【課題】より信頼性に優れた固体撮像装置とその製造方法、及びカメラを提供する。
【解決手段】光電変換部１１と画素トランジスタからなる複数の画素が形成された半導体層１０を有し、半導体層１０の一方の面側に多層配線層１４が形成され、半導体層１０の他方の面側から光が入射される固体撮像装置であって、半導体層１０の他方の面側にパッド部５が形成され、パッド部５に多層配線層１４中の導電層に達する開口が形成され、半導体層１０の他方の面上から開口内の側壁に延長して形成された絶縁膜であって、開口内において半導体層１０に直付けされ、半導体層１０を絶縁被覆する絶縁膜１７と、半導体層１０に直付けされた絶縁膜１７とは異なる他の絶縁膜であって、半導体層１０の他方の面上から開口内の側壁に延長して形成された他の絶縁膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パッドの電極をいわゆる裏面側（光入射側）に形成することを可能にして素子面積を縮小し、アライメントマークとコンタクト部の構成を同一材料とすることで、同一工程で製造することを可能にして、製造工程を簡略化することを可能にする。
【解決手段】シリコン層１１と、前記シリコン層１１に形成されていて入射光を光電変換した信号電荷を処理して出力する画素部２０と、前記シリコン層１１中で前記画素部２０の周辺に形成された位置合わせマーク５０と、前記シリコン層１１の第１面に形成された配線層４５内の第１電極４４と前記シリコン層１１の前記第１面とは反対の第２面に絶縁膜を介して形成された第２電極４７とを接続するコンタクト部６１とを有し、前記位置合わせマーク５０と前記コンタクト部６１は、ともに、前記シリコン層１１を貫通する孔内に同一材料の絶縁層１５を介して形成された同一導電材料の導電層１６からなる。 （もっと読む）

【課題】より信頼性に優れた固体撮像装置とその製造方法、及びカメラを提供する。
【解決手段】光電変換部１１と画素トランジスタからなる複数の画素が形成された半導体層を有し、半導体層１０の一方の面側に多層配線層１４が形成され、半導体層１０の他方の面側から光が入射される固体撮像装置において、半導体層１０の他方の面側にパッド部５が形成され、パッド部５に多層配線層１４中の導電層に達する開口１６が形成され、半導体層１０の他方の面上から開口内の側壁に延長して形成され、半導体層１０を絶縁被覆する絶縁膜１７と、開口内において、絶縁膜上に形成され、開口内の側壁を被覆する遮光膜１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】面方向に沿って均一な高さ及び形状のマイクロレンズを形成することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子を有する複数の画素を２次元アレイ状に配置した有効画素領域と、前記有効画素領域の周辺にある遮光膜により遮光された有効画素領域周辺部と、前記有効画素領域周辺部の前記遮光膜上及び前記有効画素領域の前記光電変換素子上に設けられる絶縁膜層（４）と、前記絶縁膜層上に設けられる第１の平坦化層（５）と、前記第１の平坦化層上に設けられる色フィルター材層（６）と、前記色フィルター材層上に設けられる第２の平坦化層（７）と、前記複数の画素の光電変換素子に対応して前記第２の平坦化層上に設けられるマイクロレンズ（８）とを有し、前記遮光膜より上でかつ前記マイクロレンズより下のいずれかの層に、前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍に凹み部（１７）が設けられている。 （もっと読む）

イメージまたは光センサチップパッケージは、非感光性エリアと非感光性エリアによって囲まれた感光性エリアとを有するイメージまたは光センサチップを含んでいる。感光性エリアでは、光センサ、光センサの上方の光またはカラーフィルタアレイの層、および光またはカラーフィルタアレイの層の上方のマイクロレンズがある。非感光性エリアでは、接着性ポリマー層および接着性ポリマー層に部分を有している多数の金属構造がある。透明基板は、接着性ポリマー層の上面上およびマイクロレンズの上方に形成される。イメージまたは光センサチップパッケージは、イメージまたは光センサチップの金属構造と接合されたフレキシブル基板またはワイヤボンディングされたワイヤをさらに含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ダミーアクティブを有するフィールド領域を貫通する貫通電極を含み、且つサリサイド技術が適用された半導体装置において、貫通孔の側壁におけるノッチの発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の能動素子を含む第１領域と能動素子を有しない第２領域とを有するシリコン基板と、能動素子のいずれかに電気的に接続された少なくとも１つの電極パッドと、シリコン基板の裏面から第２領域を経由して電極パッドに電気的に接続された少なくとも１つの貫通電極と、を含む半導体装置の製造方法であり、シリコン基板に第１領域において能動素子間を絶縁分離する素子分離層１１０を形成するとともに、第２領域において絶縁体層内にシリコン基板の基材が露出したダミー部２００を形成する。少なくとも貫通電極と交差する位置においてダミー部にシリサイド層が形成されないように能動素子にシリサイド層１９０を形成する。 （もっと読む）

【課題】レンズ等の形成時の位置決め精度が向上した固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の孔を半導体基板に形成する工程と、前記第１および第２の孔の表面に絶縁膜を形成する工程と、前記第１および第２の孔内に導電材料を埋め込んでコンタクトおよびアライメントマークを形成する工程と、前記半導体基板にフォトダイオードを形成する工程と、前記コンタクトと接続する接続部、および前記接続部と接続する配線を含む配線層を前記半導体基板上に形成する工程と、前記配線層に支持基板を貼り合わせる工程と、前記アライメントマークを基準にして前記フォトダイオード上にフィルタおよびレンズを形成する工程と、を含む固体撮像装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡易なプロセスで光学特性の信頼性を向上できる光学デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の素子を備える半導体基板層と、前記半導体基板層の第１の主面側に形成され、入射される光の所望の波長の光を透過する１以上の光学部品と、前記半導体基板層の前記第２の主面方向に形成され、導電体を含む配線層とを備え、前記半導体基板層には、前記１以上の光学部品のそれぞれと対応する位置にあり前記第１の主面側と反対となる前記半導体基板層の第２の主面側から前記第１の主面に達する光電変換素子領域と、前記第２の主面近傍に１以上の素子とが形成され、前記光学部品の少なくとも一部は、前記半導体基板層を母材として形成され、前記配線層は、前記光電変換素子領域および前記素子それぞれと電気的に接続する導電体を含めて形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、接着用樹脂と絶縁層との界面が剥離し、その剥離に起因して接着用樹脂へクラックが発生するという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、最も膜厚が厚くなる配線層２５Ａが、平坦化処理の施される第４の絶縁層２６の下層に配置されることで、第４の絶縁層２６表面には、配線層２５Ａによる段差が大幅に緩和される。そして、第４の絶縁層２６上面には膜厚の薄い配線層２７Ａが配置される。この構造により、パッシベーション膜２９表面の窪み領域の段差幅が緩和され、接着樹脂３が局所的に厚くなることを防止し、熱応力による接着樹脂の外観異常が防止される。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出に影響が発生することなく、Ｘ線検出パネル12を着脱可能に固定できるＸ線検出装置11を提供する。
【解決手段】外囲器18内に支持部材13を固定し、支持部材13上に中間部材16およびＸ線検出パネル12を配置し、Ｘ線検出パネル12の有効領域外ｂの周辺部に形成された挟持部材17を配置する。中間部材16および挟持部材17は、熱可塑性ゲル材料で形成する。外囲器18の組立により、支持部材13と挟持部材17との間でＸ線検出パネル12を挟持する。外囲器18を解体すれば、Ｘ線検出パネル12の挟持を解除し、Ｘ線検出パネル12を支持部材13から取り外す。 （もっと読む）

【課題】シロキサン樹脂を光導波路のコア部の材料として用いても画質低下及び歩留まり低下を低減する固体撮像装置とその製造方法、電子機器並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の受光面に複数の画素が集積された画素領域Ａ１の外周を囲んで、画素領域Ａ１を含む内側の領域と外側のダイシング領域Ａ５を区分するガードリングＧとを有し、光導波路を構成する第１光透過層５１と、オンチップレンズを構成する第２光透過層５３がガードリングＧ近傍及びダイシング領域Ａ５にも形成されており、ガードリングＧ近傍及びダイシング領域Ａ５において第１光透過層５１の表面高さがガードリングＧより低く、第１光透過層５１と第２光透過層５３の界面がガードリングＧと接するように形成された構成、または、ダイシング領域Ａ５の少なくとも一部において第１光透過層５１が除去された構成とする。 （もっと読む）

【課題】遮光膜を有する固体撮像装置において、配線層の薄膜化を達成しつつ、黒レベル基準画素上の遮光性を充分確保することを可能とする。
【解決手段】受光画素部１２と黒レベル基準画素部１３とが形成された半導体基板１１上に設けられた多層配線部１４を有し、多層配線部１４は、半導体基板１１上に形成された絶縁層（層間絶縁膜４０）と、絶縁層中に複数層に形成された金属配線層２０とからなり、黒レベル基準画素部１３上の金属配線層２０のうちの一つの第１金属配線層２１の第１金属配線３１間上に形成される第１遮光膜７１と、第１金属配線層２１上の第２（３）金属配線層２３で形成される第２遮光膜７２と、黒レベル基準画素部１３上方に、第２遮光膜７２に集光する集光レンズ９１−２、９１−３を有する。 （もっと読む）

【課題】遮光膜を有する固体撮像装置において、配線層の薄膜化を達成しつつ、黒レベル基準画素上の遮光性を充分確保することを可能とする。
【解決手段】受光画素部１２と黒レベル基準画素部１３とが形成された半導体基板１１上に設けられた多層配線部１４を有し、多層配線部１４は、半導体基板１１上に形成された絶縁層（層間絶縁膜４０）と、絶縁層中に複数層に形成された金属配線層２０とからなり、黒レベル基準画素部１３上の金属配線層２０のうちの一つの第１金属配線層２１の第１金属配線３１間上に形成される第１遮光膜７１と、第１金属配線層２１上の第２金属配線層２３で形成される第２遮光膜７２と、を有し、第１遮光膜７１の側部の上部が第２遮光膜７２側に向かって徐々に幅広に形成される。 （もっと読む）

【課題】中空構造部をエッチングすることなく残留物を除去し、赤外線センサ間で特性がばらつくのを防止した赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】中空構造部を有する赤外線センサの製造方法が、シリコン基板の上に金属配線を含む絶縁層を形成する工程と、絶縁層の上に有機材料からなる犠牲層を形成する工程と、犠牲層の上に、絶縁層の上に支持され、絶縁体からなる赤外線吸収部を形成する工程と、シリコン基板を部分的に除去して中空部を形成するエッチング工程と、犠牲層を選択的に除去するアッシング工程とを含み、アッシング工程は、酸素原子を含むガス、窒素原子を含むガス、およびフッ素原子を含むガスの混合ガスのプラズマを用いたアッシング工程である。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、光電変換を行う画素部の拡散層の形成工程と、電荷転送を行う転送部を構成する拡散層の形成工程とを共通化し、これにより製造工程を簡略化するとともに製造コストを削減する。
【解決手段】水平転送部（水平ＣＣＤ部）１１０を構成する側壁電荷散逸用の拡散層１４ａを、光電変換素子を含む画素部Ｐｘを構成している転送ゲートの閾値設定拡散層１２ａと同じ不純物拡散プロファイルを有し、かつ基板内で同じ深さ位置に位置する構造とし、水平転送部１１０の最終段のポテンシャル制御用の拡散層（ポテンシャル設定拡散層）１４ｂを、光電変換素子を含む画素部Ｐｘを構成している画素分離用の拡散層１３ｂと同じ不純物拡散プロファイルを有し、かつ基板内で同じ深さ位置に位置する構造とした。 （もっと読む）

【課題】 信号読出し基板上の省スペース化を図ることができる放射線検出器を提供する。
【解決手段】 放射線検出器１においては、共通電極１８に導電性接着剤３１によって給電線２２が接続されているので、共通電極１８に給電線２２を電気的に接続するために信号読出し基板２上に所定のスペースを確保することが不要となる。そして、多孔質状の光導電層１７において信号読出し基板２と導電性接着剤３１との間に位置する部分に電気絶縁材３２が入り込んでいるため、製造時等に導電性接着剤３１が光導電層１７に染み込むことに起因して画素電極７と共通電極１８とが短絡するのを防止することができる。従って、放射線検出器１によれば、共通電極１８に給電線２２を直接接続して、信号読出し基板２上の省スペース化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、電荷転送部の拡散層の形成と、その周辺の出力部を構成するトランジスタの拡散層の形成とを共通化し、これにより製造工程を簡略化するとともに製造コストを削減する。
【解決手段】入射光を信号電荷に変換する複数の光電変換素子ＰＤと、光電変換素子ＰＤで生成された信号電荷Ｓｃを垂直方向に転送する垂直ＣＣＤ１２０と、該垂直ＣＣＤ１２０から転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤ１１０と、該水平ＣＣＤ１１０から転送されてくる信号電荷を信号電圧Ｓｖに変換して出力する出力部とを備え、該出力部を構成する出力アンプ１３０ａにおけるＮＭＯＳトランジスタの拡散層１１１ｃを、該水平ＣＣＤ１１０を構成する特定の拡散層１１１ｂと同じ不純物拡散プロファイルを有し、かつ基板内で同じ深さ位置に位置する構造とした。 （もっと読む）

【課題】出力回路から出力される信号に含まれるノイズに対する影響を評価可能である固体撮像装置を提供する。
【解決手段】出力回路３は、ＦＤアンプ３０を有し、ＦＤアンプ３０は、出力トランジスタＴ１と出力トランジスタとＴ２，Ｔ３とが従属接続されており、固体撮像装置１は、出力トランジスタＴ１のゲートＴ１_Ｇに電位を与えるリセットトランジスタ２を備え、ノード７が出力トランジスタのゲートＴ１_Ｇに接続され、ノード６には、外部電源３１より第１の電位を与えることが可能であり、出力トランジスタＴ１のドレインには、外部電源３２より第２の電位を与える事が可能である。 （もっと読む）

【課題】シェーディングの発生を防止でき、再生画面の画質を向上できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板４０上に、光電変換部及び信号走査回路部を含む単位セル行列を配置して成る撮像領域１２と、信号走査回路を駆動するための駆動回路を配置して成る駆動回路領域１４とを備え、前記信号走査回路部が形成される基板表面とは反対側の基板表面に受光面が形成され、前記受光面側の前記半導体基板上の周辺領域に設けられる第１パッド４１と、前記信号走査回路部が形成される側の前記半導体基板上に基準電位Ｖssを供給するために設けられ、前記半導体基板の厚さ方向で前記撮像領域と重なる位置にのみ配置される第２パッド４２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】面積を増大させることなく、過電圧に対する耐性を高めることを課題の一つとする。
【解決手段】第１の端子部１００に設けられ、第１のｎ型不純物領域１０６と、平面視において前記第１のｎ型不純物領域１０６の内周部に設けられた第１の抵抗領域１０７と、平面視において前記第１の抵抗領域１０７の内周部に設けられた第１のｐ型不純物領域１０８と、を有する第１の半導体領域１０３と、前記第２の端子部１０１に設けられ、第２のｐ型不純物領域１０９と、平面視において前記第２のｐ型不純物領域１０９の内周部に設けられた第２の抵抗領域１１０と、前記第２の抵抗領域１１０の内周部に設けられた第２のｎ型不純物領域１１１と、を有する第２の半導体領域１０４と、有する構成である。 （もっと読む）