換部への光量の増大をはかるとともに、混色や色シェーディングの発生を抑制することの可能なカラーフィルタ兼用マイクロレンズを提供する。高感度でかつ、混色や色シェーディングの発生を抑制することの可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明のカラーフィルタ兼用マイクロレンズにおけるカラーフィルタは、画素を構成する複数の光電変換領域のそれぞれに対向するように配置され、前記光電変換領域に入射する光を画素毎に色分離するためのカラーフィルタであって、前記カラーフィルタは第１の色を選択的に透過する第１のカラーフィルタと、前記第１の色とは異なる第２の色を選択的に透過する第２のカラーフィルタとが並列配置され、前記第１および第２のカラーフィルタは、周囲に光学領域を介して隣接するように配置される。 （もっと読む）